用于控制氣流模式的處理腔室設備、系統(tǒng)及方法【專利說明】[0001]相關申請[0002]此申請請求W下優(yōu)先權:美國專利申請第14/091，111號，于2013年11月26日申請，且名稱為'中ROCESSCHAMB邸APPARATUS,SYSTEMS,ANDMET冊DSFORCONTROLLINGAGAS化OWPATTERN"(事務所文件編號21363/USA);所述美國申請在此為所有目的通過引用結合在此。
技術領域：
[0003]本發(fā)明一般地設及電子裝置制造，且更具體地設及用于在處理腔室中控制處理氣體流動的閥設備、系統(tǒng)及方法?！?br>背景技術：
】[0004]常規(guī)電子裝置制造系統(tǒng)可包含一個或多個處理腔室，所述處理腔室經(jīng)配置W執(zhí)行任何數(shù)量的基板處理，所述基板處理包含例如脫氣、預清潔或清潔、沉積(例如化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)，和/或原子層沉積）、涂層、氧化、硝化、蝕刻(例如，等離子體蝕刻)及類似處理?；蹇蔀榘雽w晶片、玻璃板或面板，和/或其它用來制作電子裝置或電路部件的工件。基板可通過狹縫閥轉移進和轉移出處理腔室。一旦基板正確地定位于處理腔室內，所述狹縫閥可被關閉，且所述基板的所述處理可W開始。作為所述處理的一部分，特定的處理氣體被引入至所述處理腔室中。在某些狀況下，在所述處理腔室中的所述氣流可能不均勻，運可能導致所不期望的非均勻處理（例如，非均勻蝕刻、沉積，和/或類似處理）。在處理腔室中控制氣流的各種方法是已知的，例如使用多個入流導管及閥。然而，運樣的氣流控制系統(tǒng)傾向于復雜且昂貴，并且仍無法充分解決不均勻的氣流。[0005]因此，用于調整處理腔室中的氣流模式(例如，氣流速率與均勻性)的改善設備、系統(tǒng)及方法是所期望的。【
發(fā)明內容】[0006]依據(jù)第一方面，處理腔室氣流控制設備被提供。所述處理腔室氣流控制設備包括：處理腔室，所述處理腔室經(jīng)配置W在處理腔室中處理基板，所述處理腔室具有排氣口；W及閥，所述閥經(jīng)配置W密封所述排氣口且經(jīng)配置W相對于所述排氣口在X、Y及Z方向上移動，W調整在所述處理腔室內的氣流模式。[0007]依據(jù)第二方面，電子裝置制造系統(tǒng)被提供。所述電子裝置制造系統(tǒng)包括:處理腔室，所述處理腔室經(jīng)配置W在處理腔室中處理基板，所述處理腔室具有排氣口；處理氣體入口，所述處理氣體入口禪接至所述處理腔室且經(jīng)配置W引導處理氣體進入所述處理腔室；W及閥，所述閥經(jīng)配置W密封所述排氣口且經(jīng)配置W相對于所述排氣口在X、Y及Z方向上移動，W調整在所述處理腔室內的氣流模式。[000引依據(jù)第=方面，調整處理腔室內處理氣體流動的方法被提供。所述方法包括:提供具有排氣口的處理腔室；提供閥，所述閥經(jīng)配置W密封所述排氣口且經(jīng)配置W相對于所述排氣口在X、Y及Z方向上移動；W及通過在所述X、Y及Z方向中的一個或多個方向上移動所述閥而調整在所述處理腔室中的氣流模式。[0009]還有本發(fā)明的【具體實施方式】的其它方面、特征及優(yōu)點將從W下詳細描述中顯而易見，其中多個示例性【具體實施方式】及實作被描述和示出，包含實現(xiàn)本發(fā)明所設想的最佳模式。本發(fā)明也可包含其它且不同的【具體實施方式】，且本發(fā)明的多個細節(jié)可在均不背離本發(fā)明的范圍下于各種方面中進行改良。因此，所述附圖及描述實質上應被視為示例性的而非限制性的。本發(fā)明涵蓋所有落入本發(fā)明范圍內的改良、等效形式及替代形式。【附圖說明】[0010]W下描述的所述附圖僅用于示例性的目的且不必需按比例繪制。所述附圖并不旨在W任何方式限制本公開內容的所述范圍。[0011]圖1依據(jù)【具體實施方式】，示出了電子裝置制造系統(tǒng)的截面?zhèn)纫晥D，所述電子裝置制造系統(tǒng)包含具有閥的處理腔室氣流控制設備，所述閥經(jīng)配置W在所述X、Y及Z方向上移動。[0012]圖2A至2B依據(jù)【具體實施方式】，示出了第一處理腔室氣流控制設備的簡化透視圖。[0013]圖2C至2E依據(jù)【具體實施方式】，示出了第一處理腔室氣流控制設備的簡化頂部、截面?zhèn)冗?，及分解透視圖。[0014]圖3A至3C依據(jù)【具體實施方式】，示出了第二處理腔室氣流控制設備的簡化透視頂部，及截面?zhèn)冗呉晥D。