技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底的表面上形成有定義有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的圖案的硬掩膜層；在所述半導(dǎo)體襯底中形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，其中，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的表面低于所述硬掩膜層的表面高于所述半導(dǎo)體襯底的表面；在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的表面上沉積形成保護(hù)層；去除所述硬掩膜層；去除所述保護(hù)層。根據(jù)本發(fā)明的制造方法，在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上形成保護(hù)層，有效避免在硬掩膜層的濕法刻蝕去除過程中，對于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)表面的刻蝕損傷，進(jìn)而使得STI臺(tái)階高度波動(dòng)很小，因此提高了器件的性能和良率。

技術(shù)研發(fā)人員：楊志勇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
文檔號碼：201510979848
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.23
技術(shù)公布日：2017.06.30