本發(fā)明是有關(guān)于一種電子組件及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種薄膜晶體管及其制造方法。

背景技術(shù)：
隨著科技的發(fā)展，電子組件的微型化已成趨勢。當(dāng)然，薄膜晶體管亦不例外。在公知技術(shù)中，薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極、阻擋層以及信道。源極、漏極同屬一膜層，且分別設(shè)于信道二側(cè)。柵極與信道重迭。阻擋層具有暴露出信道上表面的二接觸窗。源極與漏極分別填入這些接觸窗，而與信道接觸。然而，接觸窗的存在使得信道需保留被接觸窗暴露出的面積，不利于薄膜晶體管面積的縮減。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管的制造方法，其可制造出面積小的薄膜晶體管。本發(fā)明提供一種薄膜晶體管，其面積小。本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法包括下列步驟。提供基板。形成柵極于基板。形成第一源極于基板。形成信道，信道的一端與第一源極接觸。形成阻擋層，阻擋層至少覆蓋信道與第一源極接觸的一端且暴露出信道的另一端。形成漏極，漏極與信道的另一端接觸。本發(fā)明的薄膜晶體管包括基板、配置于基板上的第一源極、信道、阻擋層、漏極以及柵極。信道的一端與第一源極接觸。阻擋層至少覆蓋信道與第一源極接觸的一端且暴露出信道的另一端。漏極與信道的另一端接觸。柵極與信道重迭。在本發(fā)明的一實施例中，上述的薄膜晶體管的制造方法還包括：在形成漏極的同時，于第一源極上形成第二源極。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二源極完全地覆蓋第一源極。在本發(fā)明的一實施例中，上述的薄膜晶體管的制造方法還包括：形成覆蓋柵極的絕緣層。在本發(fā)明的一實施例中，上述的薄膜晶體管的制造方法，還包括：形成覆蓋第一源極、信道、阻擋層以及漏極的絕緣層。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一源極與漏極分屬不同膜層。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一源極、信道、阻擋層以及漏極朝遠(yuǎn)離基板的方向依序堆棧。在本發(fā)明的一實施例中，上述的薄膜晶體管還包括配置于第一源極上且與漏極屬于同一膜層的第二源極。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二源極與第一源極接觸。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二源極與第一源極切齊。在本發(fā)明的一實施例中，上述的薄膜晶體管還包括絕緣層。柵極配置于絕緣層與基板之間。在本發(fā)明的一實施例中，上述的薄膜晶體管還包括絕緣層。絕緣層配置于柵極與基板之間?；谏鲜觯诒景l(fā)明的薄膜晶體管及其制造方法中，由于薄膜晶體管的第一源極與漏極是分別形成在信道上下二側(cè)而分別與信道的二端接觸，因此信道不需如公知技術(shù)般保留被阻擋層的二接觸窗暴露出的接觸區(qū)。這樣一來，信道的有效長度便可大幅縮短，而利于薄膜晶體管面積的縮減。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。附圖說明圖1A至圖1E為本發(fā)明一實施例的薄膜晶體管制造方法的上視示意圖;圖2A至圖2E為本發(fā)明一實施例的薄膜晶體管制造方法的剖面示意圖;圖3A至圖3E為本發(fā)明另一實施例的薄膜晶體管制造方法的上視示意圖;圖4A至圖4E為本發(fā)明另一實施例的薄膜晶體管制造方法的剖面示意圖?！局饕M件符號說明】102：基板104：絕緣層106：絕緣層A-A’、B-B’：剖線D：漏極DL：數(shù)據(jù)線d：柵極與信道的堆棧方向TFT、TFT1：薄膜晶體管ESL：阻擋層G：柵極L：信道的有效長度S1：第一源極S2：第二源極SL：掃描線SE：信道SE-1：信道的一端SE-2：信道的另一端。具體實施方式特別是，圖2A至圖2E是分別對應(yīng)于圖1A至圖1E的剖線A-A’。