[0125]熔融玻璃的冷卻結(jié)束粘度為log η = 4.2 (dPa.s)，降溫速度為50°C /分鐘。
[0126](實施例4)
[0127]實施例4中，冷卻開始位置(LI)處的熔融玻璃的粘度為1gn = 3.6 (dPa.s)。熔融玻璃100的冷卻與實施例1相同。
[0128]熔融玻璃的冷卻結(jié)束粘度為log η = 4.0 (dPa.s)，降溫速度為100°C /分鐘。
[0129](實施例5)
[0130]實施例5中，冷卻開始位置(LI)處的熔融玻璃的粘度為1gn = 3.4(dPa.s)。熔融玻璃100的冷卻與實施例1相同。
[0131]熔融玻璃的冷卻結(jié)束粘度為log η = 4.2 (dPa.s)，降溫速度為200°C /分鐘。
[0132](實施例6)
[0133]實施例6中，冷卻開始位置(LI)處的熔融玻璃的粘度為log η = 3.4(dPa.s)。
[0134]熔融玻璃100的冷卻使用了圖9所示的冷卻輥320。冷卻輥320使用了 SUS304。冷卻輥320的溫度為600°C。
[0135]熔融玻璃的冷卻結(jié)束粘度為log η = 4.2 (dPa.s)，降溫速度為250°C /分鐘。
[0136](實施例7)
[0137]實施例7中，冷卻開始位置(LI)處的熔融玻璃的粘度為1gn = 3.6 (dPa.s)。
[0138]熔融玻璃100的冷卻使用了控制圖10所示的熔融錫2000的溫度的方法。浮槽1300的全長為約10m，在LI = Im的位置設(shè)置堰堤2100，在L2 = 4m的位置設(shè)置堰堤2200。將被堰堤2100和堰堤2200包圍的區(qū)域的熔融錫2000的溫度控制為500°C。其它區(qū)域的熔融錫2000的溫度為600 °C。
[0139]熔融玻璃的冷卻結(jié)束粘度為log η = 4.2 (dPa.s)，降溫速度為50°C /分鐘。
[0140](實施例8)
[0141]實施例8中，冷卻開始位置(LI)處的熔融玻璃的粘度為1gn = 3.65 (dPa.s)。熔融玻璃100的冷卻與實施例1相同。
[0142](比較例I)
[0143]比較例I中，冷卻開始位置(LI)處的熔融玻璃的粘度為1gn = 3.6 (dPa.s)。熔融玻璃100的冷卻與實施例1相同。
[0144]熔融玻璃的冷卻結(jié)束粘度為log η = 3.9 (dPa.s)，降溫速度為50°C /分鐘。
[0145](比較例2)
[0146]比較例2中，冷卻開始位置(LI)處的熔融玻璃的粘度為1gn = 3.7 (dPa.s)。熔融玻璃100的冷卻與實施例1相同。
[0147]熔融玻璃的冷卻結(jié)束粘度為log η = 4.0 (dPa.s)，降溫速度為50°C /分鐘。
[0148](比較例3)
[0149]比較例3中，冷卻開始位置(LI)處的熔融玻璃的粘度為1gn = 3.6 (dPa.s)。熔融玻璃100的冷卻與實施例1相同。
[0150]熔融玻璃的冷卻結(jié)束粘度為log η = 4.0 (dPa.s)，降溫速度為40°C /分鐘。
[0151](比較例4)
[0152]比較例4中，冷卻開始位置(LI)處的熔融玻璃的粘度為1gn = 5.5 (dPa.s)。熔融玻璃100的冷卻與實施例1相同。
[0153]熔融玻璃的冷卻結(jié)束粘度為log η = 6.8 (dPa.s)，降溫速度為200°C /分鐘。
[0154]使用由上述實施例1-8和比較例1-4得到的玻璃基板，基于圖6所示的流程圖制造磁記錄介質(zhì)。作為用于磁記錄層的磁性材料，使用Fe-Pt合金作為適合于熱輔助記錄用的磁性層材料，實施600°C X I小時的熱處理，完成磁記錄介質(zhì)。
[0155]<讀取錯誤次數(shù)的測定>
[0156]將使用由上述實施例1-8和比較例1-4得到的玻璃基板制造的磁記錄介質(zhì)搭載于圖1所示的信息記錄裝置中，測定以15000rpm工作時的讀取錯誤次數(shù)，進行其評價。將其結(jié)果不于圖12。
[0157]在各實施例以及各比較例中對100枚進行評價，讀取錯誤次數(shù)的總數(shù)分別示于圖
12。錯誤次數(shù)為O?2次時評價為“A”，錯誤次數(shù)為3?5次時評價為“B”，錯誤次數(shù)為6次以上時評價為“F”。利用SEM-EDX (能量色散型X射線分光法)對錯誤發(fā)生部位進行了分析，結(jié)果由發(fā)生了錯誤的所有磁盤確認到錫(Sn)。
[0158]由圖12所示的實施例1-實施例8的評價結(jié)果可以確認:冷卻開始位置處的恪融玻璃的粘度為1gn =3.6 (dPa.s)以下，在上述恪融玻璃的粘度達到log η =
4.0 (dPa.s)以下的期間，可以以50°C /分鐘以上的速度進行冷卻。
