1.一種n型CuO薄膜的制備方法，其特征在于，包括：
S)將銅靶材在工作氣體與反應(yīng)氣體的環(huán)境中進(jìn)行磁控濺射，在襯底上沉積得到n型CuO薄膜；所述反應(yīng)磁控濺射的濺射功率為40～60W。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述襯底的溫度為100℃～200℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射前先進(jìn)行預(yù)濺射，所述預(yù)濺射的功率為40～60W；所述預(yù)濺射的時(shí)間為15～20min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射的時(shí)間30～50min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述銅靶材與襯底的距離為5～8cm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述工作氣體為氬氣；所述工作氣體的流量為25～30sccm；所述反應(yīng)氣體為氧體；所述反應(yīng)氣體的流量為8～12sccm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S)具體為：
將襯底放入磁控濺射室內(nèi)，對(duì)磁控濺射室預(yù)抽真空，然后通入工作氣體與反應(yīng)氣體；加熱襯底，進(jìn)行預(yù)濺射后，再將襯底中心與銅靶材正對(duì)，進(jìn)行磁控濺射，在襯底上沉積得到n型CuO薄膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射后，將襯底與沉積在襯底上的薄膜以在磁控濺射室內(nèi)以相同的環(huán)境保持20～40min，再自然冷卻至室溫，得到沉積在襯底上的n型CuO薄膜。
9.一種反型異質(zhì)結(jié)，其特征在于，包括p型硅與設(shè)置在p型硅上的n型CuO薄膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的反型異質(zhì)結(jié)，其特征在于，所述n型CuO薄膜為權(quán)利要求1～8任意一項(xiàng)所制備的n型CuO薄膜。