48(商品名/東邦化學(xué)工業(yè)（株））、シ卡口一;kAN-103P(商品名/第一工業(yè)制藥 (株））、ア口シT-40(商品名/東亞合成化學(xué)工業(yè)（株））、八十力節(jié)夕CP(商品名/日本化 藥（株））、尹^ 乂 口一;kH12C(商品名/日本乳化劑（株））等。
[0072] 在該些分散劑之中，特別是能夠使用尹子一;kRNL(商品名/花王（株））、術(shù)y乂 《一0M(商品名/日本油脂（株））。
[0073] 接著，在使用該樣的研磨液對(duì)基底鍛層2的表面實(shí)施研磨加工時(shí)，如圖3AW及圖 3B所示，優(yōu)選將利用軸101實(shí)現(xiàn)的形成有基底鍛層2的非磁性基板1的旋轉(zhuǎn)速度設(shè)為50~ 3000巧m的范圍，更優(yōu)選設(shè)為1000~2500巧m的范圍。當(dāng)利用軸101實(shí)現(xiàn)的非磁性基板1 的旋轉(zhuǎn)速度小于50rpm時(shí)，為將基底鍛層2的表面平滑化需要非常長(zhǎng)的時(shí)間。另一方面，當(dāng) 利用軸101實(shí)現(xiàn)的非磁性基板1的旋轉(zhuǎn)速度超過(guò)3000rpm時(shí)，從噴嘴102供給的研磨液S 不停留在基底鍛層2的表面而向周圍飛散，因此不優(yōu)選。
[0074] 從噴嘴102供給的研磨液S的流量，優(yōu)選為10~200ml/分鐘。該研磨液S可W 向鍛覆有NiP的侶基板1的表面連續(xù)地供給，也可W隔開間隔地供給，或者，也可W不連續(xù) 地供給。研磨液S除了向基底鍛層2的表面供給W外，也能夠向研磨帶5的表面供給，或者 向基底鍛層2與研磨帶5之間供給。
[0075] 作為研磨帶105,能夠使用例如無(wú)紡布帶、織布帶、聚氨醋泡沫制的帶等。其中，作 為無(wú)紡布帶，能夠列舉例如TX014F、KSN06LPU(均為東麗公司制）。作為織布帶，能夠列舉 例如hk-シ一（東麗公司制）。
[0076] 無(wú)紡布帶由于能夠抑制擦痕等的發(fā)生而使基底鍛層2的表面平均粗趟度Ra極小， 因此優(yōu)選。無(wú)紡布帶的纖維直徑優(yōu)選為0.04旦巧爾W下。通過(guò)將無(wú)紡布帶的纖維直徑設(shè) 為0. 04旦巧爾W下，能夠使基底鍛層2的表面平均粗趟度Ra較小，并且形成線密度致密且 均勻的研磨面。
[0077] 研磨帶105能夠沿與非磁性基板1的旋轉(zhuǎn)方向相同的方向或相反的方向行進(jìn)。此 時(shí)，研磨帶105的行進(jìn)速度優(yōu)選為10~150mm/分鐘，更優(yōu)選為30~100mm/分鐘。通過(guò)設(shè) 為該范圍，能夠抑制擦痕等的發(fā)生、和研磨液S中的研磨材料粒子扎入或嵌入到基底鍛層2 的表面等。
[007引研磨帶105能夠在行進(jìn)的同時(shí)在非磁性基板1的徑向上擺動(dòng)。此時(shí)的擺動(dòng)速度優(yōu) 選為0. 1~20次/秒，更優(yōu)選為0. 5~10次/秒。當(dāng)為該范圍時(shí)，能夠得到充分的磨削量， 并且能夠得到抑制了擦痕等的發(fā)生的磨削狀態(tài)均勻的表面。
[0079] 由壓漉106產(chǎn)生的對(duì)研磨帶105的按壓壓力優(yōu)選為0. 01k奸(0. 1腳~化奸(50腳 的范圍內(nèi)，更優(yōu)選為0.0化奸(0.5N)~化奸(10腳的范圍。當(dāng)為該范圍時(shí)，能夠抑制擦痕等 的發(fā)生，形成平滑的研磨面。
