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一種IC測(cè)試裝置及方法與流程

文檔序號(hào):12268804閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種IC測(cè)試裝置,其特征在于,包括:

控制器;

與待測(cè)試芯片連接、用于將所述待測(cè)試芯片與所述測(cè)試裝置連接起來(lái)的Socket座;

N個(gè)用于依據(jù)所述控制器的控制來(lái)對(duì)所述待測(cè)試芯片進(jìn)行相應(yīng)測(cè)試的測(cè)試模塊,每個(gè)所述測(cè)試模塊的第一端與所述控制器連接,第二端與一一對(duì)應(yīng)的繼電器的第一端連接,N為整數(shù);

N個(gè)與所述測(cè)試模塊一一對(duì)應(yīng)的繼電器,每個(gè)所述繼電器的控制端與所述控制器連接,第二端與模擬開關(guān)組的第一端連接;

第二端與所述Socket座連接、控制端與所述控制器連接的所述模擬開關(guān)組,所述模擬開關(guān)組為L(zhǎng)級(jí)多輸入模擬開關(guān)的級(jí)聯(lián),L為不小于2的整數(shù),所述模擬開關(guān)組用于依據(jù)所述控制器的控制來(lái)選擇所述待測(cè)試芯片的相應(yīng)引腳與相應(yīng)測(cè)試模塊連接;

第一端與所述控制器連接、另一端與所述Socket座連接、用于在所述控制器與所述Socket座之間建立通信的通信線路。

2.如權(quán)利要求1所述的IC測(cè)試裝置,其特征在于,該測(cè)試裝置還包括:

一端與所述控制器連接、另一端分別與所述模擬開關(guān)組的控制端以及N個(gè)所述繼電器的控制端連接的移位鎖存器,所述移位鎖存器用于接收所述控制器串行移入的控制所述模擬開關(guān)組的控制端以及N個(gè)所述繼電器的控制信號(hào),并在對(duì)所述待測(cè)試芯片測(cè)試時(shí)將所述控制信號(hào)相應(yīng)地并行輸出至所述模擬開關(guān)組以及繼電器。

3.如權(quán)利要求2所述的IC測(cè)試裝置,其特征在于,所述模擬開關(guān)組為第一級(jí)多輸入模擬開關(guān)與第二級(jí)多輸入模擬開關(guān)的級(jí)聯(lián),其中,所述第一級(jí)多輸入模擬開關(guān)的個(gè)數(shù)為1個(gè),所述第二級(jí)多輸入模擬開關(guān)的個(gè)數(shù)為M個(gè),M不小于2且不大于所述第一級(jí)多輸入模擬開關(guān)的輸入端數(shù)。

4.如權(quán)利要求2所述的IC測(cè)試裝置,其特征在于,所述模擬開關(guān)組為第一級(jí)多輸入模擬開關(guān)、第二級(jí)多輸入模擬開關(guān)以及第三級(jí)多輸入模擬開關(guān)的級(jí)聯(lián),其中,所述第一級(jí)多輸入模擬開關(guān)的個(gè)數(shù)為1個(gè),所述第二級(jí)多輸入模擬開關(guān)的個(gè)數(shù)為M個(gè),M不小于2且不大于所述第一級(jí)多輸入模擬開關(guān)的輸入端數(shù),所述第三級(jí)多輸入模擬開關(guān)的個(gè)數(shù)不大于所述第二級(jí)多輸入模擬開關(guān)的所有輸入端的個(gè)數(shù)。

5.如權(quán)利要求1所述的IC測(cè)試裝置,其特征在于,所述通信線路為所述待測(cè)試芯片的JIAG接口或者UART接口或者SPI接口或者I2C接口。

6.如權(quán)利要求3或4所述的IC測(cè)試裝置,其特征在于,N個(gè)所述測(cè)試模塊包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器、GPIO模塊、捕獲模塊以及比較輸出模塊中的一個(gè)或多個(gè)的組合,其中:

所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器,用于對(duì)所述待測(cè)試芯片的模擬輸出功能進(jìn)行測(cè)試;

所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器,用于為所述待測(cè)試芯片提供模擬輸入信號(hào);

所述GPIO模塊,用于測(cè)試所述待測(cè)試芯片的GPIO的輸入輸出功能是否正確;

所述捕獲模塊,用于捕獲所述待測(cè)芯片的脈沖信號(hào);

所述比較輸出模塊,用于為所述待測(cè)試芯片提供外部脈沖信號(hào)。

7.如權(quán)利要求1所述的IC測(cè)試裝置,其特征在于,所述控制器為FPGA。

8.如權(quán)利要求1所述的IC測(cè)試裝置,其特征在于,所述控制器為單片機(jī)。

9.如權(quán)利要求1所述的IC測(cè)試裝置,其特征在于,所述控制器為ARM。

10.一種IC測(cè)試方法,其特征在于,應(yīng)用于如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的IC測(cè)試裝置,該方法包括:

步驟S101:確定待測(cè)試芯片的第一個(gè)待測(cè)試功能;

步驟S102:確定與所述待測(cè)試功能對(duì)應(yīng)的第一個(gè)引腳;

步驟S103:對(duì)所述引腳進(jìn)行功能測(cè)試,測(cè)試完成后進(jìn)入步驟S104;

步驟S104:判斷與所述待測(cè)試功能對(duì)應(yīng)的引腳是否全部測(cè)試完,如果是,進(jìn)入步驟S106,否則,進(jìn)入步驟S105;

步驟S105:確定與所述待測(cè)試功能對(duì)應(yīng)的下一個(gè)引腳,并返回步驟S103;

步驟S106:判斷對(duì)所述待測(cè)試芯片的所有功能是否均測(cè)試完畢,如果是,進(jìn)入步驟S108,否則,進(jìn)入步驟S107;

步驟S107:確定所述待測(cè)試芯片的下一個(gè)待測(cè)試功能,并返回步驟S102;

步驟S108:結(jié)束測(cè)試。

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