請參照圖1A及圖2A，首先，提供基板102?；?02主要是用來承載組件之用，其材質(zhì)可為玻璃、石英、有機(jī)聚合物、或是不透光/反射材料(例如：晶圓、陶瓷)、或是其它可適用的材料。接著，形成柵極G于基板102上。在本實施例中，若所制造的薄膜晶體管應(yīng)用于顯示領(lǐng)域，則在形成柵極G的同時，更可形成與柵極G電性連接的掃描線SL。柵極G以及掃描線SL一般是使用金屬材料。然而，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其它實施例，柵極G以及掃描線SL亦可以使用其它導(dǎo)電材料，例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其組合。接著，可形成絕緣層104。絕緣層104覆蓋柵極G。絕緣層104的材料可為無機(jī)材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅)、有機(jī)材料或上述材料的組合。請參照圖1B及圖2B，接著，在基板102上形成第一源極S1。在本實施例中，若所制造的薄膜晶體管應(yīng)用于顯示領(lǐng)域，則在形成第一源極S1時，更可同時形成與第一源極S1電性連接的數(shù)據(jù)線DL。絕緣層104位于第一源極S1與基板102之間。第一源極S1以及數(shù)據(jù)線DL一般是使用金屬材料。然而，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其它實施例，第一源極S1以及數(shù)據(jù)線DL也可以使用其它導(dǎo)電材料。例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其組合。請參照圖1C及圖2C，接著，形成信道SE，其中信道SE的一端SE-1與第一源極S1接觸而彼此電性連接。在本實施例中，信道SE的材質(zhì)可為金屬氧化物半導(dǎo)體，例如氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化錫(ZnO)、氧化鎘、氧化鍺(2CdO·GeO2)、氧化鎳鈷(NiCo2O4)等。但本發(fā)明不以此為限。請參照圖1D及圖2D，接著，形成阻擋層ESL。阻擋層ESL至少覆蓋信道SE與第一源極S1接觸的一端SE-1且暴露出信道SE的另一端SE-2。阻擋層ESL可保護(hù)其下方的信道SE，而使信道SE在后續(xù)制程中不易受損。在本實施例中，阻擋層ESL為一完整圖案。換言之，阻擋層ESL的內(nèi)部不具有暴露出信道SE的接觸窗。請參照圖1E及圖2E，接著，形成漏極D，其中漏極D與信道SE的另一端SE-2接觸而彼此電性連接。于此，便初步完成本實施例的薄膜晶體管TFT。在本實施例中，在形成漏極D的同時，亦可于第一源極S1上形成與漏極D斷開的第二源極S2。第二源極S2可完全地覆蓋第一源極S1。第二源極S2可在漏極D形成的過程中可保護(hù)其下方的第一源極S1，而使第一源極S1在漏極D形成的過程不易受損。然而，本發(fā)明不限于此，在其它實施例中，亦可采用其它方式，避免第一源極S1受損。舉例而言，在其它實施例中，漏極D與第一源極S1可選用不同的材質(zhì)。如此一來，便可選用對漏極D與第一源極S1蝕刻選擇比大的蝕刻液來形成漏極D，而使第一源極S1在漏極D形成的過程中不易受損。換言之，透過漏極D與第一源極S1的材質(zhì)及蝕刻液的選用，在其它實施例中，在形成漏極D的同時，亦可不于形成所述的第二源極S2。請參照圖1E及圖2E，本實施例的薄膜晶體管TFT包括基板102、配置于基板102上的第一源極S1、信道SE、阻擋層ESL、漏極D以及與信道SE重迭的柵極G。信道SE的一端SE-1與第一源極S1接觸，而彼此電性連接。進(jìn)一步而言，在本實施例中，信道SE的一端SE-1可覆蓋第一源極S1。第一源極S1位于信道SE與基板102之間。阻擋層ESL至少覆蓋信道SE與第一源極S1接觸的一端SE-1且暴露出信道SE的另一端SE-2。漏極D與信道SE的另一端SE-2接觸，而彼此電性連接。在本實施例中，信道SE的二端SE-1、SE-2分別具有信道SE的二邊緣，而此二邊緣可分別覆蓋第一源極S1與被漏極D覆蓋。在本實施例中，第一源極S1與漏極D分屬不同膜層。第一源極S1與漏極D分別位于信道SE上下二側(cè)。