本發(fā)明實施例涉及機器視覺檢測技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像的二值化方法和系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

大口徑光學(xué)元件廣泛應(yīng)用在各種大型光機系統(tǒng)中，以世界上最大的慣性約束核聚變裝置-美國國家點火裝置為例，其中的大口徑光學(xué)元件數(shù)目需要在上千塊以上，然而在生產(chǎn)的過程中，由于生產(chǎn)環(huán)境、生產(chǎn)工藝以及人工操作等因素的影響，難免會在光學(xué)元件表面產(chǎn)生各種諸如劃痕等損傷。大口徑光學(xué)元件表面劃痕會對光機系統(tǒng)產(chǎn)生嚴重影響，目前基于機器視覺對表面損傷進行暗場成像檢測廣泛應(yīng)用在大口徑光學(xué)系統(tǒng)上。

然而一些質(zhì)地較軟的光學(xué)元件在研磨、拋光等加工過程中會形成較多弱淺劃痕，這些劃痕的深度較淺，深度一般只有幾個納米到十幾納米，這類劃痕是大口徑光學(xué)元件表面重要的損傷之一。通過暗場成像獲得的圖像中劃痕邊緣模糊，灰度值較低，與背景接近，存在光照不均和高頻噪聲干擾，導(dǎo)致劃痕淹沒在背景中，造成常規(guī)的檢測算法無法完成檢測。

有鑒于此，特提出本發(fā)明。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題，即為了解決如何準(zhǔn)確實現(xiàn)大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像的二值化提取的技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供一種大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像的二值化方法。此外，本發(fā)明實施例還提供一種大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像的二值化系統(tǒng)。

為了實現(xiàn)上述目的，一方面，提供以下技術(shù)方案：

一種大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像的二值化方法，所述方法包括：

基于所述大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像，利用Gabor濾波器，構(gòu)建線段探測單元；其中，所述線段探測單元包括Lc、L_l和Lr，其中，所述Lc表示所述圖像中待檢測像素點的灰度值之和；所述L_l表示與所述待檢測像素點左側(cè)相距w_u大小的灰度值之和；所述Lr表示與所述待檢測像素點右側(cè)相距w_u大小的灰度值之和；所述w_u表示所述線段探測單元的寬度；

根據(jù)下式對所述待檢測像素點進行二值化：

I(u,v)>T₁，Lc>L_l+T₂且Lc>Lr+T₂；

其中，所述I(u,v)表示所述大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像中像素點(u,v)的灰度值；所述u表示所述像素點的橫坐標(biāo)；所述v表示所述像素點的縱坐標(biāo)；所述T₁表示第一閾值；所述T₂表示第二閾值。

較佳地，所述利用Gabor濾波器，構(gòu)建線段探測單元具體包括：

利用所述Gabor濾波器，構(gòu)建0°、45°、90°和135°方向的線段探測單元；

將所述線段探測單元的形狀確定為與所述Gabor濾波器的明暗條紋一致；

將所述線段探測單元的方向確定為與所述Gabor濾波器的方向一致；

根據(jù)所述線段探測單元的寬度來確定所述線段探測單元的形狀。

較佳地，所述第一閾值通過背景采樣來確定。

較佳地，所述第一閾值通過背景采樣來確定具體包括：

根據(jù)下式來確定所述第一閾值：

其中，所述W表示大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場子圖像的寬；所述H表示所述大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場子圖像的高；所述n表示水平方向背景采樣的間距；所述m表示豎直方向背景采樣的間距；所述n₁表示水平方向背景采樣點的數(shù)目；所述n₂表示豎直方向背景采樣點的數(shù)目；所述I表示暗場圖像；所述ξ表示背景灰度的補償值。

較佳地，所述方法還包括：

將|Lc-L_l|或|Lc-Lr|相差最大的方向確定為潛在劃痕的主方向；

在所述主方向下根據(jù)下式對所述待檢測像素點進行二值化：

|L_l-Lr|<T₃；

其中，所述T₃表示第三閾值。

較佳地，所述方法還包括：

將|Lc-L_l|或|Lc-Lr|相差最大的方向確定為潛在劃痕的主方向；

在所述主方向下根據(jù)下式對所述待檢測像素點進行二值化：

L_l>T₄且Lr>T₄；

其中，所述T₄表示第四閾值。

為了實現(xiàn)上述目的，另一方面，還提供了以下技術(shù)方案：

一種大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像的二值化系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：

