具有低結(jié)晶度的可熔融加工的乙烯基氟化物共聚體的制作方法
【專利說明】具有低結(jié)晶度的可膝融加工的乙烯基氣化物共聚體 【背景技術(shù)】 技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本公開為氣化聚合物及其制備的領(lǐng)域，所述氣化聚合物包含具有低結(jié)晶度的可烙 融加工的乙締基氣化物共聚體。
[0002] 巧關(guān)領(lǐng)域的描沐
[0003] 聚乙締基氣化物（PVF)已被制備多年，并且已發(fā)現(xiàn)許多用途，如多種基底上的膜 或涂層。例如，已將PVF滲入光伏組件的背板中，其中它提供優(yōu)異的耐候性、機械性、電特性 和阻隔性。PVF中的氣原子是獲得運些特性的主要原因，并且可通過滲入具有較高氣含量 的單體，實現(xiàn)運些特性的進一步增強。提高聚合物氣含量的一種途徑是制備其中四氣乙締 燈陽）替代部分乙締基氣化物（V巧的共聚物。此類二聚物已在Coffman和化rd的美國專利 2,419,009(1947);Sianesi和Caporiccio的J.化lymerSci.部分A-l，6,（1968)335,和美 國專利3, 513, 116 (1970)中描述。另一種途徑報導(dǎo)于Stilmar的美國專利3, 531，441 (1970) 中，其描述了由VF、TFE和亞乙締基單體構(gòu)成的Ξ元共聚物和四元共聚物在非水介質(zhì)中的 制備，所述亞乙締基單體不具有與亞乙締基基團連接的芳族基團，也不具有與之連接的面 素基團。近來，具有低結(jié)晶度的乙締基氣化物共聚物和乙締基氣化物共聚體已被描述于 Uschold的美國專利 6, 242, 547 (2001)、6, 271，303 (2001)、和 6, 403, 740 (2002)中。Uschold 在US6, 242, 547中提出由VF和至少兩種高度氣化單體構(gòu)成的共聚體，其中高度氣化的單 體中的至少一種將具有至少一個碳原子的側(cè)鏈引入所述聚合物中。此類共聚體由于結(jié)晶度 降低而易于溶解在一些有機溶劑中。由該共聚體獲得的膜具有低表面張力。
[0004] 然而，在先前制得的VF共聚物中，由于VF共聚物中氣含量增加，所得樹脂往往具 有較低的分子間力（分子間內(nèi)聚能）和較低的臨界表面張力，導(dǎo)致對基底的粘附力下降。此 夕F，為了改善可加工性，需要降低VF共聚物的結(jié)晶度或分子量。此外，具有高VF含量的聚 合物由于PVF的熱分解在其約200°C烙點下發(fā)生，因此W前不由烙體加工（例如模制）。
【發(fā)明內(nèi)容】
陽〇化]在第一方面，可烙融加工的共聚體基本上由衍生自乙締基氣化物和至少兩種高度 氣化的單體的單元組成，高度氣化的單體中的至少一種將具有至少一個碳原子的側(cè)鏈引入 所述聚合物中。所述共聚體在280°c的溫度下具有約2至約250克每10分鐘范圍內(nèi)的烙體 流動速率。
[0006] 在第二方面，用于制備可烙融加工的共聚體的乳液聚合方法包括在約60至約 100°C范圍內(nèi)的溫度和約1至約12MPa范圍內(nèi)的壓力下，使乙締基氣化物和至少兩種高度氣 化的單體在具有水溶性自由基引發(fā)劑的水中聚合。W制備在28(TC的溫度下具有約2至約 250克每10分鐘范圍內(nèi)的烙體流動速率的共聚體的量，使用乙締基氣化物和至少兩種高度 氣化的單體。聚合在高壓蓋中實施。
[0007] W上綜述和下列【具體實施方式】僅是示例性和說明性的而不是對本發(fā)明進行限制， 本發(fā)明如所附權(quán)利要求中所限定。 【具體實施方式】
[0008] 定女
[0009] 在本文中使用下列定義來進一步定義和描述本公開。
[0010] 如本文所用，術(shù)語"包含"、"包括"、"含有"、"涵蓋"、"具有"、"帶有"或它們的任何 其它變型均旨在涵蓋非排它性的包括。例如，包括要素列表的工藝、方法、制品或設(shè)備不必 僅限于那些要素，而是可W包括未明確列出的或該工藝、方法、制品或設(shè)備所固有的其它要 素。此外，除非明確指明相反，"或"是指包含性的"或"而非排他性的"或"。例如，條件A或 B滿足下列中的任一項：A為真實的（或存在的）且B為虛假的（或不存在的），A為虛假的 (或不存在的）且B為真實的（或存在的），W及A和B均為真實的（或存在的）。 W11] 如本文所用，術(shù)語"一個（種）"包括"至少一個（種）"和"一個或多于一個（一 種或多于一種）"的概念。
