明的效果更加明確。本發(fā)明并不被W下的實施例限定，能 夠在不變更其主旨的范圍適當(dāng)變更來實施。
[0100] (鏡面研磨基板的制造）
[0101] 利用車床切削加工了外徑65mm、內(nèi)徑20mm、厚度1. 3mm的環(huán)狀的侶合金制巧料 (5086對應(yīng)品）的內(nèi)外周端面、數(shù)據(jù)面。在利用磨石對該巧料進行磨削加工后，對全部表面 實施厚度約為10ym的非電解鍛Ni-P處理，將該基板供于研磨加工。
[0102] 關(guān)于研磨盤，使用具備上下一對平臺的研磨機（lappingmachine)，在相互反向地 旋轉(zhuǎn)的平臺之間夾入25個基板，一邊向基板的表面供給研磨液，一邊利用設(shè)置于平臺上的 研磨墊對該些基板的兩面進行研磨。此時的研磨墊使用了斯韋德（乂C工一F)型（Filwel 制）。對于研磨盤，使用3way型雙面研磨機（シ乂テ厶精工公司制的11B型）即使用第1 級的研磨（粗研磨）和第2級的研磨（中間研磨）用、W及第3級的研磨（鏡面研磨）用 的研磨機各1臺，W500ml/分鐘供給研磨液，并且將平臺的轉(zhuǎn)速設(shè)為20rpm，將加工壓力設(shè) 為llOg/cm2,每一面的研磨量為；第1級的研磨量設(shè)為約1. 5ym，第2級的研磨量設(shè)為約 0. 5ym，第3級的研磨量設(shè)為約0. 3ym。
[0103] 在使用了第1研磨盤的第1級的研磨工序（粗研磨工序）中，一邊供給研磨漿液 一邊研磨了 3分鐘，該研磨漿液是在添加有馨合劑、氧化劑的調(diào)整為抑1. 5的酸性區(qū)域的水 溶液中分散有5質(zhì)量％的50%累計平均直徑（W下稱為D50)為0. 5ym的氧化侶磨粒的漿 液。然后，結(jié)束研磨漿液的供給，一邊替代地供給水，一邊研磨了 2分鐘。
[0104] 該兩分鐘的研磨中的研磨墊上殘留的研磨漿液如下。在約1分鐘后研磨漿液中所 含的氧化侶磨粒為0. 1質(zhì)量％左右，在2分鐘后研磨漿液中所含的氧化侶磨粒為0. 05質(zhì) 量％ ^下。其后，停止水的供給，一邊供給添加有5質(zhì)量％的D50為30皿的膠體二氧化娃磨 粒、且添加有馨合劑、氧化劑的調(diào)整為抑1. 5的酸性區(qū)域的研磨漿液，一邊研磨3分鐘（中 間研磨工序）。
[01化]在第2級的研磨工序之后，水洗被研磨了的基板，使用第2研磨盤進行了第3級的 研磨工序（鏡面研磨工序）。在該第3級的研磨中，使D50為10皿的膠體二氧化娃磨粒W 7質(zhì)量％分散在添加有馨合劑、氧化劑的調(diào)整為pHl. 5的酸性區(qū)域的水溶液中，用研磨漿液 研磨了 8分鐘。其后，水洗基板，并結(jié)束基板的鏡面研磨工序。
[0106] (實施例1)
[0107] 將該鏡面研磨了的鍛有NiP層的侶基板供于精研磨加工。精研磨加工的條件如 下。即，研磨劑使用十y工一 乂ZR-40化（平均粒徑92皿，堿性氧化錯溶膠，日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)公 司制），研磨劑的溶劑使用純水，將氧化錯研磨粒子的濃度設(shè)為0. 0005質(zhì)量％。該研磨液在 開始加工之前W100ml/分鐘的滴下速度滴下2秒鐘。研磨帶使用聚醋制的織物布，研磨帶 的輸送設(shè)為75mm/分鐘。鍛有NiP層的侶基板的轉(zhuǎn)速設(shè)為2000巧m，鍛有NiP層的侶基板的 擺動設(shè)為5. 2次/秒。對帶的按壓力設(shè)為0.化奸(1腳，加工時間設(shè)為1. 4秒。
[0108] 在洗漆該鍛有NiP層的侶基板后約1小時后，將其收納在DC磁控瓣射裝置（六本 八公司制C-3010)的成膜室內(nèi)，將成膜室內(nèi)排氣至真空度變?yōu)? X 1(T中a,在基板上，使用 Co4Z^Nb[Zr含量為4原子％、佩含量為7原子％、余量為Co]祀在100°CW下的基板溫度 下形成了 100皿的軟磁性層。在該軟磁性層上形成8皿的Ru層后，形成100皿的Co4Z^Nb 軟磁性層，從而形成了軟磁性基底層。
[0109] 接著，在軟磁性基底層之上，使用Ni6W[W含量為6原子％、余量為Ni]祀、Ru祀分 別Wl〇nm、20nm的厚度依次成膜，作為取向控制層。
[0110] 在取向控制層之上，W60nm的厚度形成了90(Col3Crl6Pt)-4(Si〇2)-3(Cr2〇3)-3( Ti化）[將化含量為13原子％、Pt含量為16原子％、余量為Co的合金組成設(shè)為90mol%， 將由Si化構(gòu)成的氧化物設(shè)為4mol%，將由化203構(gòu)成的氧化物設(shè)為3mol%，將由Ti02構(gòu)成 的氧化物設(shè)為3mol%]的組成的磁性層。
[01在該磁性層之上，W10皿的厚度形成了由88(C020化)-12(Ti02)構(gòu)成的非磁性 層。
[0112] 在該非磁性層之上，W30nm的厚度形成了由 92(Co9. 5Crl6Pt7Ru)-5(Si〇2)-3(Cr2 〇3)構(gòu)成的磁性層。進而，在該磁性層之上，Wio皿的厚度形成了由Ru構(gòu)成的非磁性層。
[0113] 在該非磁性層之上，使用由Col6&16Pt8BKr含量為16原子％、Pt含量為16原 子％、B含量為8原子％、余量為Co]構(gòu)成的祀，將瓣射壓力設(shè)為3Pa，形成了lOnm的厚度的 垂直磁性層。
