18nm。另外，在例4中的磁盤用玻璃基板上形成垂 直磁性層的膜而得到的磁盤的磁盤評(píng)價(jià)的結(jié)果是可修正缺失位為等級(jí)B，不可修正缺失位 為等級(jí)A。
[0107] (例 5)
[0108] 對(duì)于例5中的磁盤用玻璃基板而言，二次研磨的第一階段是在lOOg/cm2的壓力下 且上臺(tái)板轉(zhuǎn)速為-7rpm、下臺(tái)板轉(zhuǎn)速為21rpm、研磨載具公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為7rpm、研磨載具自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn) 速為2rpm、研磨時(shí)間為20分鐘的條件下進(jìn)行。另外，二次研磨的第二階段是在50g/cm 2的 壓力下且上臺(tái)板轉(zhuǎn)速為_3rpm、下臺(tái)板轉(zhuǎn)速為9rpm、研磨載具公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為3rpm、研磨載具自 轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為〇. 5rpm、研磨時(shí)間為0. 5分鐘的條件下進(jìn)行。
[0109] 對(duì)在該條件下制作出的例5中的磁盤用玻璃基板而言，通過AFM得到的算術(shù)平均 粗糙度Ra為0. 10nm，角度方向算術(shù)平均粗糙度最大值Ra_deg_max為0. 033nm，角度方向 算術(shù)平均粗糙度最小值 Ra_deg_min 為 0. 014nm，（Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值為 2. 3， (Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值為0. 019nm。另外，在例5中的磁盤用玻璃基板上形成垂 直磁性層的膜而得到的磁盤的磁盤評(píng)價(jià)的結(jié)果是可修正缺失位為等級(jí)C，不可修正缺失位 為等級(jí)A。
[0110] (例 6)
[0111] 對(duì)于例6中的磁盤用玻璃基板而言，二次研磨的第一階段是在lOOg/cm2的壓力下 且上臺(tái)板轉(zhuǎn)速為-7rpm、下臺(tái)板轉(zhuǎn)速為21rpm、研磨載具公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為7rpm、研磨載具自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn) 速為2rpm、研磨時(shí)間為20分鐘的條件下進(jìn)行。另外，二次研磨的第二階段是在50g/cm 2的 壓力下且上臺(tái)板轉(zhuǎn)速為_3rpm、下臺(tái)板轉(zhuǎn)速為9rpm、研磨載具公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為3rpm、研磨載具自 轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為〇. 3rpm、研磨時(shí)間為0. 5分鐘的條件下進(jìn)行。
[0112] 對(duì)在該條件下制作出的例6中的磁盤用玻璃基板而言，通過AFM得到的算術(shù)平均 粗糙度Ra為0. 12nm，角度方向算術(shù)平均粗糙度最大值Ra_deg_max為0. 036nm，角度方向 算術(shù)平均粗糙度最小值 Ra_deg_min 為 0. 015nm，（Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值為 2. 5， (Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值為0. 021nm。另外，在例6中的磁盤用玻璃基板上形成垂 直磁性層的膜而得到的磁盤的磁盤評(píng)價(jià)的結(jié)果是可修正缺失位為等級(jí)C，不可修正缺失位 為等級(jí)B。
[0113] (例 7)
[0114] 對(duì)于例7中的磁盤用玻璃基板而言，二次研磨的第一階段是在lOOg/cm2的壓力下 且上臺(tái)板轉(zhuǎn)速為-15rpm、下臺(tái)板轉(zhuǎn)速為15rpm、研磨載具公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為Orpm、研磨載具自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn) 速為2rpm、研磨時(shí)間為20分鐘的條件下進(jìn)行。另外，二次研磨的第二階段是在50g/cm 2的 壓力下且上臺(tái)板轉(zhuǎn)速為_5rpm、下臺(tái)板轉(zhuǎn)速為5rpm、研磨載具公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為Orpm、研磨載具自 轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為〇. 7rpm、研磨時(shí)間為0. 5分鐘的條件下進(jìn)行。
[0115] 對(duì)在該條件下制作出的例7中的磁盤用玻璃基板而言，通過AFM得到的算術(shù)平均 粗糙度Ra為0. 09nm，角度方向算術(shù)平均粗糙度最大值Ra_deg_max為0. 033nm，角度方向 算術(shù)平均粗糙度最小值 Ra_deg_min 為 0. 016nm，（Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值為 2. 1， (Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值為0. 017nm。另外，在例7中的磁盤用玻璃基板上形成垂 直磁性層的膜而得到的磁盤的磁盤評(píng)價(jià)的結(jié)果是可修正缺失位為等級(jí)A，不可修正缺失位 為等級(jí)A。
[0116] (例 8)
[0117] 對(duì)于例8中的磁盤用玻璃基板而言，二次研磨的第一階段是在lOOg/cm2的壓力下 且上臺(tái)板轉(zhuǎn)速為-15rpm、下臺(tái)板轉(zhuǎn)速為15rpm、研磨載具公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為Orpm、研磨載具自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn) 速為2rpm、研磨時(shí)間為20分鐘的條件下進(jìn)行。另外，二次研磨的第二階段是在50g/cm 2的 壓力下且上臺(tái)板轉(zhuǎn)速為_5rpm、下臺(tái)板轉(zhuǎn)速為5rpm、研磨載具公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為Orpm、研磨載具自 轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為Orpm、研磨時(shí)間為0. 5分鐘的條件下進(jìn)行。
