有將主面5a連接至下面的周邊表面5b。周邊表面5b與上主面5a基本鉛垂地在板7的厚度上延伸。
[0042]支撐件5可以配備有未示出的熱調(diào)節(jié)構(gòu)件，例如在1994年3月31日以AppliedMaterial公司提交的以編號(hào)EP0619381公布的專利申請(qǐng)中描述的類型的熱調(diào)節(jié)構(gòu)件。該熱調(diào)節(jié)構(gòu)件選擇性地用來加熱和/或冷卻。在這里，熱調(diào)節(jié)構(gòu)件用來根據(jù)期望的化學(xué)反應(yīng)調(diào)節(jié)基板的溫度。
[0043]在該工作位置，將上壁17從上主面5a分離的距離較小。由于上壁17和主面5a之間的溫度差，這限制了豎直對(duì)流梯度的效應(yīng)。
[0044]周邊表面5b和對(duì)應(yīng)的側(cè)壁19的部分、在工作位置中的頂部19a具有旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性。在工作位置，周邊表面5b和對(duì)應(yīng)側(cè)壁19的部分相對(duì)于彼此是同心的。在變型中，側(cè)壁19和周邊表面5b可以遵循圓形以外的形狀(例如正方形、矩形或卵形)的周邊。
[0045]板7具有大體圓盤形狀。支撐件5并且特別是板7由承受高于800°C的溫度的熱傳導(dǎo)材料制成。所使用的材料使得可以在高度還原介質(zhì)(就像存在二氫和氨的情況下一樣)中保持支撐件5的完整性。支撐件5由進(jìn)一步具有低熱慣性以使其在各種使用階段期間溫度能夠快速上升和下降的材料制成。
[0046]這里，支撐件5由氮化鋁(AIN)制成。在一個(gè)變型中，其可以由石墨制成，并涂覆有碳化硅膜，從而使得支撐件5對(duì)化學(xué)環(huán)境具有增加的抗性。
[0047]在一個(gè)未示出的變型中，冷卻劑在為此布置在本體2中的管道內(nèi)循環(huán)。
[0048]界定腔室4的內(nèi)壁15和側(cè)壁19的冷卻減少了意外表面沉積物。由此減少了清潔腔室4所需的時(shí)間，因此增加了反應(yīng)器I的生產(chǎn)率。
[0049]在將基板放置在支撐件5上之后，將蓋子3密封地關(guān)閉。在一個(gè)變型中，支撐件5上的基板的引入和移除可以在真空下通過轉(zhuǎn)移腔室來執(zhí)行，在合適的情況下，該轉(zhuǎn)移腔室配備有機(jī)器人。
[0050]蓋子3包括主部10，該主部10設(shè)置有形成用于反應(yīng)器I的反應(yīng)氣體源的主氣體入口 11和所述氣體的熱調(diào)節(jié)的部件。蓋子3包括安置在本體2上并支撐主部10的外部9。蓋子3的外部9具有擱置在本體2的上部中的主部8的上表面上的大體環(huán)狀。蓋子3包括噴射圓盤30，該噴射圓盤30形成腔室4的上壁17的至少一部分并且例如通過旋擰而緊固至主部10。噴射圓盤30進(jìn)一步容納用于噴射來自第一入口 11的反應(yīng)氣體的系統(tǒng)的一部分。
[0051]本體2的主部8由金屬合金制成。一般來說，至少部分地容納在腔室4內(nèi)的大多數(shù)部件都可以由在高溫時(shí)表現(xiàn)較少脫氣的鋁或鋁合金制成。
[0052]蓋子3的主部10具有大體圓盤形狀。主部10可以由輕合金(這里為鋁)制成。主部10是熱傳導(dǎo)的，并且被中央孔穿過，從而在反應(yīng)器I的第一氣體入口 11和噴射圓盤30的反應(yīng)氣體噴射系統(tǒng)之間形成流體連接。
