104通向通道103的第一部分103a的底部內(nèi)。換言之，第二入口 104位于通道103的上游，通道103自身位于嘴部106的上游。當附加部件101被安裝在腔室4中時，限定在附加部件101的第一壁和側壁19之間的通道103形成了氣體噴射器105的延長部。通道103被布置成平行于側壁19引導凈化氣體流200。凈化氣體噴射器105通向反應腔室4。第二氣體入口 104形成了用于反應器I中的凈化氣體的入口，而嘴部106形成了用于腔室4中的凈化氣體的入口。
[0087]凈化氣體在通路107中沿著側壁的層狀流動防止了反應氣體從工作空間60穿透到反應腔室4的下部空間。凈化氣體流200在其橫穿通路107時為層狀，這產(chǎn)生了過大壓力，從而朝向氣體排放環(huán)49驅動反應氣體。
[0088]申請人觀察到，配備有這種凈化氣體系統(tǒng)的化學氣相沉積裝置的有效性是凈化氣體流200為湍流時的至少兩倍高。因而，可以減少反應腔室4的清潔頻率而不會對沉積膜的質(zhì)量有不利影響。
[0089]而且，對于給定效率來說，流動為湍流時需要的凈化氣體的流速大于層狀流動時需要的凈化氣體的流速，此外，其他參數(shù)類似。舉例來說，在非晶硅或多晶硅的氣相沉積過程中，凈化氣體流200的流速為大約每分鐘5升，而在存在湍流的情況下該流速大于每分鐘10升(在標準溫度條件下)。
[0090]在現(xiàn)有系統(tǒng)中，凈化氣體傾向于將上部空間中的反應氣體部分稀釋。反應氣體的流速的減少進一步限制了反應腔室4的污染。舉例來說，申請人能夠將具有根據(jù)本發(fā)明的凈化系統(tǒng)的反應腔室中的反應氣體(例如，硅烷)的流速降低為20SCCm，而在傳統(tǒng)系統(tǒng)的情況下，該流速必須是大約50sCCm，即每分鐘20微升而不是每分鐘50微升(在標準溫度條件下)。
[0091]凈化氣體流速的降低開啟了良性循環(huán)和若干優(yōu)點:增加了上部空間中的反應氣體的濃度，增加了期望的化學反應的產(chǎn)率，能夠降低反應氣體的耗損并因而減少反應氣體消耗。耗材消耗的減少產(chǎn)生了成本的降低。
[0092]在圖中，附屬部件被附裝并安裝在反應器中以形成附加部件101。附屬部件的形狀(在這里是中空旋轉部件)適合于該實施例的反應器。在各種變型中，附加部件101可以與反應器I的其他部件形成單個部件或甚至整體部件。對附屬部件進行成形以便將其附裝在反應器中使得可以方便制造，并且甚至裝備先前存在的反應器。此外，附加部件的第二壁是反應腔室的表面的、最容易引起不期望算的沉積物的表面；所述部件是可拆卸的使得可以更容易地對該部件進行清潔，并且在合適的情況下將該部件更換為清潔的部件，這使得反應器的停止時間最少。在各種變型中，附加部件101的形狀與這里描述為反應腔室4的形狀的函數(shù)的那些形狀不同。
[0093]在這里描述的實施例中，附加部件101通過一段鋁(Al)管的塑性變形而制成為單個保持部件。在一變型中，該附加部件101通過組裝若干部件制成。附加部件101可以通過模制由具有相當機械和抗腐蝕特性的任何其他材料制成。優(yōu)選地，附加部件101具有類似輪廓或形成旋轉部件。這簡化了部件制造并避免了在腔室4中進行錯誤的安裝。
[0094]凈化氣體流200在通道103中從底部流動到頂部。從入口 104開始，凈化氣體在第一段103a中、在第二段103b中、在第三段103c中上升，并且在在截錐形部分1lc的頂端處通過嘴部106排出通道103而出現(xiàn)在腔室4內(nèi)。在嘴部106處，截錐形部分1lc距下側壁19 一定距離，例如10毫米，并且優(yōu)選4到8毫米之間。通道103的端部基本平行于側壁19的位于嘴部106的緊下游的部分。通道103被布置成至少在側壁19的接近嘴部106的部分上平行于側壁19地引導凈化氣體流200。
[0095]在工作階段期間，凈化氣體流200在側壁19的第二部分和附加部件101的表面113之間從通道103引導，使得凈化氣體流200的至少一部分終止于通路107中。通道103和通路107基本被布置在彼此的延長部上，使得從入口 104噴射、流入通道103并沿著側壁19經(jīng)由嘴部106出現(xiàn)在腔室4中的氣體沿著側壁19基本根據(jù)層狀狀態(tài)流動。凈化氣體然后再次沿著腔室4的側壁19上升，直到通路107。
[0096]嘴部106和通路107均具有環(huán)狀形狀。這種形狀一致性提高了嘴部106和通路107之間的氣體流動的層狀特性。盡管位于嘴部106的上游的通道103的形狀使得可以進一步改善凈化氣體流200的取向，但是嘴部106和通路107自身之間的形狀一致性使得可以改善凈化氣體流200的層狀特性。
