本發(fā)明涉及薄膜晶體管及其制作方法，更詳細(xì)地，薄膜晶體管及其制作方法包括：活性圖案，由氮化物形成；以及保護(hù)圖案，配置于上述活性圖案上，由非氮化物形成。

背景技術(shù)：

最近，顯示器面前處于大面積化、最高分辨率(HUD，Ultra High Definition)化、高速驅(qū)動(dòng)化，并且，具有對(duì)于能夠適用于可穿戴設(shè)備(wearable device)等的柔性顯示器的要求。以往的非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體元件(Amorphous Si TFT)具有低的移動(dòng)度(0.5cm²/Vs以下)，因此，很難使用非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體元件來(lái)實(shí)現(xiàn)大面積及最高分辨率的顯示器，并很難體現(xiàn)柔性顯示器裝置。

為了解決上述問(wèn)題，正在進(jìn)行著對(duì)于有機(jī)薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管等的研究。例如，在韓國(guó)專利公開(kāi)公報(bào)10-2011-0095530(申請(qǐng)?zhí)?0-2010-0015052)公開(kāi)了減少工作電壓，為了制作工序的簡(jiǎn)化而包括在上部具有凹陷區(qū)域的絕緣膜及配置于上述柵極絕緣膜的上述凹陷區(qū)域內(nèi)的有機(jī)半導(dǎo)體層的有機(jī)薄膜晶體管。

作為另一例，在韓國(guó)專利公開(kāi)公報(bào)10-2008-0054941(申請(qǐng)?zhí)?0-2006-0127671)中公開(kāi)了為了防止在大面積顯示裝置發(fā)生的信號(hào)延遲，為使化合物半導(dǎo)體層和源/漏電極良好地接觸，而由第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層形成源/漏電極的技術(shù)，上述第二導(dǎo)電層由低電阻形成。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題

本發(fā)明所要解決的第一技術(shù)問(wèn)題在于，提供高可靠性的薄膜晶體管及其制作方法。

本發(fā)明所要解決的再一技術(shù)問(wèn)題在于，提供高移動(dòng)度的薄膜晶體管及其制作方法。

本發(fā)明所要解決的另一技術(shù)問(wèn)題在于，提供收益率得到提高的薄膜晶體管的制作方法。

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題并不局限于上述技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)方案

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供薄膜晶體管。

根據(jù)一實(shí)施例，薄膜晶體管可包括：基板；活性圖案(active pattern)，配置于上述基板上，包括氮化物(nitride)；保護(hù)圖案，配置于上述活性圖案上，包括非氮化物(non nitride)；柵電極，與上述活性電極重疊；以及柵極絕緣膜，形成于上述柵電極及上述活性圖案之間。

根據(jù)一實(shí)施例，上述保護(hù)圖案可由半導(dǎo)體性非氮化物形成，上述活性圖案具有大于上述保護(hù)圖案的移動(dòng)度。

根據(jù)一實(shí)施例，上述薄膜晶體管可包括：鈍化膜，覆蓋上述保護(hù)圖案；源電極，貫通上述鈍化膜，與靠近上述柵電極一側(cè)的上述保護(hù)圖案的一部分相接觸；以及漏電極，貫通上述鈍化膜，與靠近上述柵電極一側(cè)的上述保護(hù)圖案的一部分相接觸。

根據(jù)一實(shí)施例，上述薄膜晶體管還可包括上述柵電極一側(cè)的源電極及上述柵電極另一側(cè)的漏電極，上述源電極及上述漏電極分別與靠近上述柵電極的上述一側(cè)及上述另一側(cè)的上述保護(hù)圖案的一部分相接觸。

根據(jù)一實(shí)施例，上述活性圖案可配置于上述保護(hù)圖案及上述柵電極之間。

根據(jù)一實(shí)施例，上述保護(hù)圖案可配置于上述活性圖案及上述柵電極之間。

根據(jù)一實(shí)施例，上述活性圖案可由第一元素、第二元素及氮的化合物形成，上述保護(hù)圖案由上述第一元素及上述第二元素的化合物形成。

根據(jù)一實(shí)施例，上述第一元素可包括鋅，上述第二元素包括氧。

根據(jù)一實(shí)施例，上述保護(hù)圖案的厚度可以小于上述活性圖案的厚度。

根據(jù)一實(shí)施例，上述保護(hù)圖案可以與上述活性圖案直接接觸(directly contact)。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供薄膜晶體管的制作方法。

