半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的制作方法
【專利說明】
[0001] 本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2010年12月24日、申請(qǐng)?zhí)枮?01010621812.X、發(fā)明名稱為"半 導(dǎo)體背面用切割帶集成膜"的申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜用于保護(hù) 芯片形工件（例如半導(dǎo)體芯片）的背面和增強(qiáng)強(qiáng)度。此外，本發(fā)明涉及使用半導(dǎo)體背面用 切割帶集成膜的半導(dǎo)體器件和生產(chǎn)所述器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0003] 近年來，日益要求半導(dǎo)體器件及其封裝的薄型化和小型化。因此，作為半導(dǎo)體器 件及其封裝，已經(jīng)廣泛地利用其中將半導(dǎo)體芯片（芯片形工件）以該半導(dǎo)體芯片的電路面 與基板的電極形成面相對(duì)的形式固定至基板的那些（即，通過倒裝芯片接合生產(chǎn)的半導(dǎo)體 芯片，或倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件）。在此類半導(dǎo)體器件等中，在一些情況下半導(dǎo)體芯片 (芯片形工件）的背面用保護(hù)膜保護(hù)以抑制半導(dǎo)體芯片損壞（參見，例如，專利文獻(xiàn)1至 10)O
[0004] 專利文獻(xiàn)I:JP-A-2008-166451
[0005] 專利文獻(xiàn) 2 :JP-A-2008-006386
[0006] 專利文獻(xiàn) 3 :JP-A-2007-261035
[0007]專利文獻(xiàn)4 JP-A-2OO7-25O97O
[0008] 專利文獻(xiàn) 5 :JP-A-2007-158026
[0009]專利文獻(xiàn) 6 :JP-A-2004-221169
[0010] 專利文獻(xiàn) 7 :JP-A-2004-214288
[0011] 專利文獻(xiàn) 8 :JP-A_2〇04-14243〇
[0012] 專利文獻(xiàn) 9 :JP-A-2004-072108
[0013] 專利文獻(xiàn) 10 :JP-A-2004-063551

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014] 然而，將用于保護(hù)半導(dǎo)體芯片背面的背面保護(hù)膜粘貼至通過在切割步驟中切割半 導(dǎo)體晶片獲得的半導(dǎo)體芯片的背面導(dǎo)致增加粘貼步驟，以致步驟的數(shù)量增加和成本等增 加。此外，由于近年來的薄型化，在切割步驟后的半導(dǎo)體芯片的拾取步驟中，在一些情況下 可能損壞半導(dǎo)體芯片。因此，期望增強(qiáng)半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片直至拾取步驟。
[0015] 考慮到前述問題發(fā)明本發(fā)明，其目的在于提供從半導(dǎo)體晶片的切割步驟至半導(dǎo)體 芯片的倒裝芯片接合步驟均能夠利用的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。此外，本發(fā)明的另一 目的在于提供半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其能夠在半導(dǎo)體晶片的切割步驟中顯示優(yōu)良的 保持力，能夠在切割步驟后的拾取步驟中將通過切割形成的半導(dǎo)體芯片與倒裝芯片型半導(dǎo) 體背面用膜一起以優(yōu)良的拾取性從切割帶的壓敏粘合劑層剝離，并且在半導(dǎo)體芯片的倒裝 芯片接合步驟后能夠進(jìn)一步顯示優(yōu)良的外觀性。
[0016] 作為為解決上述常規(guī)問題進(jìn)行深入研究的結(jié)果，本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)，當(dāng)將倒裝芯片 型半導(dǎo)體背面用膜層壓在具有基材和壓敏粘合劑層的切割帶的壓敏粘合劑層上從而以集 成形式形成切割帶和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜并且進(jìn)一步將所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背 面用膜與切割帶的壓敏粘合劑層之間的剝離力（或粘合力）設(shè)定為特定值時(shí)，從半導(dǎo)體晶 片的切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟均能夠利用其中以集成形式形成切割帶 和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的層壓體（半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜），以及在半導(dǎo)體晶 片的切割步驟中能夠顯示優(yōu)良的保持力，在切割步驟后的拾取步驟中將通過切割形成的半 導(dǎo)體芯片與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起以優(yōu)良的拾取性從切割帶的壓敏粘合劑層剝 離，并且在半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟后能夠顯示優(yōu)良的外觀性，由此完成本發(fā)明。