[0080] 優(yōu)選在實(shí)施了上述的研磨加工之后進(jìn)行清潔工序，該清潔工序?qū)⒃诠┙o漉103與 卷繞漉104之間行進(jìn)的未圖示的清潔帶借助于壓漉106按壓到基底鍛層的表面。作為清潔 帶，能夠使用例如植毛帶、無(wú)紡布帶、聚氨醋泡沫制的帶等。由此，能夠從基底鍛層2的表面 除掉由上述研磨加工所產(chǎn)生的殘?jiān)?br>[0081] 精研磨工序后的基底鍛層2的表面平均粗趟度Ra越低越優(yōu)選，但優(yōu)選進(jìn)一步平滑 化成為比精研磨工序前的表面平均粗趟度Ra低0. 1埃W上、更優(yōu)選低0. 3埃W上的值。
[0082] 優(yōu)選；精研磨工序結(jié)束后直到層疊工序?yàn)橹沟臅r(shí)間為10小時(shí)W內(nèi)。在現(xiàn)有的磁記 錄介質(zhì)中，表面研磨工序后直到層疊工序?yàn)橹菇?jīng)過(guò)數(shù)天的天數(shù)的情況較多，有時(shí)在該期間 在基板的表面附著顆粒等。
[0083] 通過(guò)設(shè)為10小時(shí)W內(nèi)，能夠抑制不需要的顆粒等附著。特別是本實(shí)施方式中的精 研磨工序后的基底鍛層2的表面，其平滑性比W往高，因此顆粒等雜質(zhì)的影響變得更大。因 此，優(yōu)選：不像W往那樣長(zhǎng)時(shí)間放置，在10小時(shí)W內(nèi)進(jìn)行層疊工序。
[0084] 接著，對(duì)層疊工序進(jìn)行說(shuō)明。層疊工序在精研磨工序后的基底鍛層2上至少形成 軟磁性基底層3和垂直磁性層5。除此之外，也可W在軟磁性基底層3與垂直磁性層5之間 層疊取向控制層4、和/或、在垂直磁性層5之上層疊保護(hù)層6。
[0085] 層疊方法，通過(guò)使用W與各層的材料相同的組成的材料為原料的瓣射用祀，采用 DC或RF磁控瓣射法形成。使用了瓣射法的上述各層的形成方法，例如如W下那樣進(jìn)行。首 先，將在層形成中使用的室（chamber)內(nèi)排氣到真空度變?yōu)镮X 1(T4~IX 1(T中a的范圍。 接著，在室內(nèi)收納形成有包含NiP合金的基底鍛層的非磁性基板1，作為瓣射氣體導(dǎo)入例如 Ar氣并使其放電，由此進(jìn)行瓣射成膜。此時(shí)，供給的電力（power)設(shè)為0. 1~2kW，通過(guò)調(diào) 整放電時(shí)間和供給的電力，就能夠得到所希望的膜厚。
[0086] 軟磁性基底層3,優(yōu)選通過(guò)調(diào)節(jié)放電時(shí)間和供給的電力而W15~lOOnm的膜厚形 成于基底鍛層2上。
[0087] 在軟磁性基底層3的形成中，使用包含軟磁性材料的瓣射用祀能夠容易地形成軟 磁性基底層，因此優(yōu)選。作為軟磁性材料，能夠列舉出Co化合金（CoFeTaZr、Co化ZrNb等）、 化Co系合金（FeCoJeCoV等）JeNi系合金（FeNiJeNiMo、FeNiCr、FeNiSi等）JeAl系合 金（FeAl、化AlSi、FeAlSiCr、FeAlSiTiRu、FeAlO等）、化Cr系合金（化Cr、化CrTi、化CrCu 等）、化化系合金（FeTa、化化(：、I^eTaN等）、化Mg系合金（FeMgO等）、化Zr系合金（FeZrN 等）、FeC系合金、FeN系合金、FeSi系合金、FeP系合金、FeNb系合金、F細(xì)f系合金、FeB系 合金、含有60原子％W上的化的化A10、化MgO、FeTaN、化ZrN。進(jìn)而，能夠列舉出含有80 原子％W上的Co、并含有Zr、佩、Ta、&、Mo等之中的至少一種、且具有非晶結(jié)構(gòu)的CoZr、 CoZrNb、CoZrTa、CoZrCr、CoZrMo系合金來(lái)作為優(yōu)選的軟磁性材料。
[008引上述的瓣射用祀是采用烙煉法制造的合金祀或燒結(jié)合金祀。
