技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種n型CuO薄膜的制備方法，包括：S)將銅靶材在工作氣體與反應(yīng)氣體的環(huán)境中進(jìn)行磁控濺射，在襯底上沉積得到n型CuO薄膜；所述反應(yīng)磁控濺射的濺射功率為40～60W。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過(guò)改變?yōu)R射過(guò)程中的參數(shù)從而對(duì)所制備薄膜的導(dǎo)電類型進(jìn)行調(diào)控，通從而使沉積的CuO薄膜出現(xiàn)氧空位，呈現(xiàn)n型導(dǎo)電，所制備得到的n型CuO薄膜屬于電子導(dǎo)電，其電子遷移率更高，導(dǎo)電性較好，在光照下產(chǎn)生的光生電子壽命長(zhǎng)，在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下容易有效分離，減小了復(fù)合率；并且可與p型硅形成的異質(zhì)結(jié)具有良好的整流特征，在光解水制氫中可有效地對(duì)載流子進(jìn)行分離，提高效率。

技術(shù)研發(fā)人員：楊龍;謝致薇;鄭之永;楊元政;陳先朝;張雅麗
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東工業(yè)大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710166387
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.20
技術(shù)公布日：2017.06.23