[0017] 即，本發(fā)明提供半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括：
[0018] 切割帶，所述切割帶包括基材和形成于所述基材上的壓敏粘合劑層；和
[0019] 倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜形成于所述切割帶 的壓敏粘合劑層上，
[0020] 其中所述切割帶的壓敏粘合劑層與所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜之間的剝離 力（溫度： 23°C，剝離角：18〇°，拉伸速率：3〇Omm/min)為 0.〇5N/2〇mm至l.5N/2〇mm〇
[0021] 如上所述，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜以倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用 膜與具有基材和壓敏粘合劑層的切割帶集成的形式形成，并且切割帶的壓敏粘合劑層與 倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜之間的剝離力（溫度：23°C，剝離角：180°，拉伸速率：300mm/ min)為0.05N/20mm至1.5N/20mm。因此，在切割晶片（半導(dǎo)體晶片）時(shí)通過將半導(dǎo)體背面 用切割帶集成膜粘貼至工件（半導(dǎo)體晶片）上，能夠在保持工件的同時(shí)有效地切割工件。此 外，在切割工件以形成芯片形工件（半導(dǎo)體芯片）后，所述芯片形工件能夠與倒裝芯片型半 導(dǎo)體背面用膜一起以優(yōu)良的拾取性從切割帶的壓敏粘合劑層容易地剝離，以及能夠容易地 獲得背面受到保護(hù)的芯片形工件。此外，芯片形工件具有優(yōu)良的外觀性，這是因?yàn)榈寡b芯片 型半導(dǎo)體背面用膜以優(yōu)良的緊密粘合性粘貼至芯片形工件背面。自然，由于芯片形工件具 有形成于該背面上的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，因此背面標(biāo)識(shí)性是良好的。
[0022] 此外，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中，由于切割帶和倒裝芯片型 半導(dǎo)體背面用膜以如上所述的集成方式形成，因此在切割步驟前當(dāng)將切割帶粘貼至半導(dǎo)體 晶片背面時(shí)也能夠粘貼倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，因而單獨(dú)粘貼倒裝芯片型半導(dǎo)體背面 用膜的步驟（倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜粘貼步驟）不是必需的。此外，在隨后的切割步 驟和拾取步驟中，由于將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜粘貼在半導(dǎo)體晶片背面或通過切割形 成的半導(dǎo)體芯片背面上，因此能夠有效地保護(hù)半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片，因而在切割步驟 或隨后的步驟（拾取步驟等）中能夠抑制或防止半導(dǎo)體芯片的損壞。
[0023] 在本發(fā)明中，優(yōu)選將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜著色。當(dāng)將倒裝芯片型半導(dǎo)體背 面用膜著色時(shí)，不僅改進(jìn)激光標(biāo)識(shí)性而且能夠容易地將切割帶和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用 月旲相互區(qū)別，從而能夠提尚加工性等。
[0024] 此外，倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜優(yōu)選具有激光標(biāo)識(shí)性。本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用 切割帶集成膜可適合用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件。
[0025] 本發(fā)明還提供生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：
[0026] 將工件粘貼至上述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜上，
[0027] 切割所述工件以形成芯片形工件，
[0028] 將芯片形工件與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層剝離， 和
[0029] 將所述芯片形工件通過倒裝芯片接合固定至被粘物。
[0030] 此外，本發(fā)明進(jìn)一步提供倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件，其使用上述半導(dǎo)體背面用 切割帶集成膜制造，所述半導(dǎo)體器件包括芯片形工件和粘貼至所述芯片形工件背面的倒裝 芯片型半導(dǎo)體背面用膜。
