背景技術(shù)：
：半導(dǎo)體納米材料由于其獨(dú)特的物理特性，在各種光電器件上有很廣泛的應(yīng)用前景。直接帶隙半導(dǎo)體ZnO，帶隙能為3.37 eV，大的結(jié)合能為60 meV，具有重要的應(yīng)用前景，是構(gòu)造異質(zhì)結(jié)或超晶格的物質(zhì)，可以獲得高性能的激光二極管和光發(fā)射二極管裝置，因而引起了廣泛的關(guān)注。各種形貌的ZnO已經(jīng)被成功的制備出，如：納米線，納米帶，納米管，納米環(huán)等等。由于納米材料具有微小的尺度，不易操作等特點(diǎn)，造成納米器件的組裝成本非常的高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
：本實(shí)用新型的目的是提供成本較低、可控性好的氣相沉積制備單晶Ag摻雜氧化鋅六方微米管的裝置，本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的，它是由管式電阻爐、陶瓷舟、硅片和石英管組成，在管式電阻爐的中間有石英管，石英管的高溫區(qū)放置有陶瓷舟，石英管較低的溫區(qū)放有硅片。

所述的陶瓷舟，其內(nèi)有反應(yīng)前驅(qū)體。

本實(shí)用新型的意義是：本裝置工藝簡(jiǎn)單，對(duì)設(shè)備要求低，可控程度高，是單晶摻雜氧化鋅六方微米管制備好裝置。

附圖說(shuō)明：圖1為氣相沉積制備單晶Ag摻雜氧化鋅六方微米管的裝置示意圖，圖中1、管式電阻爐 2、陶瓷舟 3、 硅片 4、石英管 5、反應(yīng)前驅(qū)體。

具體實(shí)施方式：

實(shí)施例1、本實(shí)用新型是由管式電阻爐1、陶瓷舟2、硅片3和石英管4組成，在管式電阻爐1的中間有石英管4，石英管4的高溫區(qū)放置有陶瓷舟2，石英管4較低的溫區(qū)放置有硅片3。

實(shí)施例2、所述的陶瓷舟2，其內(nèi)有反應(yīng)前驅(qū)體5。