型雙面研磨裝置（SPEEDFAM公司制、產(chǎn)品名：DSM16B-5PV-4MH)，對(duì)玻璃基板的上下的主表 面進(jìn)行一次研磨。一次研磨中，在主研磨加工壓力為120g/cm 2、下臺(tái)板轉(zhuǎn)速為30rpm、上臺(tái)板 轉(zhuǎn)速以與下臺(tái)板反方向地為l〇rpm、研磨載具公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速lOrpm、自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速3rpm的條件下，對(duì) 上下兩主平面進(jìn)行板厚方向上合計(jì)30 μπι的研磨，對(duì)研磨后的玻璃基板清洗除去氧化鈰。
[0078] 接著，進(jìn)行二次研磨（最終研磨）。具體而言，使用作為研磨工具的軟質(zhì)氨基甲酸 酯制的研磨墊和含有平均粒徑為20nm的膠態(tài)二氧化娃磨粒的研磨液，通過(guò)16Β型雙面研磨 裝置（SPEEDFAM公司制、產(chǎn)品名：DSM16B-5PV-4MH)，對(duì)一次研磨后的玻璃基板的上下的主 表面進(jìn)行二次研磨。二次研磨應(yīng)用了后述的在途中切換研磨壓力、上下臺(tái)板的轉(zhuǎn)速及研磨 載具的自轉(zhuǎn)、公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速的兩階段的條件。
[0079] 接著，進(jìn)行研磨后清洗。具體而言，對(duì)研磨后的玻璃基板清洗除去研磨劑。
[0080] 接著，進(jìn)行最終清洗。具體而言，對(duì)進(jìn)行了二次研磨及研磨后清洗的玻璃基板依次 進(jìn)行利用堿性洗滌劑的擦洗清洗、在浸漬于堿性洗滌劑溶液中的狀態(tài)下的超聲波清洗、在 浸漬于純水中的狀態(tài)下的超聲波清洗，利用異丙醇蒸氣進(jìn)行干燥。
[0081] (磁盤(pán)用玻璃基板的評(píng)價(jià)方法）
[0082] 作為磁盤(pán)用玻璃基板的評(píng)價(jià)，使用AFM對(duì)磁盤(pán)用玻璃基板的主表面的算術(shù)平均粗 糙度Ra進(jìn)行測(cè)定。另外，基于上述角度方向算術(shù)平均粗糙度Ra_deg的算出方法，得到角度 方向算術(shù)平均粗糙度最大值Ra_deg_max、角度方向算術(shù)平均粗糙度最小值Ra_deg_min，從 而算出（Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值、（Ra_deg_max)_(Ra_deg_min)的值。
[0083] AFM裝置使用PARK Systems公司制造的XE-HDM。測(cè)定區(qū)域?yàn)? μ m □、采樣點(diǎn)為 256點(diǎn)X256點(diǎn)。AFM的測(cè)定在磁盤(pán)用玻璃基板的主平面的中央部實(shí)施，在本實(shí)施方式中， 在自磁盤(pán)用玻璃基板的中心起21_的區(qū)域內(nèi)實(shí)施。
[0084] 需要說(shuō)明的是，如上所述，對(duì)測(cè)定數(shù)據(jù)進(jìn)行傾斜校正，對(duì)進(jìn)行傾斜校正后的測(cè)定數(shù) 據(jù)施加40nm的高通濾波器后，算出角度方向算術(shù)平均粗糙度Ra_deg。
[0085] (磁盤(pán)的制造方法）
[0086] 對(duì)使用例1~9中的磁盤(pán)用玻璃基板制造磁盤(pán)的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0087] 具體而言，對(duì)例1~9中的磁盤(pán)用玻璃基板進(jìn)行精密清洗除去表面的粒子后， 通過(guò)在線型濺射裝置以Cr靶的方式形成膜厚為10nm的密合層的膜。在密合層之上，以 Co-Fe-Zr-Ta合金作為革E，形成30nm膜厚的軟磁性基底層。接著，以NiW合金作為革E，形成 lOnm膜厚的籽晶層。在籽晶層之上，以Ru作為靶，形成10nm膜厚的取向控制層。在取向控 制層之上，形成lOnm膜厚的C 〇CrPt-Si02的顆粒狀結(jié)構(gòu)層作為垂直磁性層，形成0· 6nm膜 厚的Ru膜作為非磁性中間層，進(jìn)一步形成6nm膜厚的CoCrPt-SiOj^顆粒狀結(jié)構(gòu)層作為磁 性層。將層疊有上述各層的磁盤(pán)用玻璃基板從在線型濺射裝置中取出，通過(guò)CVD法形成3nm 膜厚的碳膜作為保護(hù)層。然后，通過(guò)浸涂法，在保護(hù)層之上形成2nm膜厚的全氟聚醚的潤(rùn)滑 層。
[0088] (磁盤(pán)評(píng)價(jià)）