[0012] 除非另外指明，否則所有百分數(shù)、份數(shù)、比率等均按重量計。
[0013] 當(dāng)使用術(shù)語"約"描述數(shù)值或范圍的端點時，本公開應(yīng)被理解為包括所指具體值或 端點。
[0014] 在本專利申請中，術(shù)語"片材"、"層"和"膜"在它們的廣義上可互換使用。"背板" 是光伏組件背離光源的一側(cè)上的片材、層或膜，并且一般來講是不透明的。"前板"是光伏組 件面向光源的一側(cè)上的片材、層或膜，并且一般來講是透明的。
[0015] 在第一方面，可烙融加工的共聚體基本上由衍生自乙締基氣化物和至少兩種高度 氣化的單體的單元組成，所述高度氣化的單體中的至少一種將具有至少一個碳原子的側(cè)鏈 引入所述聚合物中。所述共聚體在280°c的溫度下具有約2至約250克每10分鐘范圍內(nèi)的 烙體流動速率。
[0016] 在第一方面的一個實施例中，共聚體基本上由衍生自約20至約60摩爾％的乙締 基氣化物和約10至約60摩爾％的至少一種C2締控W及約1至約20摩爾％的高度氣化的 單體的單元組成，所述C2締控選自偏二氣乙締、四氣乙締、Ξ氣乙締、和氯Ξ氣乙締，所述高 度氣化的單體將具有至少一個碳原子的側(cè)鏈引入聚合物中。在更具體的實施例中，將具有 至少一個碳原子的側(cè)鏈引入聚合物中的高度氣化的單體選自高度氣化的乙締基酸、具有3 至10個碳原子的全氣締控、全氣Ci-Cs烷基乙締、和氣化的二氧雜環(huán)戊締。
[0017] 在第一方面的另一個實施例中，可烙融加工的共聚體基本上由乙締基氣化物、四 氣乙締、和具有3至10個碳原子的全氣締控組成。在更具體的實施例中，所述全氣締控為 六氣丙締。
[0018] 在第一方面的另一個實施例中，可烙融加工的共聚體基本上由乙締基氣化物、四 氣乙締和全氣Ci-Cs烷基乙締組成。在更具體的實施例中，所述全氣Ci-Cs烷基乙締為全氣 下基乙締。
[0019] 在第一方面的另一個實施例中，可烙融加工的共聚體基本上由乙締基氣化物、四 氣乙締、和全氣（烷基乙締基酸）組成。全氣（烷基乙締基酸）具有含有1至8個碳原子 的烷基基團。在更具體的實施例中，所述全氣（烷基乙締基酸）為全氣（乙基乙締基酸）。
[0020] 在第一方面的另一個實施例中，可烙融加工的共聚體包括共聚體與約60至約99 重量％的聚乙締基氣化物的共混物。
[0021] 在第一方面的另一個實施例中，可烙融加工的共聚體是基本上無規(guī)共聚體。
[0022] 在第一方面的另一個實施例中，可烙融加工的共聚體還包含離子末端基團。
[0023] 在第二方面，用于制備可烙融加工的共聚體的乳液聚合方法包括在約60至約 100°C范圍內(nèi)的溫度和約1至約12MPa范圍內(nèi)的壓力下，使乙締基氣化物和至少兩種高度氣 化的單體在具有水溶性自由基引發(fā)劑的水中聚合。W制備在28(TC的溫度下具有約2至約 250克每10分鐘范圍內(nèi)的烙體流動速率的共聚體的量，使用乙締基氣化物和至少兩種高度 氣化的單體。所述聚合在高壓蓋中實施。
[0024] 在第二方面的一個實施例中，所述高壓蓋為邸式高壓蓋。
[0025] 在第二方面的另一個實施例中，所述聚合還包括鏈轉(zhuǎn)移劑。在更具體的實施例中， 所述鏈轉(zhuǎn)移劑為低分子量的脂族控或低級醇。在另一個更具體的實施例中，所述低分子量 脂族控選自乙燒、丙烷、下燒和異下燒。在另一個更具體的實施例中，所述低級醇選自甲醇、 乙醇、丙醇和異丙醇。 陽0%] 在第二方面的另一個實施例中，乳液聚合的溫度在約80至約100°C范圍內(nèi)。
[0027] 在第二方面的另一個實施例中，所述壓力在約2. 1至約8. 3MPa，或約2. 8至約 4.IMPa范圍內(nèi)。
[0028] 在第Ξ方面，耐腐蝕性涂層包含可烙融加工的共聚體?？衫尤诩庸さ墓簿垠w基本 上由衍生自乙締基氣化物和至少兩種高度氣化的單體的單元組成，高度氣化的單體中的至 少一種將具有至少一個碳原子的側(cè)鏈引入所述聚合物中。所述共聚體在280°C的溫度下具 有約2至約250克每10分鐘范圍內(nèi)的烙體流動速率。
[0029] 在第四方面，可干燥噴霧的粉末包含可烙融加工的共聚體?？衫尤诩庸さ墓簿垠w 基本上由衍生自乙締基氣化物和至少兩種高種氣化的單體的單元組成，高度氣化的單體中 的至少一種將具有至少一個碳原子的側(cè)鏈引入所述聚合物中。所述共聚體在280°C的溫度 下具有約2至約250克每10分鐘范圍內(nèi)的烙體流動速率。
[0030] 許多方面和實施例已描述于上文中，并