技術(shù)特征：

1.一種大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場(chǎng)圖像的二值化方法，其特征在，所述方法包括：

基于所述大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場(chǎng)圖像，利用Gabor濾波器，構(gòu)建線段探測(cè)單元；其中，所述線段探測(cè)單元包括Lc、L_l和Lr，其中，所述Lc表示所述圖像中待檢測(cè)像素點(diǎn)的灰度值之和；所述L_l表示與所述待檢測(cè)像素點(diǎn)左側(cè)相距w_u大小的灰度值之和；所述Lr表示與所述待檢測(cè)像素點(diǎn)右側(cè)相距w_u大小的灰度值之和；所述w_u表示所述線段探測(cè)單元的寬度；

根據(jù)下式對(duì)所述待檢測(cè)像素點(diǎn)進(jìn)行二值化：

I(u,v)>T₁，Lc>L_l+T₂且Lc>Lr+T₂；

其中，所述I(u,v)表示所述大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場(chǎng)圖像中像素點(diǎn)(u,v)的灰度值；所述u表示所述像素點(diǎn)的橫坐標(biāo)；所述v表示所述像素點(diǎn)的縱坐標(biāo)；所述T₁表示第一閾值；所述T₂表示第二閾值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用Gabor濾波器，構(gòu)建線段探測(cè)單元具體包括：

利用所述Gabor濾波器，構(gòu)建0°、45°、90°和135°方向的線段探測(cè)單元；

將所述線段探測(cè)單元的形狀確定為與所述Gabor濾波器的明暗條紋一致；

將所述線段探測(cè)單元的方向確定為與所述Gabor濾波器的方向一致；

根據(jù)所述線段探測(cè)單元的寬度來(lái)確定所述線段探測(cè)單元的形狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一閾值通過(guò)背景采樣來(lái)確定。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一閾值通過(guò)背景采樣來(lái)確定具體包括：

根據(jù)下式來(lái)確定所述第一閾值：

$\left\{\begin{array}{c}{T}_1=\frac{1}{n_1{n}_2}\left(\underset{i=1}{\overset{n_1}{\Σ}}\underset{j=1}{\overset{n_2}{\Σ}}I\right(ni,mj\left)\right)+\mathrm{\ξ}\\ n_1=Int(W/n),n_2=Int(H/m)\end{array}\right.;$

其中，所述W表示大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場(chǎng)子圖像的寬；所述H表示所述大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場(chǎng)子圖像的高；所述n表示水平方向背景采樣的間距；所述m表示豎直方向背景采樣的間距；所述n₁表示水平方向背景采樣點(diǎn)的數(shù)目；所述n₂表示豎直方向背景采樣點(diǎn)的數(shù)目；所述I表示暗場(chǎng)圖像；所述ξ表示背景灰度的補(bǔ)償值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

將|Lc-L_l|或|Lc-Lr|相差最大的方向確定為潛在劃痕的主方向；

在所述主方向下根據(jù)下式對(duì)所述待檢測(cè)像素點(diǎn)進(jìn)行二值化：

|L_l-Lr|<T₃；

其中，所述T₃表示第三閾值。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

將|Lc-L_l|或|Lc-Lr|相差最大的方向確定為潛在劃痕的主方向；

在所述主方向下根據(jù)下式對(duì)所述待檢測(cè)像素點(diǎn)進(jìn)行二值化：

L_l>T₄且Lr>T₄；

其中，所述T₄表示第四閾值。

7.一種大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場(chǎng)圖像的二值化系統(tǒng)，其特征在，所述系統(tǒng)包括：

構(gòu)建模塊，用于基于所述大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場(chǎng)圖像，利用Gabor濾波器，構(gòu)建線段探測(cè)單元；其中，所述線段探測(cè)單元包括Lc、L_l和Lr，其中，所述Lc表示所述圖像中待檢測(cè)像素點(diǎn)的灰度值之和；所述Ll表示與所述待檢測(cè)像素點(diǎn)左側(cè)相距w_u大小的灰度值之和；所述Lr表示與所述待檢測(cè)像素點(diǎn)右側(cè)相距w_u大小的灰度值之和；所述w_u表示所述線段探測(cè)單元的寬度；

第一二值化模塊，與所述構(gòu)建模塊相連，用于根據(jù)下式對(duì)所述待檢測(cè)像素點(diǎn)進(jìn)行二值化：

I(u,v)>T₁，Lc>L_l+T₂且Lc>Lr+T₂；

其中，所述I(u,v)表示所述大口徑光學(xué)元件表面劃痕暗場(chǎng)圖像中像素點(diǎn)(u,v)的灰度值；所述u表示所述像素點(diǎn)的橫坐標(biāo)；所述v表示所述像素點(diǎn)的縱坐標(biāo)；所述T₁表示第一閾值；所述T₂表示第二閾值。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述構(gòu)建模塊具體包括：

構(gòu)建單元，用于利用所述Gabor濾波器，構(gòu)建0°、45°、90°和135°方向的線段探測(cè)單元；

第一確定單元，用于將所述線段探測(cè)單元的形狀確定為與所述Gabor濾波器的明暗條紋一致；

第二確定單元，用于將所述線段探測(cè)單元的方向確定為與所述Gabor濾波器的方向一致；

第三確定單元，用于根據(jù)所述線段探測(cè)單元的寬度來(lái)確定所述線段探測(cè)單元的形狀。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括：

第一確定模塊，用于將|Lc-L_l|或|Lc-Lr|相差最大的方向確定為潛在劃痕的主方向；

第二二值化模塊，用于在所述主方向下根據(jù)下式對(duì)所述待檢測(cè)像素點(diǎn)進(jìn)行二值化：

|L_l-Lr|<T₃；

其中，所述T₃表示第三閾值。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括：

第二確定模塊，用于將|Lc-L_l|或|Lc-Lr|相差最大的方向確定為潛在劃痕的主方向；

第三二值化模塊，用于在所述主方向下根據(jù)下式對(duì)所述待檢測(cè)像素點(diǎn)進(jìn)行二值化：

L_l>T₄且Lr>T₄；

其中，所述T₄表示第四閾值。