[0089] 接著，對(duì)制作出的磁盤(pán)進(jìn)行基于缺失位（Missing Bits)的磁盤(pán)評(píng)價(jià)。將其結(jié)果示 于表1中。缺失位是在線記錄密度為1600kBPI、磁道密度為500kTPI (面記錄密度800Gbit/ inch2)的條件下進(jìn)行記錄并測(cè)定再現(xiàn)時(shí)的信號(hào)強(qiáng)度來(lái)評(píng)價(jià)。再現(xiàn)時(shí)所得到的輸出功率中， 將為合格的閾值（第一閾值）以下的設(shè)為缺失位，將為第一閾值以下但可修正的第二閾值 (第一閾值的80% )以上的設(shè)為可修正缺失位（Correctable Missing Bit)、將不能修正 的（低于第一閾值的80% )設(shè)為不可修正缺失位（Uncorrectable Missing Bit)，對(duì)各條 件500片的磁盤(pán)進(jìn)行測(cè)定，以每個(gè)面的個(gè)數(shù)的方式算出。
[0090] 在表1中，磁盤(pán)的評(píng)價(jià)基于如此測(cè)定的可修正缺失位、不可修正缺失位以A、B、C、D 的等級(jí)表示。具體而言，如表2所示，將可修正缺失位小于0. 3 (個(gè)/面）、不可修正缺失位 小于〇. 1(個(gè)/面）的設(shè)為等級(jí)A。另外，將可修正缺失位為0.3~小于0.4(個(gè)/面）、不 可修正缺失位為〇. 1~小于〇.2(個(gè)/面）的設(shè)為等級(jí)B。另外，將可修正缺失位為0.4~ 小于0.7(個(gè)/面）、不可修正缺失位為0.2~小于0.3(個(gè)/面）的設(shè)為等級(jí)C。另外，將 可修正缺失位大于或等于〇. 7 (個(gè)/面）、不可修正缺失位大于或等于0. 3 (個(gè)/面）的設(shè)為 等級(jí)D。
[0091]
[0092] [表 2]
[0093]
[0094] 以下，對(duì)例1~9詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。
[0095] (例 1)
[0096] 對(duì)于例1中的磁盤(pán)用玻璃基板而言，二次研磨的第一階段是在lOOg/cm2的壓力下 且上臺(tái)板轉(zhuǎn)速為-7rpm、下臺(tái)板轉(zhuǎn)速為21rpm、研磨載具公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為7rpm、研磨載具自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn) 速為2. 5rpm、研磨時(shí)間為20分鐘的條件下進(jìn)行。另外，二次研磨的第二階段在40g/cm2的 壓力下且上臺(tái)板轉(zhuǎn)速為_(kāi)3rpm、下臺(tái)板轉(zhuǎn)速為9rpm、研磨載具公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為3rpm、研磨載具自 轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為1. lrpm、研磨時(shí)間為0. 5分鐘的條件下進(jìn)行。
[0097] 對(duì)于在該條件下制作出的例1中的磁盤(pán)用玻璃基板而言，通過(guò)AFM得到的算術(shù)平 均粗糙度Ra為0. 08nm，角度方向算術(shù)平均粗糙度最大值Ra_deg_max為0. 031nm，角度方向 算術(shù)平均粗糙度最小值 Ra_deg_min 為 0. 016nm，（Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值為 2. 0， (Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值為0. 015nm。另外，在例1中的磁盤(pán)用玻璃基板上形成垂 直磁性層的膜而得到的磁盤(pán)的磁盤(pán)評(píng)價(jià)的結(jié)果是可修正缺失位為等級(jí)A、不可修正缺失位 為等級(jí)A。
[0098] (例 2)
[0099] 對(duì)于例2中的磁盤(pán)用玻璃基板而言，二次研磨的第一階段是在lOOg/cm2的壓力下 且上臺(tái)板轉(zhuǎn)速為-7rpm、下臺(tái)板轉(zhuǎn)速為21rpm、研磨載具公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為7rpm、研磨載具自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn) 速為2. 5rpm、研磨時(shí)間為20分鐘的條件下進(jìn)行。另外，二次研磨的第二階段是在50g/cm2 的壓力下且上臺(tái)板轉(zhuǎn)速為-3rpm、下臺(tái)板轉(zhuǎn)速為9rpm、研磨載具公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為3rpm、研磨載具 自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為1. 5rpm、研磨時(shí)間為0. 5分鐘的條件下進(jìn)行。
