技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括下述步驟：

提供半導(dǎo)體襯底，并在所述半導(dǎo)體襯底上形成閃存區(qū)字線多晶硅層；

執(zhí)行平坦化工藝，以平坦化所述字線多晶硅層；

執(zhí)行熱處理工藝以氧化所述字線多晶硅層的表層以及平坦化所述字線多晶硅層時(shí)產(chǎn)生的多晶硅殘?jiān)?，形成緩沖層；

去除所述緩沖層；

執(zhí)行字線回刻以獲得期望高度的多晶硅層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述平坦化工藝執(zhí)行設(shè)定時(shí)間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述平坦化工藝過研磨的量為15％～30％，以確?？刂茤艠O頂部沒有殘余的多晶硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的制作方法，其特征在于，所述熱處理工藝在O₂或N₂O環(huán)境中進(jìn)行。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的制作方法，其特征在于，所述熱處理工藝溫度為200℃～350℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的制作方法，其特征在于，所述熱處理工藝時(shí)間為30s～60s。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的制作方法，其特征在于，所述氧化的字線多晶硅層的表層和多晶硅殘?jiān)穸葹?img id="ifm0001" file="FDA0000700235540000011.GIF" wi="328" he="73" img-content="drawing" img-format="GIF" orientation="portrait" inline="no" />

8.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的制作方法，其特征在于，使用稀釋的氫氟酸去除所述緩沖層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底分為存儲(chǔ)區(qū)或邏輯區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述邏輯區(qū)上形成有保護(hù)層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述保護(hù)層厚度在以上。

12.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：半導(dǎo)體襯底，位于所 述半導(dǎo)體襯底上的閃存區(qū)柵極結(jié)構(gòu)，以及采用權(quán)利要求1-10之一所述的方法形成的字線。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底分為存儲(chǔ)區(qū)或邏輯區(qū)。

14.一種電子裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求12或13所述的半導(dǎo)體器件。