技術(shù)特征：
1.一種晶體管的形成方法，其特征在于，包括：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有介質(zhì)層、位于所述介質(zhì)層上的多晶硅層；對(duì)用于作為柵極的多晶硅層部分進(jìn)行功函數(shù)調(diào)整，形成功函數(shù)多晶硅層，在沿柵長(zhǎng)方向，所述功函數(shù)多晶硅層分為第一功函數(shù)區(qū)域和第二功函數(shù)區(qū)域，所述第二功函數(shù)區(qū)域位于第一功函數(shù)區(qū)域兩側(cè)，其中，當(dāng)所述晶體管為NMOS晶體管時(shí)，所述第二功函數(shù)區(qū)域的功函數(shù)高于第一功函數(shù)區(qū)域的功函數(shù)，當(dāng)所述晶體管為PMOS晶體管時(shí)，所述第二功函數(shù)區(qū)域的功函數(shù)低于第一功函數(shù)區(qū)域的功函數(shù)；去除所述功函數(shù)多晶硅層之外的多晶硅層部分，所述功函數(shù)多晶硅層作為柵極；在所述柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成源極和漏極；所述對(duì)用于作為柵極的多晶硅層部分進(jìn)行功函數(shù)調(diào)整的方法，包括：在所述多晶硅層上形成圖形化的第一掩模層，定義柵極的位置；以所述圖形化的第一掩模層為掩模，使用傾斜注入方法對(duì)多晶硅層進(jìn)行功函數(shù)調(diào)整離子注入，其中，傾斜注入的方向與所述多晶硅層表面的夾角為銳角；或者，所述對(duì)用于作為柵極的多晶硅層部分進(jìn)行功函數(shù)調(diào)整的方法，包括：在所述多晶硅層上形成圖形化的第一掩模層，定義第一功函數(shù)區(qū)域的位置；以所述圖形化的第一掩模層為掩模，對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行功函數(shù)調(diào)整離子注入，在所述多晶硅層中形成第一功函數(shù)區(qū)域；去除所述第一功函數(shù)區(qū)域兩側(cè)的部分第一掩模層，去除的部分第一掩膜層下的多晶硅層作為第二功函數(shù)區(qū)域。2.如權(quán)利要求1所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述去除第一功函數(shù)區(qū)域兩側(cè)的部分第一掩模層的方法，包括干法刻蝕或濕法刻蝕。3.如權(quán)利要求1所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述功函數(shù)調(diào)整離子注入的方法包括：在垂直于所述多晶硅層表面方向注入。4.如權(quán)利要求1所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述傾斜注入的方向與所述多晶硅層表面的夾角為10°～45°。5.如權(quán)利要求1所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述功函數(shù)調(diào)整離子注入的離子濃度范圍為：1010～1020atom/cm2。6.如權(quán)利要求1所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述功函數(shù)調(diào)整離子包括III族元素或V族元素。7.如權(quán)利要求1所述晶體管的形成方法，其特征在于，去除所述功函數(shù)多晶硅層之外的多晶硅層部分的方法包括：形成第二掩模層，所述第二掩模層覆蓋所述功函數(shù)多晶硅層；以所述第二掩模層為掩?？涛g去除圖形化的第一掩模層、功函數(shù)多晶硅層之外的多晶硅層部分；去除所述第二掩模層。8.如權(quán)利要求1所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述晶體管為NMOS晶體管時(shí)，所述第一功函數(shù)區(qū)域的功函數(shù)范圍為4.4eV～4.6eV，所述第二功函數(shù)區(qū)域的功函數(shù)范圍為4.6eV～4.8eV。9.如權(quán)利要求1所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述晶體管為PMOS晶體管時(shí)，所述第一功函數(shù)區(qū)域的功函數(shù)范圍為4.6eV～4.8eV，所述第二功函數(shù)區(qū)域的功函數(shù)的范圍為4.4eV～4.6eV。10.如權(quán)利要求1所述晶體管的形成方法，其特征在于，在形成所述柵極后，形成所述源極、漏極之前，在所述柵極周圍形成側(cè)墻。