[0100] 對(duì)在該條件下制作出的例2中的磁盤(pán)用玻璃基板而言，通過(guò)AFM得到的算術(shù)平均 粗糙度Ra為0. 07nm，角度方向算術(shù)平均粗糙度最大值Ra_deg_max為0. 030nm，角度方向 算術(shù)平均粗糙度最小值 Ra_deg_min 為 0. 016nm，（Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值為 1. 9， (Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值為0. 015nm。另外，在例2中的磁盤(pán)用玻璃基板上形成垂 直磁性層的膜而得到的磁盤(pán)的磁盤(pán)評(píng)價(jià)的結(jié)果是可修正缺失位為等級(jí)A、不可修正缺失位 為等級(jí)A。
[0101] (例 3)
[0102] 對(duì)于例3中的磁盤(pán)用玻璃基板而言，二次研磨的第一階段是在lOOg/cm2的壓力下 且上臺(tái)板轉(zhuǎn)速為-7rpm、下臺(tái)板轉(zhuǎn)速為21rpm、研磨載具公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為7rpm、研磨載具自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn) 速為2. 5rpm、研磨時(shí)間為20分鐘的條件下進(jìn)行。另外，二次研磨的第二階段是在60g/cm2 的壓力下且上臺(tái)板轉(zhuǎn)速為-3rpm、下臺(tái)板轉(zhuǎn)速為9rpm、研磨載具公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為3rpm、研磨載具 自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為1. lrpm、研磨時(shí)間為0. 5分鐘的條件下進(jìn)行。
[0103] 對(duì)在該條件下制作出的例3中的磁盤(pán)用玻璃基板而言，通過(guò)AFM得到的算術(shù)平均 粗糙度Ra為0. llnm，角度方向算術(shù)平均粗糙度最大值Ra_deg_max為0. 037nm，角度方向 算術(shù)平均粗糙度最小值 Ra_deg_min 為 0. 018nm，（Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值為 2. 1， (Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值為0. 020nm。另外，在例3中的磁盤(pán)用玻璃基板上形成垂 直磁性層的膜而得到的磁盤(pán)的磁盤(pán)評(píng)價(jià)的結(jié)果是可修正缺失位為等級(jí)B，不可修正缺失位 為等級(jí)A。
[0104] (例 4)
[0105] 對(duì)于例4中的磁盤(pán)用玻璃基板而言，二次研磨的第一階段是在lOOg/cm2的壓力下 且上臺(tái)板轉(zhuǎn)速為-7rpm、下臺(tái)板轉(zhuǎn)速為21rpm、研磨載具公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為7rpm、研磨載具自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn) 速為2rpm、研磨時(shí)間為20分鐘的條件下進(jìn)行。另外，二次研磨的第二階段是在50g/cm 2的 壓力下且上臺(tái)板轉(zhuǎn)速為_(kāi)3rpm、下臺(tái)板轉(zhuǎn)速為9rpm、研磨載具公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為3rpm、研磨載具自 轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為〇. 6rpm、研磨時(shí)間為0. 5分鐘的條件下進(jìn)行。
[0106] 對(duì)在該條件下制作出的例4中的磁盤(pán)用玻璃基板而言，通過(guò)AFM得到的算術(shù)平均 粗糙度Ra為0. 12nm，角度方向算術(shù)平均粗糙度最大值Ra_deg_max為0. 033nm，角度方向 算術(shù)平均粗糙度最小值 Ra_deg_min 為 0. 015nm，（Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值為 2. 2， (Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值為0. 0