構(gòu)建模塊，用于基于所述大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像，利用Gabor濾波器，構(gòu)建線段探測單元；其中，所述線段探測單元包括Lc、L_l和Lr，其中，所述Lc表示所述圖像中待檢測像素點的灰度值之和；所述L_l表示與所述待檢測像素點左側(cè)相距w_u大小的灰度值之和；所述Lr表示與所述待檢測像素點右側(cè)相距w_u大小的灰度值之和；所述w_u表示所述線段探測單元的寬度；

第一二值化模塊，用于根據(jù)下式對所述待檢測像素點進行二值化：

I(u,v)>T₁，Lc>L_l+T₂且Lc>Lr+T₂；

其中，所述I(u,v)表示所述大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像中像素點(u,v)的灰度值；所述u表示所述像素點的橫坐標(biāo)；所述v表示所述像素點的縱坐標(biāo)；所述T₁表示第一閾值；所述T₂表示第二閾值。

較佳地，所述構(gòu)建模塊具體包括：

構(gòu)建單元，用于利用所述Gabor濾波器，構(gòu)建0°、45°、90°和135°方向的線段探測單元；

第一確定單元，用于將所述線段探測單元的形狀確定為與所述Gabor濾波器的明暗條紋一致；

第二確定單元，用于將所述線段探測單元的方向確定為與所述Gabor濾波器的方向一致；

第三確定單元，用于根據(jù)所述線段探測單元的寬度來確定所述線段探測單元的形狀。

較佳地，所述系統(tǒng)還包括：

第一確定模塊，用于將|Lc-L_l|或|Lc-Lr|相差最大的方向確定為潛在劃痕的主方向；

第二二值化模塊，用于在所述主方向下根據(jù)下式對所述待檢測像素點進行二值化：

|L_l-Lr|<T₃；

其中，所述T₃表示第三閾值。

較佳地，所述系統(tǒng)還包括：

第二確定模塊，用于將|Lc-L_l|或|Lc-Lr|相差最大的方向確定為潛在劃痕的主方向；

第三二值化模塊，用于在該主方向下根據(jù)下式對所述待檢測像素點進行二值化：

L_l>T₄且Lr>T₄；

其中，所述T₄表示第四閾值。

本發(fā)明實施例提供一種大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像的二值化方法和系統(tǒng)。其中，該方法可以包括：基于大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像，利用Gabor濾波器，構(gòu)建線段探測單元；其中，線段探測單元包括Lc、L_l和Lr，其中，Lc表示圖像中待檢測像素點的灰度值之和；L_l表示與待檢測像素點左側(cè)相距w_u大小的灰度值之和；Lr表示與待檢測像素點右側(cè)相距w_u大小的灰度值之和；w_u表示線段探測單元的寬度；根據(jù)下式對待檢測像素點進行二值化：I(u,v)>T₁，Lc>L_l+T₂且Lc>Lr+T₂；其中，I(u,v)表示大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像中像素點(u,v)的灰度值；u表示像素點的橫坐標(biāo)；v表示像素點的縱坐標(biāo)；T₁表示第一閾值；T₂表示第二閾值。通過采用該技術(shù)方案，在一定的噪聲干擾下，可以實現(xiàn)去掉大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像中引入的不均勻背景亮度干擾以及高頻噪聲，可以滿足大口徑光學(xué)元件表面各類劃痕暗場圖像的二值化提取，而且對各種深淺不一致的劃痕具有很好的提取效果，以方便后續(xù)劃痕檢測。

附圖說明

圖1為根據(jù)本發(fā)明實施例的大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像的二值化方法的流程示意圖；

圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例示出的90°方向的線段探測單元示意圖；

圖3為根據(jù)本發(fā)明實施例示出的0°、45°、90°和135°方向上的線段探測單元的示意圖；

圖4a為原始大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像示意圖；

圖4b為根據(jù)本發(fā)明實施例示出的利用本發(fā)明實施例提供的方法對圖4a進行處理，得到的完整的大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像的二值化結(jié)果示意圖；

圖5為根據(jù)本發(fā)明實施例的大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像的二值化系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面參照附圖來描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，這些實施方式僅僅用于解釋本發(fā)明的技術(shù)原理，并非旨在限制本發(fā)明的保護范圍。

一種大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像的二值化方法。如圖1所示，該方法可以包括：

步驟S100：基于大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像，利用Gabor濾波器，構(gòu)建線段探測單元。其中，線段探測單元包括Lc、L_l和Lr，其中，Lc表示該圖像中待檢測像素點的灰度值之和；L_l表示與該待檢測像素點左側(cè)相距w_u大小的灰度值之和；Lr表示與該待檢測像素點右側(cè)相距w_u大小的灰度值之和；w_u表示線段探測單元的寬度。