[0053]容納在噴射圓盤30中的反應(yīng)氣體噴射系統(tǒng)包括用于調(diào)節(jié)反應(yīng)氣體的加熱的部件。用于調(diào)節(jié)反應(yīng)氣體的加熱的部件在這里包括加熱元件14，該加熱元件14包括環(huán)狀部，該環(huán)狀部包含在冷卻/加熱回路中循環(huán)的冷卻劑。例如，在2008年4月28日以本申請(qǐng)人提交的以編號(hào)FR 2930561公布的法國專利申請(qǐng)中描述了這種氣體噴射系統(tǒng)和這種熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)。
[0054]噴射圓盤30軸向地保持在蓋子3的主部10的內(nèi)表面和用于排空反應(yīng)器I的殼體49的環(huán)之間的適當(dāng)位置。噴射圓盤30形成了腔室4的上壁17的大的中央部。將噴射圓盤30與基板支撐件5分開的空間可以看作在支撐件5的主上表面5a和腔室4的上壁17之間延伸的工作空間60。工作空間60是反應(yīng)氣體和基板之間和/或反應(yīng)氣體之間的理想反應(yīng)場(chǎng)所。
[0055]噴射圓盤30容納通道45，從而在主部10的中央孔和腔室4之間形成流體連通。通道45基本豎直地延伸穿過噴射圓盤30。通道45在腔室4的工作空間60中通向上壁17。通道45規(guī)則地分布在噴射圓盤30中，同時(shí)它們的嘴部均勻地分布在腔室4的由上壁17承載的表面上。蓋子3的入口 11、主部10的中央孔和噴射圓盤30的通道45 —起形成了從上游到下游的用于腔室4的反應(yīng)氣體源。
[0056]在這里描述的實(shí)施方式中，設(shè)置附加氣體供應(yīng)部，以用于第二反應(yīng)氣體。噴射圓盤30設(shè)置有形成了附加反應(yīng)氣體供應(yīng)部的一部分的多個(gè)附加通道。附加通道在上主表面5a和上壁17之間通向腔室4的工作空間60。附加腔室基本類似地供應(yīng)有反應(yīng)器的第二氣體，并且與第一入口 11分開。附加氣體供應(yīng)部沒有示出。
[0057]加熱元件14使得可以將腔室4的上游的反應(yīng)氣體保持在后者化學(xué)穩(wěn)定的溫度，例如，高于露點(diǎn)的溫度以避免冷凝現(xiàn)象。而且，噴射圓盤30可以由具有高導(dǎo)熱性的材料(例如，輕鋁(Al)合金)制成，這使得可以通過與蓋子3的主部10接觸并進(jìn)行熱傳導(dǎo)來調(diào)節(jié)噴射圓盤30的溫度。噴射圓盤30的溫度被選擇成限制氣態(tài)反應(yīng)物由于與噴射圓盤30齊平而意外反應(yīng)。
[0058]反應(yīng)氣體通過蓋子3的入口進(jìn)入反應(yīng)器I。在入口 11的下游，反應(yīng)氣體通過通道45的嘴部進(jìn)入反應(yīng)腔室4。通道45形成了進(jìn)入反應(yīng)腔室4的反應(yīng)氣體源。
[0059]氣體排放環(huán)49裝配在基本水平的本體2的主部8的環(huán)狀表面8a上，并且被形成孔的本體2的圓筒狀表面Sb包圍。在這里描述的實(shí)施例中，環(huán)49是附裝至本體2的部件。在一變型中，環(huán)49可以與本體2形成單個(gè)部件或甚至是整體的。氣體排放環(huán)49也可以與噴射圓盤30的內(nèi)表面的周邊部分接觸。
[0060]在圖2所示的工作位置，環(huán)49包圍工作空間60。環(huán)49還至少部分地圍繞支撐件5的板7布置。如可在圖1和圖2中看到的，環(huán)49的一部分形成了側(cè)壁19的一部分，而環(huán)49的另一個(gè)部分形成了上壁17的一部分。環(huán)49和支撐件5的相互形狀是這樣的，即:在工作位置，支撐件5被部分地布置在環(huán)49中，并且在支撐件5的周邊表面5b和側(cè)壁19的在這里屬于環(huán)49的部分之間形成通路107。這里，通路107成位于腔室4的頂部中的周邊環(huán)狀通道的形式。側(cè)壁19和支撐件5之間之間(在這里，即是環(huán)49和周邊表面5b之間)的水平距離在這里在10到30毫米之間。