根據(jù)一實(shí)施例，上述薄膜晶體管的制作方法可包括：在基板上形成包括氮化物的活性膜的步驟；在上述活性膜上形成包括非氮化物的保護(hù)膜的步驟；以及按上述保護(hù)膜及上述活性膜依次形成圖案，來(lái)形成層疊于上述基板上的活性圖案及保護(hù)圖案的步驟，上述保護(hù)膜從用于上述活性膜的形成圖案的溶液工序保護(hù)上述活性膜。

根據(jù)一實(shí)施例，上述活性膜利用可包括第一元素的第一源、包括第二元素的第二源及包括氮的第三源形成，上述保護(hù)膜利用上述第一元素及上述第二元素來(lái)與通過(guò)上述活性膜的制作方法相同制作方法形成。

根據(jù)一實(shí)施例，在上述薄膜晶體管的制作方法中，在形成上述活性膜之前，還可包括：在上述基板上形成柵電極的步驟；以及在柵電極上形成柵極絕緣膜的步驟。

根據(jù)一實(shí)施例，在上述薄膜晶體管的制作方法中，在形成上述活性膜之后，還可包括：在上述保護(hù)圖案上形成柵極絕緣膜的步驟；以及在上述柵極絕緣膜上形成柵電極的步驟。

根據(jù)一實(shí)施例，上述薄膜晶體管的制作方法可包括：在基板上形成包括氮氧化物的活性膜的步驟；在上述活性膜上形成保護(hù)膜的步驟，上述保護(hù)膜包括金屬氧化物，且具有小于上述活性膜的厚度，并具有小于上述活性膜的移動(dòng)度；以及利用溶液工序來(lái)依次使上述保護(hù)膜及上述活性膜形成圖案的步驟，上述保護(hù)膜從上述溶液工序保護(hù)上述活性膜。

根據(jù)一實(shí)施例，上述活性膜及上述保護(hù)膜可通過(guò)相同工序來(lái)制作，在上述活性膜中的金屬和在上述保護(hù)膜中的金屬相同。

根據(jù)一實(shí)施例，使上述保護(hù)膜及上述活性膜形成圖案的步驟可包括在上述保護(hù)膜及上述活性膜上形成光阻圖案的步驟，上述保護(hù)膜從對(duì)上述光阻圖案進(jìn)行沖洗的溶液工序保護(hù)上述活性膜。

根據(jù)一實(shí)施例，使上述保護(hù)膜及上述活性膜形成圖案的步驟可包括：在上述保護(hù)膜及上述活性膜形成光阻圖案的步驟，上述保護(hù)膜將上述光阻圖案用作掩膜，以此從對(duì)上述保護(hù)膜及上述活性膜進(jìn)行蝕刻的溶液工序保護(hù)上述活性膜的過(guò)蝕刻現(xiàn)象。

根據(jù)一實(shí)施例，上述活性膜可包括鋅氧氮化物，上述保護(hù)膜包括鋅氧化物。

根據(jù)一實(shí)施例，上述保護(hù)膜可由半導(dǎo)體性金屬氧化物形成。

根據(jù)一實(shí)施例，上述薄膜晶體管的制作方法還可包括形成與上述活性膜隔開(kāi)的柵電極的步驟，借助向上述柵電極施加的電壓，在上述活性膜內(nèi)限定性地形成通道，在上述保護(hù)膜內(nèi)不形成通道。

有益效果

本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管可包括：活性圖案，由氮化物形成；以及保護(hù)圖案，配置于上述活性圖案上，由非氮化物形成。借助上述保護(hù)圖案，可從上述活性圖案的制作工序中所使用的溶液等保護(hù)上述活性圖案，借助上述活性圖案中的氮，可提高移動(dòng)度。由此，可提供高可靠性及高移動(dòng)度的薄膜晶體管。

附圖說(shuō)明

圖1a為用于說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管的圖。

圖1b為用于說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例的變形例的薄膜晶體管的圖。

圖2為用于說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管的制作方法的流程圖。

圖3及圖4為用于說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管的制作方法的工序剖視圖。

圖5為用于說(shuō)明本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管的圖。

圖6為用于說(shuō)明本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管的制作方法的流程圖。

圖7及圖8為用于說(shuō)明本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管的制作方法的工序剖視圖。

圖9為用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管的電流電壓特性的圖表。

圖10為用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管的移動(dòng)度的圖表。

圖11為用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管的顯示裝置的框圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。但是，本發(fā)明的技術(shù)思想并不局限于在此說(shuō)明的實(shí)施例，而是可具體化成其他形態(tài)。反而，上述實(shí)施例為使在此介紹的實(shí)施例中公開(kāi)的內(nèi)容變得完整而且向本發(fā)明所述技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員充分傳遞本發(fā)明的思想而提供。