在實際應(yīng)用中，由于大口徑光學(xué)元件表面存在多種類型的深淺不一致的劃痕，可以利用仿生視覺原理和大口徑光學(xué)元件表面劃痕的特點，來構(gòu)建線段探測單元。

在一些可選的實施方式中，利用Gabor濾波器，構(gòu)建線段探測單元具體可以包括：利用Gabor濾波器，構(gòu)建0°、45°、90°和135°四個方向的線段探測單元；將線段探測單元的形狀確定為與Gabor濾波器的明暗條紋一致；將線段探測單元的方向確定為與Gabor濾波器的方向一致；根據(jù)線段探測單元的寬度來確定線段探測單元的形狀。

圖2示例性地示出了90°方向的線段探測單元。其中，線段探測單元的中心(黑色像素點)為待檢測的像素點。Lc表示待檢測像素點的灰度值之和，也即當(dāng)前方向下待檢測像素點周圍寬度范圍內(nèi)的灰色像素的灰度值之和。L_l表示與待檢測像素點左側(cè)相距w_u大小的灰度值之和，也即當(dāng)前方向下待檢測像素點左側(cè)相距寬度周圍內(nèi)灰色像素點的灰度值之和。Lr表示與待檢測像素點右側(cè)相距w_u大小的灰度值之和，也即當(dāng)前方向下待檢測點右側(cè)相距寬度范圍內(nèi)灰色像素的灰度值之和。w_u表示線段探測單元的寬度。Lc對應(yīng)Gabor濾波器的興奮性條紋，L_l和Lr對應(yīng)Gabor濾波器的平行抑制性條紋。線段探測單元的形狀由其寬度決定，線段探測單元的形狀與Gabor濾波器的明暗條紋一致，線段探測單元的方向與Gabor濾波器的方向一致。

圖3示例性地示出了0°、45°、90°和135°四個方向上的線段探測單元，其中w_u＝3。

步驟S110：根據(jù)下式對待檢測像素點進行二值化：

I(u,v)>T₁，Lc>L_l+T₂且Lc>Lr+T₂；

其中，I(u,v)表示大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像中像素點(u,v)的灰度值；u表示像素點的橫坐標(biāo)；v表示像素點的縱坐標(biāo)；T₁表示第一閾值；T₂表示第二閾值。

在一些可選的實施方式中，在步驟S110中，第一閾值通過背景采樣來確定。

具體地，第一閾值根據(jù)下式來確定：

其中，W表示大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場子圖像的寬；H表示大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場子圖像的高；n表示水平方向背景采樣的間距；m表示豎直方向背景采樣的間距；n₁表示水平方向背景采樣點的數(shù)目；n₂表示豎直方向背景采樣點的數(shù)目；I表示暗場圖像；ξ表示背景灰度的補償值，優(yōu)選地，ξ＝5。

上述大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場子圖像可以通過諸如相機、攝像機等圖像采集裝置來獲取。

本發(fā)明實施例可以通過調(diào)整第二閾值T₂來獲取其最佳值。在實際應(yīng)用中，減少T₂能夠增加大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像中劃痕特征信息，反之會減少劃痕信息，由此，通過調(diào)整T₂可以使得獲取的劃痕長度和寬度完整且干擾較少。優(yōu)選地，T₂＝10。

在上述步驟中，本發(fā)明實施例基于大口徑光學(xué)元件表面劃痕的特性，確定出：I(u,v)>T₁，Lc>L_l+T₂且Lc>Lr+T₂。其中，I(u,v)>T₁表示位于劃痕上的點的灰度值大于第一閾值T₁，即劃痕灰度值高于背景灰度值，該探測過程可以視為使用低閾值二值化；Lc>L_l+T₂且Lc>Lr+T₂表示位于劃痕上的點滿足直線特征，即劃痕上的點位于興奮性條紋上，劃痕邊緣位于抑制性條紋上，待檢測像素點的Lc與L_l和Lr相差越大，說明待檢測點及其附近區(qū)域越可能位于劃痕上。

在具體實施過程中，本步驟可以對待檢測像素點進行順序檢測，當(dāng)I(u,v)>T₁，Lc>L_l+T₂且Lc>Lr+T₂不滿足時，結(jié)束該像素點的檢測，進行下一個像素點檢測，這樣能加快檢測速度。最后，將滿足I(u,v)>T₁，Lc>L_l+T₂且Lc>Lr+T₂的像素點標(biāo)記為1，否則標(biāo)記為0。由此，得到完整的大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像的二值化結(jié)果。

