濾波器。然后，如圖2所示，針對各角度Θ時的每個角度方向算出預(yù)定角度方向上的角度 方向算術(shù)平均粗糙度Ra_deg。
[0047] 具體而言，在磁盤用玻璃基板的主表面中，算出長邊方向的長度L、短邊方向的長 度L/3的區(qū)域中的角度方向算術(shù)平均粗糙度Ra_deg。在本實施方式中，將長邊方向設(shè)為角 度方向，例如，長邊方向的長度L設(shè)定為500nm。在使角度方向以每次變化Γ的方式變化 的同時進(jìn)行算出角度方向算術(shù)平均粗糙度Ra_deg的工序，由此得到角度方向的角度Θ與 角度方向算術(shù)平均粗糙度Ra_deg的關(guān)系。將如此得到的角度方向的角度Θ與角度方向算 術(shù)平均粗糙度Ra_deg的關(guān)系示于圖3中。將如圖3所示的角度方向算術(shù)平均粗糙度Ra_ deg中的最大值設(shè)為角度方向算術(shù)平均粗糙度最大值Ra_deg_max、且將最小值設(shè)為角度方 向算術(shù)平均粗糙度最小值Ra_deg_min。
[0048] 需要說明的是，在本實施方式中，首先，在通過AFM得到的磁盤用玻璃基板的主表 面的數(shù)據(jù)中，提取出短邊方向和長邊方向的長方形的部分的數(shù)據(jù)，針對各短邊方向的數(shù)據(jù) 求出高度的平均值（短邊方向的平均高度）。接著，將由短邊方向的平均高度形成的長邊方 向的曲線作為其角度方向上的截面曲線（該角度時的長邊方向的截面曲線）。并且，算出長 邊方向的截面曲線的算術(shù)平均粗糙度，將其作為角度方向算術(shù)平均粗糙度Ra_deg。
[0049] 基于如此得到的角度方向算術(shù)平均粗糙度最大值Ra_deg_max及角度方向算術(shù)平 均粗糙度最小值 Ra_deg_min，算出（Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值。
[0050] 對于本實施方式中的磁盤用玻璃基板而言，根據(jù)通過AFM得到的結(jié)果在預(yù)定的區(qū) 域中在使角度方向以每次變化Γ的方式從0°變化至180°的同時算出各角度方向上的 角度方向算術(shù)平均粗糙度Ra_deg，在將算出的角度方向算術(shù)平均粗糙度Ra_deg中的最大 值設(shè)為角度方向算術(shù)平均粗糙度最大值Ra_deg_max、將最小值設(shè)為角度方向算術(shù)平均粗糙 度最小值 Ra_deg_min 的情況下，（Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值為 2. 6 以下。
[0051] 通過使（Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值為2. 6以下，在磁盤用玻璃基板的主平 面上形成磁性層等而制成磁盤后對記錄再現(xiàn)信號的強(qiáng)度進(jìn)行評價時，能夠抑制再現(xiàn)時所得 到的輸出功率為閾值以下，能夠使磁盤進(jìn)一步高記錄密度化。
[0052] 需要說明的是，在本實施方式中，（Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值更優(yōu)選為2. 4 以下、進(jìn)一步優(yōu)選為2. 2以下、更進(jìn)一步優(yōu)選為2. 0以下。
[0053] 另外，對于本實施方式中的磁盤用玻璃基板而言，（Ra_deg_max)_(Ra_deg_min)的 值為0.024nm以下。