在本說(shuō)明書(shū)中，當(dāng)提及一種結(jié)構(gòu)要素在另一種結(jié)構(gòu)要素上的情況下，這意味著直接形成于另一結(jié)構(gòu)要素上或者在之間隔著第三結(jié)構(gòu)要素。并且，在圖中，膜及區(qū)域的厚度為了有效說(shuō)明所記述的內(nèi)容而被放大。

并且，在說(shuō)明書(shū)中的多種實(shí)施例中，第一、第二、第三等的術(shù)語(yǔ)僅為了記述多種結(jié)構(gòu)要素而使用，這些結(jié)構(gòu)要素并不局限于上述術(shù)語(yǔ)。這些術(shù)語(yǔ)僅用于區(qū)分一種結(jié)構(gòu)要素和其他結(jié)構(gòu)要素。因此，在一個(gè)實(shí)施例中所提及的第一結(jié)構(gòu)要素可在另一實(shí)施例中提及。在此說(shuō)明并例示的各個(gè)實(shí)施例包括與其互補(bǔ)的實(shí)施例。并且，在說(shuō)明書(shū)中，“和/或”包括在前后羅列的結(jié)構(gòu)要素中的至少一個(gè)。

在說(shuō)明書(shū)中，只要在文脈上并未特殊表示，單數(shù)的表現(xiàn)包括復(fù)數(shù)的表現(xiàn)。并且，“包括”或“具有”等術(shù)語(yǔ)用于整理在說(shuō)明書(shū)中記載的特征、數(shù)字、步驟、結(jié)構(gòu)要素或這些的組合的存在，而并非排除一個(gè)或一個(gè)以上的其他特征或數(shù)字、步驟、結(jié)構(gòu)要素或這些組合的存在或附加可能性。并且，在本說(shuō)明書(shū)中，“連接”包括多個(gè)結(jié)構(gòu)要素的間接連接及直接連接。

并且，以下，在說(shuō)明本發(fā)明的過(guò)程中，在判斷為對(duì)于相關(guān)的公知功能或結(jié)構(gòu)的具體說(shuō)明使本發(fā)明的主旨不清楚的情況下，將省略對(duì)其的詳細(xì)說(shuō)明。

圖1a為用于說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管的圖。

參照?qǐng)D1a，本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管可包括基板100上的柵電極110、柵極絕緣膜120、活性圖案132、保護(hù)圖案142、漏電極150d及源電極150s。

上述基板100可以為玻璃基板。與此不同，上述基板100可以為塑料基板、硅基板或化合物半導(dǎo)體基板。上述基板100可以為柔性基板。

上述柵電極110可配置于上述基板100上。上述柵電極110可以為金屬。例如，上述柵電極230可以由鎳(Ni)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鋁(Al)、肽(Ti)、銅(Cu)、鎢(W)及這些的合金。上述柵電極230可以為利用上述金屬的單一膜或多重膜。例如，上述柵電極230可以為鉬、鋁及鉬依次層疊的三重膜或者肽和銅依次層疊的雙重膜?；蛘撸呻暮豌~的合金形成的單一膜?；蛘?，上述柵電極230可由透明的導(dǎo)電性物質(zhì)形成。

上述柵極絕緣膜120可配置于上述柵電極110上。上述柵極絕緣膜120可由如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物或金屬氧化物的介質(zhì)材料(例如，鋁氧化物或氧化鉿)等形成。

上述活性圖案132可配置于上述柵極絕緣膜120上。上述活性圖案132隔著上述柵極絕緣膜120與上述柵電極110隔開(kāi)及重疊。

上述活性圖案132可由氮化物形成。根據(jù)一實(shí)施例，上述活性圖案132可由包括第一元素、第二元素及氮的化合物形成。例如，上述第一元素包括金屬(例如，鋅、錫、銦(In)或肽(Ti))，在上述第二元素包括氧(O)的情況下，上述活性圖案132可由金屬氮氧化物(例如，ZnON、SnON、InON或TiON)形成。

如上所述，在本發(fā)明實(shí)施例的上說(shuō)活性圖案132由氮及金屬的化合物形成的情況下，通過(guò)金屬和氮的結(jié)合，有效質(zhì)量(effective mass)有可能會(huì)減少。由此，上述活性圖案132可以具有高的移動(dòng)度。

上述保護(hù)圖案142可配置于上述活性圖案132上。由此，上述活性圖案132可配置于上述保護(hù)圖案142及上述柵電極110之間。上述保護(hù)圖案142的厚度可以小于上述活性圖案132的厚度。