為了去掉不均勻背景亮度干擾，在一些可選的實施方式中，在圖1所示實施例的基礎(chǔ)上還可以包括：將|Lc-L_l|或|Lc-Lr|相差最大的方向確定為潛在劃痕的主方向；在該主方向下根據(jù)下式對待檢測像素點進行二值化：

|L_l-Lr|<T₃；

其中，T₃表示第三閾值。

本發(fā)明實施例可以通過調(diào)整第三閾值T₃來獲取其最佳值。在實際應(yīng)用中，減少T₃能夠減少大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像中劃痕寬度，反之會增加劃痕寬度。由此，通過調(diào)整T₃可以使得獲取的劃痕長度和寬度完整且干擾較少。優(yōu)選地，T₃＝40。

本發(fā)明實施例根據(jù)劃痕的特性，得到公式|L_l-Lr|<T₃，其表示了劃痕左右兩側(cè)的灰度值相差不大。

作為示例，通過本實施方式可以針對0°、45°、90°和135°四個方向計算線段探測結(jié)果，將|Lc-L_l|或|Lc-Lr|相差最大的方向作為潛在劃痕的主方向，然后，根據(jù)公式|L_l-Lr|<T₃，使用主方向下的線段探測結(jié)果即可。

在具體實施過程中，本實施方式可以對待檢測像素點進行順序檢測，當(dāng)I(u,v)>T₁，Lc>L_l+T₂且Lc>Lr+T₂，|L_l-Lr|<T₃不滿足時，結(jié)束該像素點的檢測，進行下一個像素點檢測，這樣能加快檢測速度。最后，將滿足I(u,v)>T₁，Lc>L_l+T₂且Lc>Lr+T₂，|L_l-Lr|<T₃的像素點標(biāo)記為1，否則標(biāo)記為0。由此，得到完整的大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像的二值化結(jié)果。

為了去掉高頻噪聲，在一些可選的實施方式中，在圖1所示實施例的基礎(chǔ)上，本發(fā)明實施例提供的方法還可以進一步包括：在上述主方向下，根據(jù)下式對待檢測像素點進行二值化：

L_l>T₄且Lr>T₄；

其中，T₄表示第四閾值。

本發(fā)明實施例可以通過調(diào)整第四閾值T₄來獲取其最佳值。在實際應(yīng)用中，減少T₄能夠適當(dāng)增加大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像中劃痕長度，反之會減小劃痕長度。由此，通過調(diào)整T₄可以使得獲取的劃痕長度和寬度完整且干擾較少。優(yōu)選地，T₄＝32。

由于弱劃痕并不是標(biāo)準(zhǔn)劃痕特性，往往會存在斷裂或附近存在點狀類型的劃痕，因此亮劃痕(即與背景對比度較大的劃痕)左右兩側(cè)的邊緣會存在一些點劃痕或者噪聲干擾等，灰度值會超過一定閾值，當(dāng)亮劃痕左右兩側(cè)的灰度值過小，接近背景值，往往當(dāng)前劃痕為偽劃痕，例如背景光線不均勻或子圖像的過渡區(qū)域等。所以，本發(fā)明實施例基于上述問題，確定L_l>T₄且Lr>T₄，其表示劃痕左右兩側(cè)的灰度值大于一定閾值。

作為示例，通過本實施方式可以針對0°、45°、90°和135°四個方向計算線段探測結(jié)果，將|Lc-L_l|或|Lc-Lr|相差最大的方向作為潛在劃痕的主方向，然后，根據(jù)公式L_l>T₄且Lr>T₄，使用主方向下的線段探測結(jié)果即可。

在具體實施過程中，本實施方式可以對待檢測像素點進行順序檢測，當(dāng)I(u,v)>T₁，Lc>L_l+T₂且Lc>Lr+T₂，|L_l-Lr|<T₃，L_l>T₄且Lr>T₄不滿足時，結(jié)束該像素點的檢測，進行下一個像素點檢測，這樣能加快檢測速度。最后，將滿足I(u,v)>T₁，Lc>L_l+T₂且Lc>Lr+T₂，|L_l-Lr|<T₃，L_l>T₄且Lr>T₄的像素點標(biāo)記為1，否則標(biāo)記為0。由此，得到完整的大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像的二值化結(jié)果。

圖4a示例性地示出了原始大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像。其中，長橢圓圖形示例性地示出了劃痕所在的區(qū)域。圖4b示例性地示出了利用本發(fā)明實施例提供的方法對圖4a進行處理，得到的完整的大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像的二值化結(jié)果?？梢钥闯?，圖4a中的淺弱劃痕被完整的提取出來了。