[0114] 接著，利用CVD法形成了膜厚5nm的保護層。在保護層上，利用浸潰法形成由全氣 聚離構(gòu)成的潤滑層，得到了實施例1的垂直磁記錄介質(zhì)。
[01巧](實施例2~12、比較例1~6)
[0116] 研磨材料除了十7工一乂ZR-40化之外，使用了十7工一乂ZR-30BS(平均粒徑 64nm，堿性氧化錯溶膠，日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)公司制）、十y工一 乂ZR-30BFN(平均粒徑15nm，堿性 氧化錯溶膠，日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)公司制），除此W外采用與實施例1同樣的方法制作了垂直磁記 錄介質(zhì)。在各研磨材料中，使研磨材料的濃度變化，與實施例1同樣地制造了垂直磁記錄介 質(zhì)。在表1中示出精研磨工序的條件。
[0117] (比較例7~10)
[0118] 在比較例7中，作為研磨材料，使用了 1次粒子為5皿、2次粒子為70皿、濃度為 0.0005質(zhì)量％的簇狀金剛石（clusterdiamond),除此W外采用與實施例1同樣的方法制 作了垂直磁記錄介質(zhì)。在比較例8~10中，除了使比較例7的簇狀金剛石的濃度變化W外， 采用與比較例7同樣的方法制作了垂直磁記錄介質(zhì)。在表1中示出精研磨工序的條件。
[0119] (磁記錄介質(zhì)的評價）
[0120] 對在實施例W及比較例中制造出的磁記錄介質(zhì)進行了表面檢查。表面檢查使用 Tencor公司制（美國）的激光式表面檢查裝置（0SA6120)，對表面的擦痕等的缺陷進行了 評價。在表1中示出評價結(jié)果。在圖5中示出實施例、比較例中的代表性的基底鍛層表面 的缺陷的分布狀態(tài)。
[0121] [表 1]
[0122]
[012引※將有一處W上的超過0. 5ym深度/15mm長度的缺陷的基板判為不良。
【主權(quán)項】
1. 一種垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，所述垂直磁記錄介質(zhì)在非磁性基板上形成有包含 NiP系合金的基底鍍層，而且在該基底鍍層之上依次層疊有軟磁性基底層、垂直磁性層，該 制造方法的特征在于，具有： 粗研磨工序，該工序?qū)Π琋iP系合金的基底鍍層的表面進行研磨； 鏡面研磨工序，該工序?qū)λ龃盅心チ说幕族儗拥谋砻孢M一步進行鏡面研磨； 精研磨工序，該工序?qū)λ鲧R面研磨了的基底鍍層的表面進一步進行精研磨；和 層疊工序，該工序在所述精研磨了的基底鍍層上層疊軟磁性基底層、垂直磁性層， 在所述精研磨工序中使用的研磨液包含〇. 0005質(zhì)量％~0. 05質(zhì)量％的范圍內(nèi)的平均 粒徑為IOnm~150nm的氧化錯粒子。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于， 所述氧化錯粒子的粒徑為50nm~150nm。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于， 在所述精研磨工序中使用的研磨液包含膠體狀的氧化鋯粒子。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于， 所述精研磨工序結(jié)束后直到所述層疊工序為止的時間為10小時以內(nèi)。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于， 所述粗研磨工序采用使用了包含氧化鋁磨粒的研磨液的雙面研磨盤進行。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于， 所述鏡面研磨工序采用使用了包含膠體二氧化娃磨粒的研磨液的雙面研磨盤進行。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于， 所述精研磨工序通過用研磨帶夾著旋轉(zhuǎn)的基板的兩個表面、并向所述研磨帶供給研磨 液來進行。
【專利摘要】本發(fā)明涉及垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，所述垂直磁記錄介質(zhì)在非磁性基板上形成有包含NiP系合金的基底鍍層，且在該基底鍍層之上依次層疊有軟磁性基底層、垂直磁性層，該制造方法具有：粗研磨工序，該工序?qū)Π琋iP系合金的基底鍍層的表面進行研磨；鏡面研磨工序，該工序?qū)λ龃盅心チ说幕族儗拥谋砻孢M一步進行鏡面研磨；精研磨工序，該工序?qū)λ鲧R面研磨了的基底鍍層的表面進一步進行精研磨；和層疊工序，該工序在所述精研磨了的基底鍍層上層疊軟磁性基底層、垂直磁性層，在所述精研磨工序中使用的研磨液包含0.0005質(zhì)量％～0.05質(zhì)量％的范圍內(nèi)的平均粒徑為10nm～150nm的氧化鋯粒子。
【IPC分類】G11B5/84
【公開號】CN104978979
【申請?zhí)枴緾N201510158129
【發(fā)明人】畑山博史
【申請人】昭和電工株式會社
【公開日】2015年10月14日
【申請日】2015年4月3日