其全部 在61°C下在氮?dú)饬髦羞M(jìn)行聚合處理6小時，以獲得丙烯酸聚合物A。
[0219] 向丙烯酸聚合物A中添加14. 6份2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯，并將其全部在 50°C下在空氣流中進(jìn)行加成反應(yīng)處理48小時，以獲得丙烯酸聚合物A'。
[0220] 接著，將8份多異氰酸酯化合物（商品名"C0L0NATEL"，由NipponPolyurethane IndustryCo.，Ltd?制造）和5份光聚合引發(fā)劑（商品名"IRGACURE651"，由Ciba SpecialtyChemicals制造）添加至100份丙稀酸聚合物A'，以獲得壓敏粘合劑組合物溶 液A0
[0221] 將壓敏粘合劑組合物溶液A施涂至PET剝離襯墊（具有其中聚對苯二甲酸乙二酯 膜的一個表面已進(jìn)行硅酮處理的形式的剝離襯墊）的硅酮處理表面上，接著在120°C下干 燥2分鐘，以形成具有厚度10ym的壓敏粘合劑層。接著，將聚烯烴膜粘貼至形成的壓敏粘 合劑層上。聚烯烴膜具有厚度l〇〇ym，并包含預(yù)先在對應(yīng)于框架粘貼區(qū)域的部分上形成的 屏蔽放射線用印刷層。然后，將粘貼聚烯烴膜的壓敏粘合劑層在50°C下加熱24小時以進(jìn) 行交聯(lián)處理，并進(jìn)一步借助于由NittoSeikiCo. ,Ltd.制造的紫外線照射設(shè)備（商品名 "UM-810"）從聚烯烴膜側(cè)用紫外光以照度20mW/cm照射以致累積光量變?yōu)?00mJ/cm2,由此 制造切割帶A。
[0222] 〈半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的制造〉
[0223] 將半導(dǎo)體背面用膜A使用手動輥粘貼至上述切割帶A的壓敏粘合劑層上，以制造 半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。
[0224] 此外，在根據(jù)實施例1和2的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中，半導(dǎo)體背面用膜的厚 度（平均厚度）為20ym。此外，關(guān)于切割帶（商品名"V-8-S"和"V-8-T"，全部由Nitto DenkoCorporation制造），基材的厚度（平均厚度）為65ym，壓敏粘合劑層的厚度（平 均厚度）為10ym，總厚度為75ym。因此，在根據(jù)實施例1和2的半導(dǎo)體背面用切割帶集 成膜中，半導(dǎo)體背面用膜厚度與切割帶的壓敏粘合劑層厚度的比例（半導(dǎo)體背面用膜厚度 /切割帶的壓敏粘合劑層厚度；平均厚度的比）為20/10,半導(dǎo)體背面用膜厚度與切割帶厚 度（基材和壓敏粘合劑層的總厚度）的比例（半導(dǎo)體背面用膜厚度/切割帶厚度；平均厚 度的比）為20/75。
[0225] (半導(dǎo)體背面用膜物理性質(zhì)的測量）
[0226] 關(guān)于在實施例和比較例中制備的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中的各半導(dǎo)體背面 用膜A，分別以以下方式測量可見光透過率（％)、吸濕度（重量％ )和重量減少率（重 量％ )。測量結(jié)果示于下表1中。
[0227] 〈可見光透過率的測量方法〉
[0228] 將在實施例和比較例中制備的各半導(dǎo)體背面用膜（平均厚度：20iim)使用 "ABSORPTIONSPECTR0PHOTOMETER"（商品名，由ShimadzuCorporation制造）利用可見 光照射。將可見光的波長調(diào)整為400nm-800nm。測量并根據(jù)以下表達(dá)式計算通過該照射而 透過半導(dǎo)體背面用膜的可見光的光強(qiáng)度。
[0229] 可見光透過率（％) = [(透過半導(dǎo)體背面用膜后的可見光的光強(qiáng)度V(可見光的 初始光強(qiáng)度）]X100
[0230] 〈吸濕度的測量方法〉
[0231] 將在實施例和比較例中制備的各半導(dǎo)體背面用膜在溫度85°C和濕度85%RH的恒 溫恒濕室中靜置168小時。測量靜置前后的重量，根據(jù)以下表達(dá)式計算吸濕度（重量％)。
[0232] 吸濕度（重量％ ) = [{(使半導(dǎo)體背面用膜靜置后的重量）_(使半導(dǎo)體背面用膜 靜置前的重量）}八使半導(dǎo)體背面用膜靜置前的重量）]X100
[0233] 〈重量減少率的測量方法〉
[0234] 將在實施例和比較例中制備的各半導(dǎo)體背面用膜在溫度250°C的干燥機(jī)中靜置1 小時。測量靜置前后的重量，根據(jù)以下表達(dá)式計算重量減少率（重量％ )。