[0097]側壁19被有利地布置成支撐層狀的凈化氣體流沿著至少嘴部106的所述壁到達通路107。如可在位于工作位置的圖1和圖2中所看到的，氣體流200在反應器I的徑向內(nèi)側沒有物理支撐。側壁19足以引導凈化氣體流200。以選定速度平行于側壁19由嘴部106排出通道103的氣體流200具有與嘴部106對應的厚度。在速度非零的情況下，在氣體流200和側壁19之間產(chǎn)生降壓。側壁19吸引氣體流200并且在嘴部106和通路107之間引導該氣體流。側壁19在徑向外側支撐嘴部106和通路107之間的氣體上升。側壁19沿著流動方向可以具有略微凹入或略微凸起的筆直形狀，同時在沒有對應的面對表面的情況下繼續(xù)引導氣體流。
[0098]側壁19的頂部19a和底部19b在這里為氣體流動形成了方向略微改變(略微凹入形狀)，而不會對流的層狀特性有不利影響。相反，申請人已經(jīng)觀察到，10°到30°之間的角度的方向改變限制了產(chǎn)生湍流狀態(tài)的危險。如能夠在附圖中看到的，方向改變對應于直角減去α (90° -α)。底部19b和水平壁平面之間的角度α在60°到80°之間。
[0099]嘴部106與側壁19的齊平改善了嘴部106下游的流的層狀特性。側壁19形成了嘴部106的周邊的延長部，該延長部能夠使氣體流200偏離，以使其遵循側壁19的方向，直到通路107。
[0100]凈化氣體在側壁19的第一部分(在這里為環(huán)49的內(nèi)壁51b)和支撐件5的周邊表面5b之間到達通路107。通路107被成形為引導從通道103來的凈化氣體流200，從而使得氣體流200的至少一部分穿過圓周開口 49a。
[0101]凈化氣體流200沿著環(huán)49的內(nèi)壁51b的上圓筒狀表面51e和下圓筒狀表面51f傳送，增加了環(huán)49和腔室4的內(nèi)部之間的熱交換。凈化氣體流200有助于冷卻環(huán)49，環(huán)49在與加熱元件直接或間接地接觸時傾向于變熱。
[0102]為此，反應腔室的內(nèi)壁包括用于與凈化氣體(該凈化氣體以所述氣體相配合)進行熱交換以冷卻開口 49a上游的內(nèi)壁的部件，以便限制所述壁上的不需要的沉積物。
[0103]所述裝置有利地布置在通路107內(nèi)。
[0104]根據(jù)圖3中所示的優(yōu)選實施方式，所述熱交換裝置包括由側壁19承載的翅片51g。翅片51g彼此相似。翅片51g沿環(huán)49的中心的方向從環(huán)49的內(nèi)表面突出。在環(huán)49在本體2中的安裝狀態(tài)下，翅片5Ig突出到通路107內(nèi)。在內(nèi)壁51b的高度上翅片5Ig基本為沿著豎直方向的長形形狀。翅片51g從側壁19突出至少I毫米，優(yōu)選至少5毫米。在計算基板支撐件5和側壁19之間的分隔時沒有考慮翅片51g的突出尺寸。然而，翅片51g的水平端距周邊表面5b—定距離。翅片51g的豎直端通過圓角連接至內(nèi)壁51b的豎直端。翅片51g圍繞環(huán)49的圓周(在這里在內(nèi)壁51b上)規(guī)則地分布。周邊表面5b面對翅片51g，翅片5Ig在這里圍繞板7規(guī)則地分布。
[0105]如能夠在圖3和5中看到的，翅片51g的厚度基本等于它們的相互間隔。將彼此相鄰的兩個翅片51g分開的距離等于其中一個所述翅片51g的厚度。在沿著垂直于環(huán)49的旋轉軸線的平面的剖視圖中，翅片51g具有矩形輪廓。換言之，到環(huán)49的最近曲率，一系列翅片51g以圖案重復形式形成了一連串凹口。這些凹口以及孔53和墊51d形成了環(huán)49的旋轉對稱性的例外之處。
[0106]在這里描述的實施例中，在作為環(huán)49的附裝部件的內(nèi)壁51b中制造翅片51g。這便于制造。在一個變型中，翅片51g制造在側壁19中。
[0107]一般來說，翅片51g的形狀和尺寸使得設置有翅片51g的環(huán)49的內(nèi)表面在腔室4中具有較大的接觸表面面積(在這里，與腔室4中的氣體接觸的表面面積)。翅片51g的其中一個功能是作為熱交換翅片。這種接觸表面改善了環(huán)49和腔室4的內(nèi)部之間的熱交換。翅片51g的形狀和尺寸被進一步選擇成避免支撐件5和環(huán)49之間的接觸。翅片51g給予了環(huán)49的內(nèi)壁51b并因而給予了側壁19比沒有翅片的類似構造更大的自由表面。在操作時，翅片49保持低于沒有冷卻翅片的類似環(huán)的溫度。例如，翅片51g使得可以使環(huán)49保持低于300°C的溫度。這種溫度限制了環(huán)49的軟化，以及環(huán)49的表面上的意外沉積物。
[0108]這種溫度調(diào)節(jié)使得可以限制與環(huán)49和側壁19接觸的反應氣體的意外反應。由這種反應導致的固體沉積物被限制。
[0109]環(huán)49由于翅片51g而產(chǎn)生的冷卻在凈化氣體流200與翅片51g接觸地循環(huán)時更有效。這甚至由于附加部件101而更為有效，附加部件101使得可以