[0159]比較例I中，結(jié)束粘度過低，為log η = 3.9 (dPa.s)，因此冷卻結(jié)束后錫(Sn)的擴散也進行。比較例2中，開始粘度過高，為logri =3.7(dPa*s)，因此錫(Sn)的擴散已經(jīng)進行。比較例3中，降溫速度慢，為40°C/分鐘，因此無法充分抑制錫(Sn)的擴散。比較例4中，開始粘度過高，為1gn = 5.5(dPa.s)，因此錫(Sn)的擴散已經(jīng)進行。
[0160]以上，根據(jù)本實施方式中的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，在浮法中的浮槽的工序中通過抑制熔融玻璃的下表面的錫(Sn)的擴散，能夠提高用于熱輔助的磁記錄介質(zhì)的SNR品質(zhì)。
[0161]本次公開的實施方式和實施例在所有方面均為例示，應(yīng)當認為并無限制。本發(fā)明的范圍并非由上述說明示出，而是由權(quán)利要求書示出，包括與權(quán)利要求書均等的含義和范圍內(nèi)的所有變更。
[0162]符號的說明
[0163]I玻璃基板、2、3主表面、4內(nèi)周端面、5，15孔、6外周端面、10信息記錄介質(zhì)、12壓縮應(yīng)力層、14磁記錄層、20殼體、21磁頭滑塊、22懸架、23臂、24垂直軸、25音圈、26音圈電機、27夾緊部件、28固定螺絲、30信息記錄裝置、100熔融玻璃、320冷卻輥、1100熔解槽、1200澄清槽、1300浮槽、1400除冷管線、2000熔融錫、3100鼓風(fēng)機、2100，2200堰堤、2300溫度控制單元。
【主權(quán)項】
1.一種信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，該制造方法利用了浮法，其中，按照熔解槽、澄清槽、浮槽和除冷管線的順序，在所述熔解槽中將玻璃原料制成熔融玻璃，使所述熔融玻璃通過所述澄清槽、所述浮槽和所述除冷管線，成型為平板玻璃， 在所述浮槽內(nèi)，通過加熱而熔融的熔融錫的表面浮有所述熔融玻璃， 所述熔融玻璃在粘度1gn = 4.0 (dPa.S)時的溫度為IlOOcC以上， 所述澄清槽的內(nèi)部溫度為所述熔融玻璃的液相溫度以上， 該制造方法包括在所述浮槽中以50°C /分鐘以上的降溫速度冷卻所述熔融玻璃的工序， 冷卻所述熔融玻璃的工序中從所述熔融玻璃流入所述浮槽的內(nèi)部的位置起在所述熔融玻璃的流動方向至少領(lǐng)先50cm以上的冷卻開始位置開始所述熔融玻璃的冷卻， 所述冷卻開始位置處的所述熔融玻璃的粘度為log n =3.6(dPa*s)以下，對所述熔融玻璃的粘度達到1gn =4.0(dPa*s)以下為止的期間以50°C/分鐘以上的速度進行冷卻。2.如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，其中，冷卻所述熔融玻璃的工序中向所述熔融玻璃噴吹氣體。3.如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，其中，冷卻所述熔融玻璃的工序中使固體與所述熔融玻璃接觸。4.如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，其中，冷卻所述熔融玻璃的工序中對所述浮槽中的所述熔融錫的溫度進行控制。5.如權(quán)利要求1?4中任一項所述的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，其中，所述信息記錄介質(zhì)用玻璃基板是用于熱輔助的玻璃基板。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種利用浮法的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，在浮槽(1300)內(nèi)，通過加熱而熔融的熔融錫的表面浮有熔融玻璃，熔融玻璃在粘度logη＝4.0(dPa·s)條件下的溫度為1100℃以上，澄清槽的內(nèi)部溫度為熔融玻璃的液相溫度(TL)以上，該制造方法包括在浮槽(1300)中以50℃/分鐘以上的降溫速度冷卻熔融玻璃的工序，該冷卻熔融玻璃的工序從熔融玻璃流入浮槽內(nèi)部的位置起在熔融玻璃的流動方向至少領(lǐng)先50cm以上的冷卻開始位置開始熔融玻璃的冷卻，冷卻開始位置處的熔融玻璃的粘度為logη＝3.6(dPa·s)以下，在熔融玻璃的粘度達到logη＝4.0(dPa·s)以上為止的期間，以50℃/分鐘以上的速度進行冷卻。
【IPC分類】C03B18/18, C03B18/02, G11B5/84
【公開號】CN105008293
【申請?zhí)枴緾N201480009973
【發(fā)明人】梶田大士
【申請人】Hoya株式會社
【公開日】2015年10月28日
【申請日】2014年4月25日
【公告號】WO2014178354A1