技術(shù)特征:1.一種薄膜晶體管的制造方法,其特征在于,包括:步驟1:提供一基板;步驟2:形成一柵極于該基板;步驟3:形成一第一源極于該基板;步驟4:形成一信道,該信道的一端與該第一源極接觸,使得第一源極位于信道下方;步驟5:形成一阻擋層,該阻擋層至少覆蓋該信道與該第一源極接觸的該端且暴露出該信道的另一端;以及步驟6:形成一漏極,該漏極與該信道的該另一端接觸,使得漏極位于阻擋層上方;步驟7:所述漏極與所述第一源極選用不同的材質(zhì),選用對漏極與第一源極蝕刻選擇比大的蝕刻液來形成漏極。2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法,其特征在于,還包括:形成一絕緣層,該絕緣層覆蓋該柵極。3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法,其特征在于,還包括:形成一絕緣層,該絕緣層覆蓋該第一源極、該信道、該阻擋層以及該漏極。