技術總結
本發(fā)明提供一種半導體器件的制作方法，其包括：提供半導體襯底，并在所述半導體襯底上形成閃存區(qū)字線多晶硅層；執(zhí)行平坦化工藝，以平坦化所述字線多晶硅層；執(zhí)行熱處理工藝以氧化所述字線多晶硅層的表層和多晶硅殘渣，形成緩沖層；去除所述緩沖層；執(zhí)行字線回刻以獲得期望高度的多晶硅層。本發(fā)明提出的半導體器件的制作方法，在字線回刻之前通過氧化字線多晶硅層的表層形成緩沖層，并且由于在形成緩沖層的過程中，一并將字線多晶硅平坦化中產(chǎn)生的多晶硅殘渣氧化，因而可隨后通過去除所述緩沖層一并將字線多晶硅平坦化中產(chǎn)生的多晶硅殘渣去除，解決目前字線平坦化后容易出現(xiàn)兩個字線中間的多晶硅高度較高的問題。

技術研發(fā)人員：李敏
受保護的技術使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號碼：201510179852
技術研發(fā)日：2015.04.16
技術公布日：2016.11.23