[0015]圖4A至4D依據(jù)【具體實施方式】，示出了第S處理腔室氣流控制設備的簡化透視頂部、截面?zhèn)冗叄皞纫暿疽鈭D。[0016]圖5A至加依據(jù)【具體實施方式】，示出了排氣口閥在所述X和/或Y方向上的示例性移動的簡化頂視圖。[0017]圖祀至5F依據(jù)【具體實施方式】，示出了排氣口閥在所述Z和X方向上的示例性移動的簡化截面?zhèn)纫晥D。[0018]圖6依據(jù)【具體實施方式】，示出了調整在處理腔室內的處理氣體流動的方法的流程圖?！揪唧w實施方式】[0019]現(xiàn)將參照本公開內容的示例性【具體實施方式】進行詳細介紹，所述【具體實施方式】在所述附圖中示出。只要有可能，相同參考數(shù)字將在整個所述附圖中被用W指代相同或類似的部件。[0020]電子裝置制造系統(tǒng)可使用處理腔室內的壓力控制W控制處理速率或其它處理參數(shù)。已知的處理腔室氣流控制設備通常包含處理氣體入口，通過所述處理氣體入口，處理氣體可供應至所述腔室。所述處理氣體入口可位于所述處理腔室的頂部。氣體排氣口通常位于所述處理腔室的側邊上，與所述處理氣體入口相對，例如，舉例而言，在所述處理腔室的底部。合適的累，例如滿輪累，可位于鄰近所述排氣口或位于所述排氣口下方。已知的處理腔室氣流控制設備通常包含排氣口閥，所述排氣口閥可通過朝向及遠離所述口線性移動(例如，對于底部排氣口，在此定義為所述Z方向的上和下）而密封和開啟所述排氣口。所述排氣口閥在所述Z方向上的定位調整可被用W調節(jié)腔室壓力和/或控制所述整體氣流速率。然而，運樣的處理腔室氣流控制設備可能經(jīng)受所不期望的在所述處理腔室內的不均勻氣流模式。運些不均勻氣流模式可能造成不均勻的處理或其它問題，例如不均勻沉積、不均勻蝕亥Ij，W及類似問題。[0021]依據(jù)一個或多個【具體實施方式】的處理腔室氣流控制設備可被提供，W改善處理腔室內的氣流模式的控制。運樣的處理腔室氣流控制設備可包含排氣口閥，所述排氣口閥經(jīng)配置W密封所述處理腔室的排氣口并相對于所述排氣口而在所述X、Y及Z方向上移動。所述排氣口閥在所述X、Y及Z方向上的移動可產(chǎn)生在所述閥與所述排氣口之間的用W調整所述處理腔室內的氣流模式的各種尺寸及位置的開口。換句話說，通過利用在所述X、Y及Z方向中的一個或多個方向上的所述閥的選擇性移動改變排氣口開口的所述尺寸及位置，所述處理腔室內的所述氣流模式可如所期望地變換和/或調整。所述X及Y方向被定義為在平行于所述排氣口的平面中，而所述Z方向被定義為垂直于所述排氣口，正如將在附圖中示出的W及在W下更詳細地解釋的。[0022]在一個方面中，用于處理腔室氣流控制的設備可包含多個致動器、禪接至所述多個致動器的支撐臂組件、W及禪接至所述多個致動器之一和排氣口閥的滑動構件，且所述滑動構件經(jīng)配置W調整所述排氣口的中屯、與轉動軸之間的偏移。此配置可允許所述排氣口閥相對于處理腔室的排氣口在所述X、Y和/或Z方向上移動。[0023]在另一個方面中，用于處理腔室氣流控制的設備可包含:多個線性致動器，所述線性致動器經(jīng)配置W在所述Z方向上移動排氣口閥；至少一個旋轉致動器，所述旋轉致動器經(jīng)配置W在所述X及Y方向上移動所述排氣口閥；W及多個可旋轉關節(jié)臂（rotatable-jointarm),每個可旋轉關節(jié)臂禪接至所述排氣口閥及所述多個線性致動器中相應的一個。所述多個可旋轉關節(jié)臂中的一個可禪接至所述旋轉致動器。此配置可允許所述閥相對于處理腔室的排氣口在所述X、Y和/或Z方向上移動。[0024]在一個進一步的方面中，用于處理腔室氣流控制的設備可包含具有第一端和第二端的臂，所述第一端在偏移所述閥的中屯、的位置可旋轉地禪接至排氣口閥，且所述第二端可旋轉地禪接至致動器。所述臂可經(jīng)配置W通過在所述第二端上的連接器而在所述Z方向上線性移動，且伴隨在所述第一和第二端的旋轉移動，所述臂可經(jīng)配置W相對于處理腔室的排氣口在所述X、Y和/或Z方向上移動所述閥。[0025]W上示出W及描述各種方面的示例性【具體實施方式】的進一步細節(jié)，W及包含調整處理腔室內的處理氣體流動的方法在內的其它方面將在W下連同圖1-6進行更詳細地解釋。[0026]圖1依據(jù)一個或多個【具體實施方式】示出了電子裝置制造系統(tǒng)100。電子裝置制造系統(tǒng)100可經(jīng)配置W處理單一個基板或同時處理二個或更多個基板?；蹇蔀榘雽w晶片、玻璃板或面板，和/或其它用來制作電子裝置和/或電路部件的工件。一個或多個基板處理，例如脫氣、清潔或預當前第1頁1 2 3 4