加到該板上2分鐘，接著用去離子水沖 洗板30秒；
[006引 8.在50°C下，將各個(gè)板浸潰在0. 25M的次憐酸鋼還原劑溶液中90秒，接著用去離 子水沖洗20秒；
[0064] 9.在52°C下，將該板浸潰在CIRCUPOSITTm4500化學(xué)鍛覆銅浴中5分鐘，W將銅鍛 覆在板的通孔壁上；
[006引10.在鍛覆銅后，將板用流動的自來水流沖洗4分鐘。
[0066] 將每個(gè)板在與通孔的中屯、盡可能最近的位置進(jìn)行橫切W暴露出鍛覆銅的壁。將與 通孔的中屯、不超過3mm厚的橫切面從每個(gè)板上取下W確定通孔壁的覆蓋度。使用歐洲背光 分級量表（TheliuropeanBackli曲tGradingScale)。將來自各個(gè)板的橫切面放置在傳統(tǒng) 的50X放大率并在樣品后面有一光源的光學(xué)顯微鏡下面。銅沉積物的質(zhì)量由顯微鏡下透射 過樣品的的可見光的量來確定。透射光只是在鍛覆通孔區(qū)域內(nèi)是可見的，該區(qū)域?yàn)椴煌暾?的化學(xué)鍛覆蓋。如果沒有光透射過且部分出現(xiàn)全黑，則在背光級別的評級為5,表示通孔壁 具有完全的銅覆蓋。如果光通過整個(gè)區(qū)域沒有任何黑暗區(qū)域，則表明在壁上金屬銅沉積非 常小至沒有沉積，該部分的評級為0。如果部分有一些黑暗區(qū)域W及亮的區(qū)域，則將其評為 0和5之間。最少給每塊板檢查和評定10個(gè)通孔。
[0067] 圖1展示的是背光等級分布圖形，其顯示了對各個(gè)鍛覆板使用具有離子催化劑的 調(diào)節(jié)劑的背光性能。該圖形中的圖表明每塊板上橫切10個(gè)通孔的背光等級為95%的可信 區(qū)間。通過每個(gè)圖的中間的水平線表示每組所測量的10個(gè)通孔部分的平均背光值。其中 包括共聚物2的調(diào)節(jié)劑有通孔壁覆蓋度，R0P性能和銅形態(tài)的整體最佳組合。
[006引實(shí)施例3
[0069]使用實(shí)施例1表格中共聚物1-8的調(diào)節(jié)劑，對具有多個(gè)通孔的4層或8層包覆銅 的測試板進(jìn)行化學(xué)鍛覆銅的覆蓋度的對比，其中該板由NP-175,370皿，TUC-752,TUC-662， SY-1141，SY-1000-2,ΙΤ-158,NPG-150,和lT-180層壓材料組成。調(diào)節(jié)劑溶液的制備如實(shí) 施例2的描述。每塊板為5cmX12cm并處理如下：
[0070] 在75°C下，將各個(gè)銅包覆的板浸入CIRCUP0S口TMMLBConditioner211溶劑溶脹 溶液中2分鐘，然后用流動的自來水沖洗2分鐘；
[0071] 1.在80°C下，將板浸潰在CIRCUP0S口TMMLBPromoter3308高儘酸鹽溶液中3分 鐘，然后用流動的自來水沖洗2分鐘；
[0072] 2.在室溫下，將各個(gè)板浸潰在3%的硫酸，3%的過氧化氨的含水中和劑溶液中1 分鐘，接著用流動的自來水沖洗2分鐘；
[007引 3.在60°C下，將板浸潰在8個(gè)共聚物調(diào)節(jié)劑溶液中的一個(gè)中90秒時(shí)間，然后用流 動的自來水沖洗2分鐘；
[0074] 4.然后，在室溫下，將板用1%硫酸和75g/L過硫酸鋼溶液進(jìn)行40秒蝕刻，隨后用 去離子水沖洗1分鐘；
[00巧]5.在室溫下，將各個(gè)板浸入Ig/L碳酸鐘堿性預(yù)浸液中30秒；
[0076] 6.使用硝酸將抑值調(diào)節(jié)到9. 5的2(K)ppm鈕離子，225卵m的6-徑基-2,4-二甲 基化嗦和Ig/L的碳酸鐘的含水離子催化劑在40°C下施加到該板上2分鐘，接著用去離子水 沖洗板30秒；
[0077] 7.在50°C下，將各個(gè)板浸潰在0. 25M的次憐酸鋼還原劑溶液中90秒，接著用去離 子水沖洗20秒；
[007引 9.在52°C下，將該板浸潰在CIRCUPOSITTm4500化學(xué)鍛覆銅浴中5分鐘，W將銅鍛 覆在板的通孔壁上；
[0079] 10.在鍛覆銅后，將板用流動的自來水流沖洗4分鐘。
[0080]圖2顯示了每個(gè)板的形態(tài)。在所有鍛覆的層壓材料中觀察到從良好到非常輕微的 粗糖形態(tài)。用50X放大率的傳統(tǒng)光學(xué)顯微鏡檢查該板的R0P。