[0054] 通過使（Ra_deg_max)_(Ra_deg_min)的值為0· 024nm以下，在磁盤用玻璃基板的 主平面上形成磁性層等而制成磁盤后對記錄再現(xiàn)信號的強(qiáng)度進(jìn)行評價時，能夠抑制再現(xiàn)時 所得到的輸出功率為閾值以下，能夠使磁盤進(jìn)一步高記錄密度化。
[0055] 需要說明的是，在本實施方式中，（Ra_deg_max) - (Ra_deg_min)的值更優(yōu)選為 0· 022nm以下、進(jìn)一步優(yōu)選為0· 018nm以下、更進(jìn)一步優(yōu)選為0· 016nm以下。
[0056] 需要說明的是，對于角度方向算術(shù)平均粗糙度Ra_deg而言，為了在不受測定時的 干擾、磁盤用玻璃基板自身的起伏等阻礙的情況下準(zhǔn)確地把握條狀圖案的狀態(tài)，優(yōu)選使用 波長為條狀圖案的周期的約2倍的高通濾波器。
[0057] (磁盤）
[0058] 如圖4所示，本實施方式中的磁盤通過在上述本實施方式中的磁盤用玻璃基板10 的主表面30上形成作為垂直磁化膜50的垂直磁性層的膜而制作。作為形成垂直磁性層的 磁性材料，可以列舉CoCrPt系合金、FePt系合金等。
[0059] 具體而言，通過下述方法在本實施方式中的磁盤用玻璃基板10上形成垂直磁性 層的膜等，由此制作出磁盤。所制作的磁盤在磁盤用玻璃基板的主表面上至少形成有垂直 磁性層、保護(hù)層、潤滑膜。垂直磁性層使用與垂直磁記錄方式相對應(yīng)的材料。需要說明的是， 欲進(jìn)一步提高記錄密度的情況下，優(yōu)選能量輔助磁記錄方式（例如，熱輔助磁記錄方式、微 波輔助磁記錄方式等），這種情況下，在垂直磁性層中可以使用與能量輔助磁記錄方式相對 應(yīng)的材料。
[0060] 垂直記錄方式的情況下，通常形成由軟磁性材料構(gòu)成的軟磁性基底層，所述軟磁 性材料發(fā)揮使來自磁頭的記錄磁場回流的作用。軟磁性基底層可以使用含有Co、Fe、Ni等 的軟磁性材料。具體而言，可以使用FeCo系合金、FeNi系合金、FeAl系合金、FeCr系合金、 FeTa系合金、FeMg系合金、FeZr系合金、FeC系合金、FeN系合金、FeSi系合金、FeP系合金、 FeNb系合金、FeHf系合金、FeB系合金等。
[0061] 另外，為了抑制磁盤用玻璃基板10的主表面30處的吸附氣體、吸附水分的影響， 或者抑制因磁盤用玻璃基板10中所含的成分的擴(kuò)散等導(dǎo)致的軟磁性基底層的腐蝕，可以 在磁盤用玻璃基板10與軟磁性基底層之間設(shè)置有密合層。作為形成密合層的材料，可以列 舉Cr、Cr合金、Ti、Ti合金等，優(yōu)選厚度約為2nm~40nm。密合層例如可以通過利用派射 進(jìn)行成膜來形成。
[0062] 通過在軟磁性基底層與垂直磁性層之間設(shè)置取向控制層，可以使垂直磁性層的晶 粒微細(xì)化、提高記錄再現(xiàn)特性。取向控制層可以使用Ru或Ru合金，含有Pt、Au及Ag的材 料，以及CoCr系合金，Ti或Ti合金等材料，膜厚優(yōu)選約2~20nm。該取向控制層具有使垂 直磁性層的外延生長變得容易的功能、及隔斷軟磁性基底層與垂直磁性層的磁交換耦合的 功能。此外，可以在軟磁性基底層與取向控制層之間設(shè)置用于控制取向控制層的結(jié)晶粒徑 的籽晶層。籽晶層例如可以使用NiW系合金。垂直磁性層是易磁化軸朝向相對于磁盤用玻 璃基板中的主表面的垂直方向的磁性膜，由含有Co、Cr、Pt等的材料形成。
[0063] 為了降低導(dǎo)致高固有介質(zhì)干擾的晶粒間交換耦合，垂直磁性層優(yōu)選為良好隔離開 的微粒結(jié)構(gòu)、即顆粒狀結(jié)構(gòu)。具體而言，優(yōu)選在CoCrPt系合金等中添加氧化物（Si0 2、Si0、 Cr203、C〇0、Ta205、Ti0 2等）、Cr、B、Ta、Zr 等。