換言之，信道SE位于第一源極S1與漏極D之間。更進(jìn)一步地說，第一源極S1、信道SE、阻擋層ESL以及漏極D可朝遠(yuǎn)離基板102的方向依序堆棧。本實施例的薄膜晶體管TFT可選擇性地包括與漏極D斷開的第二源極S2。第二源極S2配置于第一源極S1上且與漏極D屬于同一膜層。第二源極S2可與第一源極S1接觸，而彼此電性連接。第二源極S2可完全地覆蓋第一源極S1。更進(jìn)一步地說，在柵極G與信道SE的堆棧方向d上，第二源極S2可與第一源極S1切齊。值得一提的是，在本實施例中，由于薄膜晶體管TFT的第一源極S1與漏極D是分別形成在信道SE上下二側(cè)而分別與信道SE的二端接觸，因此信道SE不需如習(xí)知技術(shù)般保留被阻擋層ESL的二接觸窗暴露出的接觸區(qū)。這樣一來，信道SE的有效長度L便可大幅縮短，而利于薄膜晶體管TFT面積縮減。本實施例的薄膜晶體管TFT還包括絕緣層104。在本實施中，柵極G可配置于絕緣層104與基板102之間。換言之，本實施例的薄膜晶體管TFT可為底部柵極薄膜晶體管(BottomgateTFT)。然而，本發(fā)明不限于此，本發(fā)明的概念亦可應(yīng)用于其它形式的薄膜晶體管，例如頂部柵極薄膜晶體管(TopgateTFT)，以下利用圖3A至圖3E與圖4A至圖4E具體說明之。圖3A至圖3E為本發(fā)明另一實施例的薄膜晶體管制造方法的上視示意圖。圖4A至圖4E為本發(fā)明另一實施例的薄膜晶體管制造方法的剖面示意圖。特別是，圖4A至圖4E是分別對應(yīng)于圖3A至圖3E的剖線B-B’。圖3A至圖3E、圖4A至圖4E所示的薄膜晶體管制造方法與圖1A至圖1E、圖2A至圖2E所示的薄膜晶體管制造方法類似，因此相同的組件以相同的標(biāo)號表示。請參照圖3A及圖4A，首先，提供基板102。接著，形成第一源極S1于基板102上。請參照圖3B及圖4B，然后，形成信道SE，其中信道SE的一端SE-1與第一源極S1接觸。請參照圖3C及圖4C，接著，形成阻擋層ESL，其中阻擋層ESL至少覆蓋信道SE與第一源極S1接觸的一端SE-1且暴露出信道SE的另一端SE-2。請參照圖3D及圖4D，接著，形成漏極D，其中漏極D與信道SE的另一端SE-2接觸。類似地，在形成漏極D的同時，亦可選擇性地在第一源極S1上形成第二源極S2，以在漏極D的形成過程中保護(hù)第一源極S1。請參照圖3E及圖4E，然后，形成絕緣層106，以覆蓋第一源極S1、信道SE、阻擋層ESL以及漏極D。請參照圖3E及圖4E，薄膜晶體管TFT1與薄膜晶體管TFT類似，因此相同的組件以相同的標(biāo)號表示。類似地，薄膜晶體管TFT1包括基板102、配置于基板102上的第一源極S1、信道SE、阻擋層ESL、漏極D以及與信道SE重迭的柵極G。信道SE的一端SE-1與第一源極S1接觸。阻擋層ESL至少覆蓋信道SE與第一源極S1接觸的一端SE-1且暴露出信道SE的另一端SE-2。漏極D與信道SE的另一端SE-2接觸。不同的是，薄膜晶體管TFT1更包括絕緣層106，而絕緣層106配置于柵極G與基板102之間。更進(jìn)一步地說，第一源極S1、信道SE、阻擋層ESL、漏極D、絕緣層106、柵極G朝遠(yuǎn)離基板102的方向依序堆棧。換言之，薄膜晶體管TFT1可為頂部柵極晶體管(TopgateTFT)。薄膜晶體管TFT1亦具有與薄膜晶體管TFT相同的功效及優(yōu)點，于此便不再重述。綜上所述，在本發(fā)明一實施例的薄膜晶體管及其制造方法中，由于薄膜晶體管的第一源極與漏極是分別形成在信道上下二側(cè)而分別與信道的二端接觸，因此信道不需如公知技術(shù)般保留被阻擋層的二接觸窗暴露出的接觸區(qū)。這樣一來，信道的有效長度便可大幅縮短，而利于薄膜晶體管面積的縮減。此外，在本發(fā)明另一實施例的薄膜晶體管及其制造方法中，在形成漏極的同時，可于第一源極上形成與漏極斷開的第二源極。第二源極可在漏極形成的過程中可保護(hù)其下方的第一源極，而使第一源極在漏極形成的過程不易受損。如此一來，薄膜晶體管便可具有高良率。雖然本發(fā)明已以實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視前述的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。