本發(fā)明實施例針對大口徑光學(xué)元件表面劃痕的特性，提出了上述技術(shù)方案，可以在一定的噪聲干擾下，來解決如何準(zhǔn)確實現(xiàn)大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像的二值化提取的技術(shù)問題，以方便后續(xù)劃痕的檢測。

上述實施例中雖然將各個步驟按照上述先后次序的方式進行了描述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，為了實現(xiàn)本實施例的效果，不同的步驟之間不必按照這樣的次序執(zhí)行，其可以同時(并行)執(zhí)行或以顛倒的次序執(zhí)行，這些簡單的變化都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

基于與上述方法實施例相同的技術(shù)構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供一種大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像的二值化系統(tǒng)。如圖5所示，該系統(tǒng)可以包括：構(gòu)建模塊52和第一二值化模塊54。其中，構(gòu)建模塊52用于基于大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像，利用Gabor濾波器，構(gòu)建線段探測單元；其中，線段探測單元包括Lc、L_l和Lr，其中，Lc表示圖像中待檢測像素點的灰度值之和；L_l表示與待檢測像素點左側(cè)相距w_u大小的灰度值之和；Lr表示與待檢測像素點右側(cè)相距w_u大小的灰度值之和；w_u表示線段探測單元的寬度。第一二值化模塊54與構(gòu)建模塊52相連，用于根據(jù)下式對待檢測像素點進行二值化：I(u,v)>T₁，Lc>L_l+T₂且Lc>Lr+T₂；其中，I(u,v)表示大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像中像素點(u,v)的灰度值；u表示像素點的橫坐標(biāo)；v表示像素點的縱坐標(biāo)；T₁表示第一閾值；T₂表示第二閾值。

在一些實施例中，上述構(gòu)建模塊具體可以包括：構(gòu)建單元、第一確定單元、第二確定單元和第三確定單元。其中，構(gòu)建單元用于利用Gabor濾波器，構(gòu)建0°、45°、90°和135°方向的線段探測單元。第一確定單元用于將線段探測單元的形狀確定為與Gabor濾波器的明暗條紋一致。第二確定單元用于將線段探測單元的方向確定為與Gabor濾波器的方向一致。第三確定單元用于根據(jù)線段探測單元的寬度來確定線段探測單元的形狀。

在一些實施例中，上述系統(tǒng)還包括：第一確定模塊和第二二值化模塊。其中，第一確定模塊用于將|Lc-L_l|或|Lc-Lr|相差最大的方向確定為潛在劃痕的主方向。第二二值化模塊用于在主方向下根據(jù)下式對待檢測像素點進行二值化：|L_l-Lr|<T₃；其中，T₃表示第三閾值。

在一些實施例中，上述系統(tǒng)還包括：第二確定模塊和第三二值化模塊。其中，第二確定模塊用于將|Lc-L_l|或|Lc-Lr|相差最大的方向確定為潛在劃痕的主方向。第三二值化模塊用于在主方向下根據(jù)下式對待檢測像素點進行二值化：L_l>T₄且Lr>T₄；其中，T₄表示第四閾值。

需要說明的是，上述實施例提供的大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場圖像的二值化系統(tǒng)和方法在進行二值化時，僅以上述各功能模塊或步驟的劃分進行舉例說明，在實際應(yīng)用中，可以根據(jù)需要而將上述功能分配由不同的功能模塊或步驟來完成，即將本發(fā)明實施例中的模塊或者步驟再分解或者組合，也可以進一步拆分成多個子模塊亦或步驟，以完成以上描述的全部或者部分功能。

術(shù)語“包括”或者任何其它類似用語旨在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備/裝置不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其它要素，或者還包括這些過程、方法、物品或者設(shè)備/裝置所固有的要素。

需要說明的是，“橫軸”、“縱軸”這些術(shù)語不是指絕對方向。換句話說，“橫軸”可為任何相應(yīng)軸，且“縱軸”可為不同于“橫軸”的特定軸。通常，“橫軸”垂直于“縱軸”。

以上示意性的對本發(fā)明及其實施方式進行了描述，該描述沒有局限性，附圖中所示的也只是本發(fā)明的實施方式之一，實際的結(jié)構(gòu)并不局限于此。

至此，已經(jīng)結(jié)合附圖所示的優(yōu)選實施方式描述了本發(fā)明的技術(shù)方案，但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解的是，本發(fā)明的保護范圍顯然不局限于這些具體實施方式。如果本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員受其啟示，在不偏離本發(fā)明的原理的前提下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對相關(guān)技術(shù)特征作出等同的更改或替換，這些更改或替換之后的技術(shù)方案都將落入本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。