[0089] 取向控制層4,優(yōu)選在軟磁性基底層3形成后通過(guò)調(diào)節(jié)放電時(shí)間和供給的電力而 W5~40皿的膜厚形成，更優(yōu)選W8~30皿的膜厚形成。作為在該取向控制層4的形成 中使用的瓣射用祀的材料，能夠列舉Ru系合金、Ni系合金、Co系合金。
[0090] 接著，形成垂直磁性層5。垂直磁性層5的形成，是使用瓣射用祀，同樣地利用瓣射 法來(lái)進(jìn)行。垂直磁性層5有包含氧化物的粒狀（grannular)結(jié)構(gòu)的磁性層和不包含氧化物 的磁性層，但作為形成粒狀結(jié)構(gòu)的磁性層的瓣射用祀，例如除了 90 (Col4化18Pt) -10 (Si〇2) [化含量為14原子％、Pt含量為18原子％、余量為Co的金屬組成為90mol%，由Si化構(gòu) 成的氧化物組成為lOmol% ]、92(ColOCrl6Pt)-8(Si〇2)[Cr含量為10原子％、Pt含量 為16原子％、余量為Co的金屬組成為92mol%，由Si化構(gòu)成的氧化物組成為8mol% ]、 94(Co8Crl4Pt4Nb)-6(Cr2〇3)Kr含量為8原子％、Pt含量為14原子％、佩含量為4原 子％、余量為Co的金屬組成為94mol%，由化2〇3構(gòu)成的氧化物組成為6mol% ]W外， 還能夠列舉出（CoCrPt) - (Ta2〇5)、（CoCrPt) - (&2〇3) - (Ti〇2)、（CoCrPt) - (&2〇3) - (Si〇2)、 (CoCrPt)-(Cr2〇3)-(Si〇2)-(Ti〇2)、（CoCrPtMo) - (TiO)、（CoCrPtW) - (TiO])、 (CoCrPtB) - (AI2O3)、（CoCrPtTaNd) - (MgO)、（CoCrP巧Cu)-化〇3)、（CoCrPtRu) - (Si〇2)等的組 成物。
[0091] 保護(hù)層6,在形成了垂直磁性層5后使用公知的方法、例如瓣射法、等離子體CVD法 或該些方法的組合來(lái)形成。該保護(hù)層6例如W碳為主成分。
[0092] 在保護(hù)層6上根據(jù)需要使用浸潰法、旋涂法等涂布全氣聚離的氣系潤(rùn)滑劑，形成 潤(rùn)滑層。
[0093] 如W上那樣制造出如圖1所示的垂直磁記錄介質(zhì)10。
[0094] <磁記錄再生裝置>
[0095] 圖4是表示使用了用上述制造方法制造出的垂直磁記錄介質(zhì)10的磁記錄再生裝 置的一例的截面圖。
[0096] 磁記錄再生裝置20,具備；如圖1所示那樣的構(gòu)成的垂直磁記錄介質(zhì)10、將該垂直 磁記錄介質(zhì)10旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的介質(zhì)驅(qū)動(dòng)部11、對(duì)垂直磁記錄介質(zhì)10進(jìn)行信息的記錄再生動(dòng)作 的磁頭12、使該磁頭12相對(duì)于垂直磁記錄介質(zhì)10進(jìn)行相對(duì)運(yùn)動(dòng)的磁頭驅(qū)動(dòng)部13、和記錄 再生信號(hào)處理系統(tǒng)14。記錄再生信號(hào)處理系統(tǒng)14能夠處理從外部輸入的數(shù)據(jù)，將記錄信號(hào) 發(fā)送到磁頭12,并處理來(lái)自磁頭12的再生信號(hào)，將數(shù)據(jù)發(fā)送到外部。
[0097] 在磁頭12中作為再生元件能夠使用利用了各向異性磁阻效應(yīng)（AMR)的 MR(magnetoresistance)元件、利用了巨磁電阻效應(yīng)（GMR)的GMR元件等W成為適于高記 錄密度的磁頭。
[009引實(shí)施例
[0099] W下，利用實(shí)施例使本發(fā)