[0031] 由于切割帶和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜以集成方式形成以及將切割帶的壓敏 粘合劑層與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜之間的剝離力設(shè)定為特定值，因此從半導(dǎo)體晶片的 切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟均能夠利用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集 成膜。具體地，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜在半導(dǎo)體晶片的切割步驟中能夠 顯示優(yōu)良的保持力，在切割步驟后的拾取步驟中能夠?qū)⑼ㄟ^切割形成的半導(dǎo)體芯片與倒裝 芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起以優(yōu)良的拾取性從切割帶的壓敏粘合劑層剝離，并且在半導(dǎo)體 芯片的倒裝芯片接合步驟期間及之后還能夠顯示優(yōu)良的外觀性。此外，在倒裝芯片接合步 驟等中，由于半導(dǎo)體芯片的背面用倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜保護(hù)，因此能夠有效抑制或 防止半導(dǎo)體芯片的破壞（breakage)、碎裂（chipping)和翹曲（warp)等。自然，在除了從半 導(dǎo)體芯片的切割步驟至倒裝芯片接合步驟的步驟之外的步驟中，本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切 割帶集成膜能夠有效地顯示其功能。
【附圖說明】
[0032] 圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的一個(gè)實(shí)施方案的橫截面 示意圖。
[0033] 圖2A-2D為示出使用根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件 的方法的一個(gè)實(shí)施方案的橫截面示意圖。
[0034] 附圖標(biāo)iP,說明
[0035] 1 :半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜
[0036] 2 :倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜
[0037] 3 :切割帶
[0038] 31 :基材
[0039] 32 :壓敏粘合劑層
[0040] 4 :半導(dǎo)體晶片（工件）
[0041] 5 :半導(dǎo)體芯片（芯片形工件）
[0042] 51 :在半導(dǎo)體芯片5的電路面形成的凸塊（bump)
[0043] 6 :被粘物
[0044] 61 :粘合至被粘物6的連接墊（connectingpad)的連結(jié)用導(dǎo)電性材料
【具體實(shí)施方式】
[0045] 參考圖1描述本發(fā)明的實(shí)施方案，但本發(fā)明不限于該實(shí)施方案。圖1為示出根據(jù) 本發(fā)明半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的一個(gè)實(shí)施方案的橫截面示意圖。在圖1中，1為半導(dǎo)體 背面用切割帶集成膜（下文中有時(shí)也稱作"切割帶集成的半導(dǎo)體背面保護(hù)膜"、"具有切割帶 的半導(dǎo)體背面用膜"或"具有切割帶的半導(dǎo)體背面保護(hù)膜"），2為倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用 膜（下文中有時(shí)稱作"半導(dǎo)體背面用膜"或"半導(dǎo)體背面保護(hù)膜"），3為切割帶，31為基材， 32為壓敏粘合劑層。
[0046] 此外，在本說明書的附圖中，沒有給出不需要描述的部分，為了容易描述，存在通 過放大、縮小等示出的部分。
[0047] 如圖1所示，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1具有以下構(gòu)造：在包括基材31和在基 材31上形成的壓敏粘合劑層32的切割帶3的壓敏粘合劑層32上形成半導(dǎo)體背面用膜2。 半導(dǎo)體背面用膜2具有以下特性在溫度為23°C、剝離角為180°和拉伸速率為300mm/min 的測(cè)量條件下，切割帶3的壓敏粘合劑層32與半導(dǎo)體背面用膜2之間的剝離力（粘合力或 壓敏粘合力）為〇. 〇5N/20mm至I. 5N/20mm。在這點(diǎn)上，在直至將半導(dǎo)體背面用膜2的表面 (要粘貼至晶片背面的表面）粘貼至晶片背面的期間內(nèi)其可用隔離體等保護(hù)。
[0048] 此外，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜可以具有在切割帶的壓敏粘合劑層的整個(gè)表面 上形成半導(dǎo)體背面用膜的構(gòu)造，或者可以具有部分形成半導(dǎo)體背面用膜的構(gòu)造。例如，如圖 1所示，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜可以具有如下構(gòu)造：在切割帶的壓敏粘合劑層上，僅在 預(yù)將半導(dǎo)體晶片粘貼至其的部分上形成半導(dǎo)體背面用膜。
[0049] (倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜）