[0061]上壁17的氣體噴射通道45、上主表面5a和氣體排放環(huán)49以這種方式布置，使得反應(yīng)氣體流從噴射通道45流到氣體排放環(huán)49，從而穿過工作空間60。反應(yīng)氣體通過噴射圓盤30經(jīng)由反應(yīng)器I的入口 11被引入，并且與上主表面5a齊平地在工作空間60中循環(huán)。未消耗的前體在從支撐件5的板7的中心到周邊的大致徑向方向朝向環(huán)49繼續(xù)它們的行程。
[0062]在這里描述的實(shí)施例中，環(huán)49采取若干部件的組件的形式。環(huán)49包括在圖4中單獨(dú)示出的上部50和在圖3中單獨(dú)的下部51。在圖5中可以看到沿著包括在組裝狀態(tài)下的上部50和下部51的旋轉(zhuǎn)軸線的半平面的縱向截面。
[0063]上部50成由圍繞其圓周基本規(guī)則的截面構(gòu)造的環(huán)狀部件的形式。上部50包括下表面(在圖4中不可見)。在這里，該下表面包括通過截錐形下表面50c連接在一起的作為徑向外部50a的下表面和作為徑向內(nèi)部50b的下表面。徑向外部下表面50a和徑向內(nèi)部下表面50b大體是平面的，并且相互平行。在組裝狀態(tài)下，徑向內(nèi)部下表面50b相對(duì)于徑向外部下表面50a向上即朝向噴射圓盤30偏移，使得截錐形下表面50c朝向腔室4的中心取向。
[0064]上部50包括上表面。在這里，該上表面包括通過截錐形上表面50f連接在一起的徑向外部上表面50d和徑向內(nèi)部上表面50e。徑向外部上表面50d和徑向內(nèi)部上表面50e大體是平面的并且相互平行。在組裝狀態(tài)下，徑向內(nèi)部上表面50e相對(duì)于徑向外部上表面50d向下即朝向下部51偏移，使得截錐形上表面50f朝向噴射圓盤30的中心取向。
[0065]上部50沿著豎直方向的厚度在與徑向外部上表面50d鉛垂的情況下大于在與徑向內(nèi)部上表面50e鉛垂的情況下。上部50還包括形狀與本體2的孔8b對(duì)應(yīng)的基本圓筒狀的外表面50g和具有較小軸向尺寸(在這里略微為截錐形)的內(nèi)表面50h。外表面50g適合于本體2的孔Sb以便能夠被插入其中。徑向內(nèi)部上表面50e、截錐形上表面50f和內(nèi)表面50h具有與噴射圓盤30的周邊對(duì)應(yīng)的形狀。環(huán)49的形狀和尺寸既允許其與噴射圓盤30一起調(diào)節(jié)又允許在孔Sb中調(diào)節(jié)環(huán)49。徑向外部上表面50d與主部10的下表面接觸。當(dāng)環(huán)49被安裝在本體2中時(shí)，內(nèi)部下表面50b和噴射圓盤30的下表面基本對(duì)準(zhǔn)并且?guī)缀跏沁B續(xù)的。承載徑向內(nèi)部下表面50b的上部50的內(nèi)部形成了上壁17的周邊部分。上部50的內(nèi)部和噴射圓盤30 —起形成了腔室4的上壁17的至少一部分。
[0066]上部50用作蓋子3的主部10和環(huán)49的下部51之間的間隔件。氣體排放環(huán)49的上部50由承受快速溫度變化而不會(huì)劣化的材料(在這里例如為鋁)制成。
[0067]如能在圖5中看到的，下部51具有H形橫截面的大體環(huán)狀形狀。下部51包括外壁51a、內(nèi)壁51b和將外壁51a連接至內(nèi)壁51b的連接壁51c。外壁51a和內(nèi)壁51b具有大體圓筒狀形狀。內(nèi)壁51b的高度嚴(yán)格小于在組裝狀態(tài)下將上部50的徑向內(nèi)部下表面50b和本體2的環(huán)狀表面8a分開的豎直距離。因