1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括:
一中介層，具有一第一面及相對于第一面的第二面；
至少一有源芯片，通過多個第一凸塊安裝到所述第一面的一芯片接合區(qū)域內(nèi)；
至少一虛設(shè)芯片，安裝到所述第一面的所述芯片接合區(qū)域旁的一周邊區(qū)域內(nèi)；
一成型模料，設(shè)置在所述第一面上，并且所述成型模料覆蓋至少一所述有源芯片與至少一所述虛設(shè)芯片；以及
多個焊接凸塊，設(shè)置在所述第二面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述中介層包括一重布線層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述重布線層包括至少一介電層與至少一金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述中介層不包括一穿硅通孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述有源芯片為一具有特定功能的有源集成電路芯片。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述有源芯片包括一繪圖處理器、一中央處理器，或一存儲器芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述虛設(shè)芯片為一虛設(shè)硅芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述虛設(shè)芯片通過多個設(shè)置在所述周邊區(qū)域的虛設(shè)接墊上的第二凸塊安裝到所述第一面上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述虛設(shè)芯片通過一黏著劑直接安裝到所述第一面上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，另包括一鈍化層位于所述第二面上。