上述保護(hù)圖案142可以與上述活性圖案132不同的物質(zhì)形成。具體地，上述保護(hù)圖案142可由半導(dǎo)體性非氮化物(non-nitride)形成。如上所述，在上述活性圖案132由包含上述第一元素、第二元素及氮的化合物形成的情況下，上述保護(hù)圖案142可由上述第一元素及上述第二元素的化合物形成。例如，如上所述，在第一元素包括金屬(例如，鋅)，上述第二元素包括氧的情況下，上述活性圖案132包括ZnON，上述保護(hù)圖案142包括ZnO。

上述源電極150s可以與靠近上述柵電極110的一側(cè)的上述保護(hù)圖案142的一部分相連接。上述漏電極150d可以與靠近上述柵電極110的另一側(cè)的上述保護(hù)圖案142的一部分相連接。根據(jù)一實(shí)施例，上述源電極150s及上述漏電極150d可直接與上述保護(hù)圖案142的上部面相接觸。并且，根據(jù)一實(shí)施例，上述源電極150s及上述漏電極150d可分別與上述柵電極110的兩側(cè)的上述活性圖案132的側(cè)面直接接觸。

上述源電極150s及上述漏電極150d可由鎳、鉻、鉬、鋁、肽、銅、鎢及這些的合金形成。上述源電極150s和上述漏電極150d可以為利用上述金屬的單一膜或多重膜?；蛘撸鲜鲈措姌O150s及上述漏電極150d可以為透明的導(dǎo)電性物質(zhì)形成。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，如上所述，因基于在上述活性圖案132所包含的氮的有效質(zhì)量減少效果，上述活性圖案132可以具有高于不包含氮的上述保護(hù)圖案142的移動(dòng)度，如上所述，上述保護(hù)圖案142的厚度可以小于上述活性圖案132的厚度。由此，實(shí)際上，本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管的通道形成于具有高移動(dòng)度的上述活性圖案132內(nèi)，從而可以提供高移動(dòng)度的薄膜晶體管。

并且，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，上述保護(hù)圖案142配置于上述活性圖案132上，并可直接與上述活性圖案132的上部面相接觸。由此，可使上述活性圖案132從上述活性圖案132的制作工序中所使用的溶液等受損的程度最小化。由此，防止上述活性圖案132的劣化，從而可以提供高可靠性的薄膜晶體管。

與上述本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管不同，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的變形例，在保護(hù)圖案上形成鈍化膜，源/漏電極貫通上述鈍化膜與上述保護(hù)圖案相連接。參照?qǐng)D1b，說(shuō)明上述情況。

圖1b為用于說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例的變形例的薄膜晶體管的圖。

參照?qǐng)D1b，本發(fā)明一實(shí)施例的變形例的薄膜晶體管可包括基板100、柵電極110、柵極絕緣膜120、活性圖案132、保護(hù)圖案142、鈍化膜145、漏電極152d及源電極152s。

上述基板100、上述柵電極110、上述柵極絕緣膜120、上述活性圖案132及上述保護(hù)圖案142可分別與參照?qǐng)D1a說(shuō)明的基板100、柵電極110、柵極絕緣膜120、活性圖案132及保護(hù)圖案142相對(duì)應(yīng)。

上述鈍化膜145可配置于上述保護(hù)圖案142上。上述鈍化膜145可由硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物形成。

上述源電極152s可貫通上述鈍化膜145來(lái)與靠近上述柵電極110的一側(cè)的上述保護(hù)圖案142的一部分相連接。上述漏電極152d可貫通鈍化膜145來(lái)與靠近上述柵電極110的另一側(cè)的上述保護(hù)圖案142的一部分相連接。上述源電極152s及上述漏電極152d與上述保護(hù)圖案142直接接觸，可以與上述活性圖案132不接觸。由此，在打開(kāi)(turn-on)本發(fā)明一實(shí)施例的變形例的薄膜晶體管的情況下，如參照?qǐng)D1進(jìn)行的說(shuō)明，載體(carrier)通過(guò)由半導(dǎo)體性非氮化物形成的上述保護(hù)圖案142來(lái)在上述源電極152s及上述漏電極152d之間移動(dòng)。

或者，如圖1b所示，上述源電極152及上述漏電極152d可貫通上述保護(hù)圖案142來(lái)直接與上述活性圖案132相接觸。

以下，說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例及以實(shí)施例的變形例的薄膜晶體管的制作方法。

圖2為用于說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管的制作方法的流程圖，圖3及圖4為用于說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管的制作方法的工序剖視圖。

參照?qǐng)D2及圖3，柵電極110可形成于基板100上(步驟S110)。如參照?qǐng)D1a進(jìn)行的說(shuō)明，上述基板100可以為玻璃基板、塑料基板或半導(dǎo)體基板。柵極絕緣膜120可形成于上述柵電極110上(步驟S120)。