[0118] 對(duì)在該條件下制作出的例8中的磁盤用玻璃基板而言，通過AFM得到的算術(shù)平均 粗糙度Ra為0. 12nm，角度方向算術(shù)平均粗糙度最大值Ra_deg_max為0. 038nm，角度方向 算術(shù)平均粗糙度最小值 Ra_deg_min 為 0. 013nm，（Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值為 2. 9， (Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值為0. 025nm。另外，在例8中的磁盤用玻璃基板上形成垂 直磁性層的膜而得到的磁盤的磁盤評(píng)價(jià)的結(jié)果是可修正缺失位為等級(jí)D，不可修正缺失位 為等級(jí)D。
[0119] (例 9)
[0120] 對(duì)于例9中的磁盤用玻璃基板而言，二次研磨的第一階段是在lOOg/cm2的壓力下 且上臺(tái)板轉(zhuǎn)速為-15rpm、下臺(tái)板轉(zhuǎn)速為15rpm、研磨載具公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為Orpm、研磨載具自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn) 速為2rpm、研磨時(shí)間為20分鐘的條件下進(jìn)行。另外，二次研磨的第二階段是在100g/cm 2的 壓力下且上臺(tái)板轉(zhuǎn)速為_5rpm、下臺(tái)板轉(zhuǎn)速為5rpm、研磨載具公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為Orpm、研磨載具自 轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為〇. 3rpm、研磨時(shí)間為0. 5分鐘的條件下進(jìn)行。
[0121] 對(duì)在該條件下制作出的例9中的磁盤用玻璃基板而言，通過AFM得到的算術(shù)平均 粗糙度Ra為0. llnm，角度方向算術(shù)平均粗糙度最大值Ra_deg_max為0. 040nm，角度方向 算術(shù)平均粗糙度最小值 Ra_deg_min 為 0. 015nm，（Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值為 2. 8， (Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值為0. 026nm。另外，在例9中的磁盤用玻璃基板上形成垂 直磁性層的膜而得到的磁盤的磁盤評(píng)價(jià)的結(jié)果是可修正缺失位為等級(jí)D，不可修正缺失位 為等級(jí)C。
[0122] 以上，對(duì)實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行了說明，但并非限定于特定的實(shí)施方式，在權(quán)利要求 書所記載的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行各種變形和變更。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種磁盤用玻璃基板，其具有主表面，其特征在于， 通過原子力顯微鏡在所述主表面上測(cè)定的算術(shù)平均粗糙度Ra為0. 15nm以下， 基于通過原子力顯微鏡測(cè)定的結(jié)果，對(duì)預(yù)定的區(qū)域在使角度方向以每次變化Γ的方 式從0°變化至180°的同時(shí)算出各角度方向上的角度方向算術(shù)平均粗糙度Ra_deg，在將 所述算出的角度方向算術(shù)平均粗糙度Ra_deg中的最大值設(shè)為角度方向算術(shù)平均粗糙度最 大值Ra_deg_max、且將最小值設(shè)為角度方向算術(shù)平均粗糙度最小值Ra_deg_min的情況下， (Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值為 2. 6 以下。2. 如權(quán)利要求1所述的磁盤用玻璃基板，其特征在于，（Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的 值為2. 4以下。3. 如權(quán)利要求1或2所述的磁盤用玻璃基板，其特征在于，（Ra_deg_max)_(Ra_deg_ min)的值為0. 020nm以下。4. 一種磁盤用玻璃基板，其具有主表面，其特征在于， 通過原子力顯微鏡在所述主表面上測(cè)定的算術(shù)平均粗糙度Ra為0. 15nm以下， 基于通過原子力顯微鏡測(cè)定的結(jié)果，對(duì)預(yù)定的區(qū)域在使角度方向以每次變化Γ的方 式從0°變化至180°的同時(shí)算出各角度方向上的角度方向算術(shù)平均粗糙度Ra_deg，在將 所述算出的角度方向算術(shù)平均粗糙度Ra_deg中的最大值設(shè)為角度方向算術(shù)平均粗糙度最 大值Ra_deg_max、且將最小值設(shè)為角度方向算術(shù)平均粗糙度最小值Ra_deg_min的情況下， (Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值為 0· 〇24nm 以下。5. 如權(quán)利要求4所述的磁盤用玻璃基板，其特征在于，（Ra_deg_max)_(Ra_deg_min)的 值為0.022nm以下。6. 如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板，其特征在于，所述角度方向算術(shù) 平均粗糙度Ra_deg是基于對(duì)通過原子力顯微鏡測(cè)定的結(jié)果施加截止波長(zhǎng)設(shè)為40nm的高通 濾波器后的結(jié)果而算出的。7. -種磁盤，其特征在于，在權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的主表面 上形成有磁性層的膜。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種對(duì)應(yīng)于高記錄密度化的磁盤用玻璃基板及磁盤。所述磁盤用玻璃基板具有主表面，其特征在于，通過原子力顯微鏡在所述主表面上測(cè)定的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.15nm以下，基于通過原子力顯微鏡測(cè)定的結(jié)果，對(duì)預(yù)定的區(qū)域在使角度方向以每次變化1°的方式從0°變化至180°的同時(shí)算出各角度方向上的角度方向算術(shù)平均粗糙度Ra_deg，在將所述算出的角度方向算術(shù)平均粗糙度Ra_deg中的最大值設(shè)為角度方向算術(shù)平均粗糙度最大值Ra_deg_max、且將最小值設(shè)為角度方向算術(shù)平均粗糙度最小值Ra_deg_min的情況下，(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值為2.6以下，由此解決了上述課題。
【IPC分類】G11B5/667, G11B5/73, G11B5/84
【公開號(hào)】CN105590638
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510752153
【發(fā)明人】伊藤正文, 志田德仁, 高野茂喜, 大塚晴彥
【申請(qǐng)人】旭硝子株式會(huì)社
【公開日】2016年5月18日
【申請(qǐng)日】2015年11月6日