[0235] 重量減少率（重量％ ) = [{(使半導(dǎo)體背面用膜靜置前的重量）_(使半導(dǎo)體背面 用膜靜置后的重量）}八使半導(dǎo)體背面用膜靜置前的重量）]X100
[0236] 表 1
[0237]
[0238] (評價）
[0239] 關(guān)于在實施例1及2和比較例1及2中制造的各半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，通 過以下評價或測量方法來評價或測量半導(dǎo)體背面用膜與切割帶的壓敏粘合劑層之間的剝 離力、切割性、拾取性、倒裝芯片接合性、晶片背面的標(biāo)識性和晶片背面的外觀性。評價或測 量結(jié)果示于表2中。
[0240] 〈半導(dǎo)體背面用膜與切割帶之間的剝離力的測量方法〉
[0241] 關(guān)于半導(dǎo)體背面用膜與切割帶的壓敏粘合劑層之間的剝離力，在溫度為23°C 下在剝離角為180°、拉伸速率為300mm/min的條件下，通過使用剝離試驗機(jī)（商品名： "AUTOGRAPHAGS-J"，由ShimadzuCorporation制造），將實施例1及2和比較例1及2的各 半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體背面用膜從切割帶（即，從切割帶的壓敏粘合劑層） 剝離（在半導(dǎo)體背面用膜與切割帶的壓敏粘合劑層之間的界面處剝離），以測量剝離時負(fù) 荷的最大載荷（從其中除去測量開始時峰頂?shù)妮d荷的最大值），將確定的最大載荷作為半 導(dǎo)體背面用膜與切割帶的壓敏粘合劑層之間的剝離力（切割帶的壓敏粘合劑層相對于半 導(dǎo)體背面用膜的粘合力）（粘合力：N/20mm-寬度）。
[0242] 〈切割性/拾取性的評價方法〉
[0243] 使用實施例1及2和比較例1及2的各半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，通過實際切 割半導(dǎo)體晶片評價切割性，然后評價剝離性，從而評價半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的切割 性能或拾取性能。
[0244] 將半導(dǎo)體晶片（直徑：8英寸，厚度：0? 6mm;硅鏡面晶片）進(jìn)行背面拋光處理，并使 用具有厚度〇. 2mm的鏡面晶片作為工件。從半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜剝離隔離體后，將 鏡面晶片（工件）在70°C下通過輥壓接合粘貼至半導(dǎo)體背面用膜上，并進(jìn)一步進(jìn)行切割。 此處，所述切割作為完全切斷進(jìn)行，以成為IOmm見方的芯片尺寸。在這點(diǎn)上，半導(dǎo)體晶片磨 削條件、粘貼條件和切割條件如下。
[0245](半導(dǎo)體晶片磨削條件）
[0246]磨削設(shè)備：商品名 "DFG-8560"，由DISCOCorporation制造
[0247] 半導(dǎo)體晶片：8英寸直徑（將背面從厚度0. 6mm磨削直至厚度0. 2mm)
[0248](粘貼條件）
[0249]粘貼設(shè)備：商品名 "MA-3000III"，由NittoSeikiCo.，Ltd?制造
[0250] 粘貼速度：10mm/min
[0251]粘貼壓力：0?I5MPa
[0252] 粘貼時的階段溫度：70°C
[0253] (切割條件）
[0254]切割設(shè)備：商品名 "DFD-6361"，由DISCOCorporation制造
[0255]切割環(huán)："2-8-1 "（由DISCOCorporation制造）
[0256]切割速度：30mm/sec
[0257]切割刀：
[0258]Zl;"2030-SE27HCDD"，由DISCOCorporation制造
[0259]Z2 ;"2030-SE27HCBB"，由DISCOCorporation制造
[0260] 切割刀旋轉(zhuǎn)速度：
[0261] Zl；40, 000r/min
[0262]Z2 ；45, 000r/min
[0263] 切割方法：階梯切割
[0264] 晶片芯片尺寸：10.0 mm見方
[0265] 在切割中，確認(rèn)鏡面晶片（工件）是否牢固保持在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜上 而未剝離以進(jìn)行令人滿意的切割。將良好進(jìn)行切割的情況評級為"良好"，將未良好進(jìn)行切 割的情況評級為"差"，由此評價切割性能（dicingability)。