[0081] 如實(shí)施例2的描述，將每個(gè)板在與通孔的中屯、盡可能最近的位置進(jìn)行橫切W暴露 出鍛覆銅的壁。使用歐洲背光分級量表（TheliuropeanBackli曲tGradingScale)。將 來自各個(gè)板的橫切面放置在傳統(tǒng)的50X放大率并在樣品后面有一光源的光學(xué)顯微鏡下面。 如實(shí)施例2的描述，銅沉積物的質(zhì)量由顯微鏡下透射過樣品的的可見光的量來確定。圖2 展示的是背光等級分布圖形，其顯示了對各個(gè)鍛覆板使用具有離子催化劑的調(diào)節(jié)劑的光性 能。該圖形中的圖表明每塊板上橫切10個(gè)通孔的背光等級為95%的可信區(qū)間。。雖然所有 的共聚物均具有整體良好的通孔壁覆蓋，R0P性能和銅形態(tài)，但是其中包括調(diào)節(jié)劑的共聚物 2具有最佳的整體性能。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種共聚物，所述共聚物含有一種或多種二縮水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物和一 種或多種非芳族多胺的反應(yīng)產(chǎn)物。2. 權(quán)利要求1的共聚物，其中該一種或多種二縮水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物包含 通式：其中&，R2, R3, R4, 1?5和1?6可以相同或不同，并選自Η ;線性或支化的，取代或未取代的 (C「C6)烷基;m是1至6的整數(shù)，η為1至20的整數(shù)。3. 權(quán)利要求1的共聚物，其中該一種或多種非芳族多胺選自脂族多胺和脂環(huán)族多胺。4. 權(quán)利要求1的共聚物，其中的一種或多種非芳族多胺包含下式：其中R7,馬和R9獨(dú)立地選自Η ;線性或支化的，取代或未取代的（CVQ。）烷基胺；線性 或支化的，取代或未取代的（CfCj烷基；具有如下通式的部分：其中，&。和R15各自獨(dú)立地選自Η ;線性或支化的，取代或未取代的（Ci-Ci。）烷基；線性 或支化的，取代或未取代的（CfCj烷基胺基；并且，條件是如果化合物II和III的氮原子 是叔氮，則R7, 1?8和1?9中的至少一個(gè)包含具有兩個(gè)或多個(gè)伯氮原子、仲氮原子，或伯和仲氮 原子組合的取代基團(tuán)；q，r和t可以相同或不同，且為1到10的整數(shù)。5. -種組合物，所述組合物包含一種或多種二縮水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物和一 種或多種非芳族多胺的反應(yīng)產(chǎn)物；以及一種或多種有機(jī)溶劑。6. 權(quán)利要求5的組合物，其中該一種或多種二縮水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物具有 以下通式：其中&，R2, R3, R4, 1?5和1?6可以相同或不同，并選自Η ;線性或支化的，取代或未取代的 (C「C6)烷基;m是1至6的整數(shù)，η為1至20的整數(shù)。7. 權(quán)利要求5的組合物，其中該一種或多種非芳族多胺選自脂族多胺和脂環(huán)族多胺。8. 權(quán)利要求6的組合物，其進(jìn)一步包含一種或多種添加劑。9. 權(quán)利要求8的組合物，其中該一種或多種添加劑選自有機(jī)溶劑，表面活性劑和pH調(diào) 節(jié)劑。10. -種方法，所述方法包括： a) 提供一種包含電介質(zhì)的基材； b) 將基材與包含一種或多種二縮水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物和一種或多種非芳 族多胺的反應(yīng)產(chǎn)物的組合物接觸； c) 將催化劑施加到該基材上，和 d) 化學(xué)鍍覆該基材。11. 權(quán)利要求10的方法，其中該催化劑是一種離子催化劑。12. 權(quán)利要求10的方法，其中該基材進(jìn)一步包括多個(gè)通孔，通道或它們的組合。
【專利摘要】二縮水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物和非芳族多胺的共聚物。提供了一種共聚物，所述共聚物含有一種或多種二縮水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物和一種或多種非芳族多胺的反應(yīng)產(chǎn)物。二縮水甘油基醚封端的聚硅氧烷化合物和非芳族多胺共聚物用于制備化學(xué)鍍覆金屬(electroless？metal？plating)的介電材料。該共聚物可以用于制造印刷電路板，例如在化學(xué)鍍金屬化(electroless？metallization)之前清洗和調(diào)節(jié)通孔。
【IPC分類】C08G59/50, C08G59/30
【公開號】CN105330821
【申請?zhí)枴緾N201510470297
【發(fā)明人】J·科茹霍, Z·I·尼亞齊比托瓦, K·M·米魯姆
【申請人】羅門哈斯電子材料有限公司
【公開日】2016年2月17日
【申請日】2015年5月26日
【公告號】EP2949715A1, US20150342063, US20160102404