技術(shù)總結(jié)
一種晶體管的形成方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成有介質(zhì)層、位于介質(zhì)層上的多晶硅層；對(duì)多晶硅層進(jìn)行功函數(shù)調(diào)整，形成功函數(shù)多晶硅層，在沿柵長(zhǎng)方向，所述功函數(shù)多晶硅層分為第一功函數(shù)區(qū)域和第二功函數(shù)區(qū)域，第二功函數(shù)區(qū)域位于第一功函數(shù)區(qū)域兩側(cè)，其中，當(dāng)晶體管為NMOS晶體管時(shí)，第二功函數(shù)區(qū)域的功函數(shù)高于第一功函數(shù)區(qū)域的功函數(shù)，當(dāng)晶體管為PMOS晶體管時(shí)，第二功函數(shù)區(qū)域的功函數(shù)低于第一功函數(shù)區(qū)域的功函數(shù)；去除功函數(shù)多晶硅層之外的多晶硅層部分，剩余的功函數(shù)多晶硅層作為柵極；在柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成源極和漏極。使用本發(fā)明的晶體管，減弱甚至消除了短溝道效應(yīng)。

技術(shù)研發(fā)人員：鮑宇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號(hào)碼：201210492208
技術(shù)研發(fā)日：2012.11.27
技術(shù)公布日：2016.12.28