[0266] 接下來，通過用針狀物從半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的切割帶側(cè)向上推動工件， 將通過切割獲得的芯片形工件與半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層剝離，由此 拾取處于背面用半導(dǎo)體背面用膜保護(hù)的狀態(tài)的芯片形工件。測定此時的芯片（總計400片） 的拾取率（％)，以評價拾取性。因此，當(dāng)拾取率越接近于100%時，拾取性越好。
[0267] 此處，拾取條件如下。
[0268](半導(dǎo)體晶片的拾取條件）
[0269] 拾取設(shè)備：商品名 "SPA-300"，由ShinkawaCo.，Ltd?制造
[0270] 拾取針狀物的數(shù)量：9個針狀物
[0271] 針狀物的向上推動速度：20mm/s
[0272] 針狀物的向上推動距離：500ym
[0273] 拾取時間：1秒
[0274] 切割帶擴(kuò)展量：3mm
[0275]〈倒裝芯片接合性的評價方法〉
[0276] 關(guān)于通過使用根據(jù)各實施例或比較例的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的上述〈切 割性/拾取性的評價方法〉獲得的根據(jù)各實施例或比較例的芯片形工件，以芯片形工件的 表面（電路面）與具有對應(yīng)于電路面的布線的電路板表面相對的形式，使在芯片形工件的 電路面處形成的凸塊與連接至電路板連接墊的連結(jié)用導(dǎo)電性材料（焊料）接觸，使導(dǎo)電性 材料通過升高溫度至260°C在加壓下熔融，然后冷卻至室溫，由此將芯片形工件固定至電路 板上，從而制造半導(dǎo)體器件。根據(jù)以下評價標(biāo)準(zhǔn)評價此時的倒裝芯片接合性。
[0277](倒裝芯片接合性的評價標(biāo)準(zhǔn)）
[0278] 良好：通過倒裝芯片接合法能夠?qū)崿F(xiàn)安裝而沒有任何問題；
[0279] 差：通過倒裝芯片接合法不能實現(xiàn)安裝。
[0280]〈晶片背面標(biāo)識性的評價方法〉
[0281] 在通過上述〈倒裝芯片接合性的評價方法〉獲得的半導(dǎo)體器件中的芯片形工件的 背面（即，半導(dǎo)體背面用膜的最外層）上用YAG激光器實施激光標(biāo)識。關(guān)于通過激光標(biāo)識 獲得的信息（條形碼信息），根據(jù)以下評價標(biāo)準(zhǔn)評價使用根據(jù)各實施例或比較例的半導(dǎo)體 背面用切割帶集成膜獲得的半導(dǎo)體器件的標(biāo)識性（激光標(biāo)識性）。
[0282](標(biāo)識性的評價方法）
[0283] 良好：判斷通過激光標(biāo)識獲得的信息為滿意可見的人員數(shù)量為在隨機(jī)選擇的10 個成年人中的8人以上；
[0284] 差：判斷通過激光標(biāo)識獲得的信息為滿意可見的人員數(shù)量為在隨機(jī)選擇的10個 成年人中的7人以下；
[0285]〈晶片背面外觀性的評價方法〉
[0286] 關(guān)于通過使用根據(jù)各實施例和比較例的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的上述〈切 割性/拾取性的評價方法〉獲得的根據(jù)各實施例和比較例的芯片形工件，根據(jù)以下評價標(biāo) 準(zhǔn)目視評價芯片形工件背面的外觀性。
[0287](外觀性的評價標(biāo)準(zhǔn)）
[0288] 良好：在芯片形工件中的晶片（硅晶片）背面和半導(dǎo)體背面用膜之間沒有觀察到 剝離（浮起）；
[0289] 差：在芯片形工件中的晶片（硅晶片）背面和半導(dǎo)體背面用膜之間觀察到剝離 (浮起）。
[0290]表2
[0291]
[0292] 從表2中，確認(rèn)根據(jù)各施例1和2的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜以優(yōu)良水平具有 作為切割帶的功能和作為半導(dǎo)體背面用膜的功能。
[0293] 在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中，由于切割帶和半導(dǎo)體背面用膜以 集成的方式形成以及切割帶的壓敏粘合劑層相對于半導(dǎo)體背面用膜之間的剝離力（溫度： 23°C，剝離角：180°，拉伸速率：300mm/min)為0. 05N/20mm至I. 5N/20mm，因此從半導(dǎo)體晶 片的切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟均能夠利用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。 即，在通過倒裝芯片接合法生產(chǎn)半導(dǎo)體器件時，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜 可適合用作具有切割帶和半導(dǎo)體背面用膜兩種功能的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。