[0050] 半導(dǎo)體背面用膜具有膜形狀。由于半導(dǎo)體背面用膜具有相對(duì)于切割帶的壓敏粘 合劑層的剝離力（溫度：23°C，剝離角：180°，拉伸速率：300mm/min)為0.05N/20mm至 I. 5N/20mm的特性，在將粘貼至半導(dǎo)體背面用膜上的工件（半導(dǎo)體晶片）切斷為芯片形的切 斷-加工步驟（切割步驟）中，半導(dǎo)體背面用膜具有支承緊密粘合至該半導(dǎo)體背面用膜的 工件的功能，因而能夠顯示緊密粘合性從而使切斷件不會(huì)飛散。此外，在切割步驟后的拾取 步驟中，切割的芯片形工件能夠與半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶容易地剝離。此外，在拾取 步驟后（切割的芯片形工件與半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶剝離后），由于半導(dǎo)體背面用 膜以優(yōu)良的緊密粘合性粘貼至芯片形工件（半導(dǎo)體芯片）背面，因此半導(dǎo)體背面用膜可具 有保護(hù)芯片形工件背面并且還顯示優(yōu)良的外觀性的功能。自然，芯片形工件背面的標(biāo)識(shí)性 也是良好的。
[0051] 如上所述，由于半導(dǎo)體背面用膜具有優(yōu)良的標(biāo)識(shí)性，所以能夠通過半導(dǎo)體背面用 膜，通過利用各種標(biāo)識(shí)法如印刷法和激光標(biāo)識(shí)法進(jìn)行標(biāo)識(shí)，以將各種信息如文字信息和圖 形信息賦予至芯片形工件或使用芯片形工件的半導(dǎo)體器件的非電路側(cè)上的面。當(dāng)將半導(dǎo)體 背面用膜著色時(shí)，通過控制著色的顏色，可以觀察具有優(yōu)良可見度的通過標(biāo)識(shí)賦予的信息 (例如文字信息和圖形信息）。
[0052] 特別地，由于半導(dǎo)體背面用膜相對(duì)于半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片具有優(yōu)良的緊密粘 合性，因此沒有觀察到浮起等。此外，由于半導(dǎo)體背面用膜能夠顯示出優(yōu)良的外觀性，因此 能夠獲得具有優(yōu)良的增值外觀性的半導(dǎo)體器件。例如，作為半導(dǎo)體器件，可以通過使用不同 的顏色將其產(chǎn)品分類。
[0053] 此外，作為半導(dǎo)體背面用膜，重要的是具有緊密粘合性從而在工件的切斷加工時(shí) 切斷件不飛散。
[0054] 如上所述，半導(dǎo)體背面用膜不用于將半導(dǎo)體芯片模片接合至被粘物如基板，而用 于保護(hù)將要倒裝芯片安裝（或已經(jīng)倒裝芯片安裝）的半導(dǎo)體芯片的背面（非電路面），并且 該半導(dǎo)體背面用膜具有最合適的功能和組成。在這點(diǎn)上，用于將半導(dǎo)體芯片強(qiáng)烈地粘合至 被粘物如基板上的用途的模片接合膜為粘合劑層并用封裝樹脂封裝。因此該膜不具有激光 標(biāo)識(shí)層也不具有激光標(biāo)識(shí)性。因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用膜具有不同于模片接合膜的功 能或構(gòu)成，因而不適合將該膜用作模片接合膜。
[0055] 如上所述，在本發(fā)明中，對(duì)于半導(dǎo)體背面用膜重要的是其具有相對(duì)于切割帶的壓 敏粘合劑層的剝離力（溫度：23°C，剝離角：180°，拉伸速率：300mm/min)為0? 05N/20mm至 1.5N/20mm。盡管半導(dǎo)體背面用膜相對(duì)于切割帶的壓敏粘合劑層的剝離力（溫度：23°C，剝 離角：180°，拉伸速率：300mm/min)的上限可以為I. 5N/20mm以下，但其優(yōu)選為I. 2N/20mm 以下，更優(yōu)選lN/20mm以下。另一方面，盡管半導(dǎo)體背面用膜相對(duì)于切割帶的壓敏粘合劑層 的剝離力（溫度：23°C，剝離角：180°，拉伸速率：300mm/min)的下限可以為0.05N/20mm以 上，但其優(yōu)選為0. 08N/20mm以上，更優(yōu)選0.lN/20mm以上。因此，半導(dǎo)體背面用膜與切割帶 的壓敏粘合劑層之間的剝離力（溫度：23°C，剝離角：180°，拉伸速率：300mm/min)可以為 0? 08N/20mm至I. 2N/20mm，也可以為 0?lN/20mm至lN/20mm。
[0056] 此外，在當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜由包含如下所述的熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情 況下，熱固性樹脂通常處于未固化或部分固化的狀態(tài)，從而半導(dǎo)體背面用膜相對(duì)于切割帶 的壓敏粘合劑層的剝離力通常為當(dāng)熱固性樹脂處于未固化或部分固化的狀態(tài)的剝離力。
[0057] 半導(dǎo)體背面用膜相對(duì)于切割帶的壓敏粘合劑層的剝離力（半導(dǎo)體背面用膜與切 割帶的壓敏粘合劑層之間的剝離力）（溫度：23°C，剝離角：180°，拉伸速率：300mm/min) 為通過以下測(cè)量的值：形成具有在切割帶的壓敏粘合劑層上形成的半導(dǎo)體背面用膜的半導(dǎo) 體背面用膜切割帶集成膜，并且在溫度為23°C、剝離角為180°和拉伸速率為300mm/min的 條件下通過使用剝離試驗(yàn)機(jī)（商品名：AUTOGRAPHAGS-J，由ShimadzuCorporation制造） 在半導(dǎo)體背面用膜與切割帶的壓敏粘合劑層之間的界面處將半導(dǎo)體背面用膜剝離。
[0058] 可通過構(gòu)成樹脂組分的種類和含量、交聯(lián)