[0064] 垂直磁性層可以為磁性層與非磁性層交替層疊的結(jié)構(gòu)。這種情況下，非磁性層例 如使用Ru或Ru合金的材料并使厚度為0. 6~1. 2nm，由此能夠使磁性層AFC結(jié)合（反強(qiáng)磁 性交換耦合）。
[0065] 為了防止垂直磁性層的腐蝕、并且在磁頭與介質(zhì)接觸時防止磁盤表面的損傷，在 垂直磁性層之上形成有保護(hù)層。保護(hù)層由含有C、Zr02、Si02等的材料形成，可以通過濺射、 CVD(chemical vapor deposition，化學(xué)氣相沉積）等進(jìn)行成膜而形成。
[0066] 為了降低磁頭與記錄介質(zhì)的摩擦，在保護(hù)膜的表面上形成有潤滑膜。潤滑膜例如 可以使用全氟聚醚、氟化醇、氟化羧酸等。這些潤滑膜可以通過浸涂法、噴涂法等形成。
[0067] 實施例
[0068] (磁盤用玻璃基板的制造方法）
[0069] 作為本實施方式中的例1~9中的磁盤用玻璃基板，對外徑為65mm、內(nèi)徑為20mm、 板厚為〇. 64mm的磁盤用玻璃基板的制造方法進(jìn)行說明。本申請中，例1~7為實施例，例 8、9為比較例。
[0070] 對通過浮法成形出的以Si02作為主要成分的玻璃坯板進(jìn)行圓形（圓環(huán)形狀）加 工，即加工成圓環(huán)狀圓形玻璃基板（在中央部具有圓孔的圓盤形狀玻璃基板，以下有時僅 記載為玻璃基板）。
[0071] 接著，對該圓環(huán)狀圓形玻璃基板的內(nèi)周側(cè)面和外周側(cè)面進(jìn)行倒角加工從而得到倒 角寬度為〇. 15mm、倒角角度45°的磁盤用玻璃基板。
[0072] 接著，使用氧化鋁磨粒，對玻璃基板的上下的主表面進(jìn)行磨削，清洗除去磨粒。 使用作為研磨工具的鑄鐵臺板（定盤）和含有氧化鋁磨粒的研削液，通過雙面研磨裝置 (SPEEDFAM公司制、產(chǎn)品名：DSM-16B-5PV-4MH)，對玻璃基板的上下的主表面進(jìn)行一次研 削。
[0073] 接著，使用研磨刷和氧化鈰磨粒對外周側(cè)面和外周倒角部進(jìn)行研磨，除去外周側(cè) 面和外周倒角部的傷痕，將外周端面研磨加工成鏡面。然后，對外周端面研磨后的玻璃基板 清洗除去磨粒。
[0074] 接著，使用研磨刷和氧化鈰磨粒對玻璃基板的內(nèi)周側(cè)面和內(nèi)周倒角部進(jìn)行研磨， 除去內(nèi)周側(cè)面和內(nèi)周倒角部的傷痕，將內(nèi)周端面研磨加工成鏡面，清洗除去磨粒。
[0075] 接著，使用作為研磨工具的固定磨粒工具（含有平均粒徑為4μηι的金剛石 粒子）和含有表面活性劑的研削液，通過雙面研削裝置（SPEEDFAM公司制、產(chǎn)品名： DSM-16B-5PV-4MH)對上下的主表面進(jìn)行二次研削（利用固定磨粒進(jìn)行的研削），清洗二次 研削后的玻璃基板，除去研削液及其他污漬。
[0076] 然后，對該玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨，由此制作出外徑為65mm、內(nèi)徑為20mm、板 厚為0. 64mm的作為實施例和比較例的磁盤用玻璃基板。
[0077] 在主表面研磨工序中，首先進(jìn)行一次研磨。具體而言，使用作為研磨工具的軟質(zhì)氨 基甲酸酯制的研磨墊（絨面革系研磨墊）和含有氧化鈰磨粒的研磨液（以平均粒子直徑 (以下簡稱為平均粒徑）約為1. 〇 μπι的氧化鈰作為主要成分的研磨液組合物），通過16B