1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
步驟S1：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底的表面上形成有定義有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的圖案的硬掩膜層；
步驟S2：在所述半導(dǎo)體襯底中形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，其中，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的表面低于所述硬掩膜層的表面高于所述半導(dǎo)體襯底的表面；
步驟S3：在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的表面上沉積形成保護(hù)層；
步驟S4：去除所述硬掩膜層；
步驟S5：去除所述保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述步驟S2中，形成所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的步驟包括：
步驟S21：以圖案化的所述硬掩膜層為掩膜，刻蝕部分所述半導(dǎo)體襯底形成溝槽；
步驟S22：在所述硬掩膜層的開口中和所述溝槽中沉積形成淺溝槽隔離材料，并進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，直到暴露所述硬掩膜層的表面，以形成所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步驟S3包括：
在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的表面上以及所述硬掩膜層的表面上沉積形成所述保護(hù)層；
對(duì)所述保護(hù)層執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨，直到暴露所述硬掩膜層的表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述保護(hù)層的材料包括多晶硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述多晶硅為熔爐沉積多晶硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，在所述步驟S5中，采用TMAH溶液濕法刻蝕去除所述保護(hù)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材料包括氮化硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述步驟S4中，采用磷酸濕法刻蝕去除所述硬掩膜層。