[0294] 雖然已詳細(xì)地并參考其具體實施方案描述本發(fā)明，但對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說， 其中可進(jìn)行各種變化和改進(jìn)而不背離其范圍將是顯而易見的。
[0295] 本申請基于2009年12月24日提交的日本專利申請2009-292769和2010年11 月11日提交的日本專利申請2010-253088,在此將其全部內(nèi)容引入以作參考。
【主權(quán)項】
1. 一種半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括： 在基材上具有壓敏粘合劑層的切割帶；和 倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜設(shè)置于所述壓敏粘合劑 層上， 其中所述切割帶的壓敏粘合劑層與熱固化前的所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜之間 的剝離力（溫度：23°C，剝離角：180°，拉伸速率：300mm/min)為0? 05N/20mm至I. 5N/20mm， 所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的透光率為不大于20%。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中將所述倒裝芯片型半導(dǎo)體 背面用膜著色。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述倒裝芯片型半導(dǎo) 體背面用膜具有激光標(biāo)識性。4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其用于倒裝芯片安 裝的半導(dǎo)體器件。5. -種生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，其為使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體器件的 生產(chǎn)方法，所述方法包括如下工序： 將工件粘貼至根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的倒裝芯 片型半導(dǎo)體背面用膜上， 切割所述工件以形成芯片形工件， 將所述芯片形工件與所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從所述切割帶的壓敏粘合 劑層剝離，和 將所述芯片形工件通過倒裝芯片接合固定至被粘物。6. -種倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件，其使用根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的半導(dǎo)體 背面用切割帶集成膜制造，所述半導(dǎo)體器件具有：在芯片形工件的背面粘貼半導(dǎo)體背面用 切割帶集成膜的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜而成的結(jié)構(gòu)。
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括：包括基材和設(shè)置于所述基材上的壓敏粘合劑層的切割帶；和設(shè)置于所述壓敏粘合劑層上的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中所述切割帶的壓敏粘合劑層與所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜之間的剝離力(溫度：23℃，剝離角：180°，拉伸速率：300mm/min)為0.05N/20mm至1.5N/20mm。
【IPC分類】H01L23/488, C09J7/02, H01L21/68, H01L21/50, H01L21/77
【公開號】CN105086867
【申請?zhí)枴緾N201510486937
【發(fā)明人】高本尚英, 松村健, 志賀豪士
【申請人】日東電工株式會社
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2010年12月24日
【公告號】CN102161869A, CN102161869B, US8692389, US20110156280, US20140159254