活性膜130可形成于上述柵極絕緣膜120。上述活性膜130可包括氮化物。根據(jù)一實(shí)施例，如參照?qǐng)D1進(jìn)行的說(shuō)明，上述活性膜130可由包含第一元素、第二元素及氮的化合物形成。在此情況下，形成上述活性膜130的步驟可包括：準(zhǔn)備包含上述第一元素的第一源(source)、包含上述第二元素的第二源及包含氮的第三源的步驟；以及利用上述第一源至第三源來(lái)在上述柵極絕緣膜120上蒸鍍上述活性膜130的步驟。

保護(hù)膜140可形成于上述活性膜130上(步驟S140)。上述保護(hù)膜140可包含非氮化物。如上所述，在上述活性膜130利用上述第一源至第三源形成的情況下，上述保護(hù)膜140利用在上述活性膜130的制作所使用的第一源及第二源來(lái)通過(guò)與上述活性膜130的制作方法相同的制作方法形成。例如，在上述活性膜130通過(guò)包含鋅的源、包含氧的源及包含氮的源的化學(xué)氣相蒸鍍法形成的情況下，上述保護(hù)膜140可通過(guò)包含鋅的源及包含氧的源的化學(xué)氣相蒸鍍法形成。由此，用于形成上述活性膜130及上述保護(hù)膜140的源的種類減少，從而源的管理變得簡(jiǎn)單，工序效率性會(huì)提高，且制作費(fèi)用會(huì)減少。

參照?qǐng)D2及圖4，上述保護(hù)膜140及上述活性膜130依次被形成圖案，從而可形成活性圖案132及上述活性圖案132上的保護(hù)圖案142(步驟S150)。上述保護(hù)膜140及上述活性膜130同時(shí)被形成圖案，上述活性圖案132及上述保護(hù)圖案142的寬度實(shí)際上相同。并且，上述活性圖案132的側(cè)壁及上述保護(hù)圖案142的側(cè)壁可以形成共面(coplanar)。

上述保護(hù)膜140可從用于使上述活性膜130形成圖案的溶液工序保護(hù)上述活性膜130。例如，在上述保護(hù)膜140上形成光阻圖案的情況下，上述保護(hù)膜140可從用于沖洗(develop)上述光阻圖案的溶液防止上述活性膜130的損傷。作為另一例，在利用上述光阻圖案來(lái)使上述保護(hù)膜140及上述活性膜130形成圖案的情況下，上述保護(hù)膜140可從用于蝕刻上述保護(hù)膜140和/或上述活性膜130的溶液工序防止上述活性膜130的過(guò)蝕刻。由此，上述活性圖案132的特性及上述活性圖案132的制作收益率得到提高，并可容易地形成相對(duì)微細(xì)大小的上述活性圖案132。

在省略上述保護(hù)膜140的情況下，上述活性膜130可從用于對(duì)光阻圖案進(jìn)行清洗的溶液工序和/或用于蝕刻上述活性膜130的溶液工序中受損。由此，活性圖案的特性及制作收益率會(huì)降低，且很難制作具有相對(duì)微細(xì)大小的活性圖案。

但是，如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，借助上述保護(hù)膜140，可從用于上述活性膜130的形成圖案的溶液工序保護(hù)上述活性膜130。由此，可提供高可靠性及高集成度的薄膜晶體管。

之后，參照?qǐng)D1a及圖2，在上述活性圖案132及上述保護(hù)圖案142上可形成源/漏電極層。上述源/漏電極層被形成圖案，從而可以形成與上述柵電極110的兩側(cè)的上述保護(hù)圖案142的一部分相接觸的源電極150s及漏電極150d。

說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例的變形例的薄膜晶體管的制作方法。

參照?qǐng)D1b，通過(guò)參照上述圖3及圖4說(shuō)明的方法依次形成基板100上的柵電極110、上述柵電極110上的柵極絕緣膜120、上述柵極絕緣膜120上的活性圖案132及上述活性圖案132上的保護(hù)圖案142。

鈍化膜145可形成于上述保護(hù)圖案142上。上述鈍化膜145被形成圖案，從而可以形成露出上述柵電極110兩側(cè)的上述保護(hù)圖案142的一部分的開(kāi)口部(openings)。形成填充上述開(kāi)口部的源/漏電極層之后，上述源/漏電極層被形成圖案，從而可以形成源電極152s及漏電極152d。

與上述本發(fā)明一實(shí)施例及其變形例不同，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，柵電極可配置于活性圖案上。參照?qǐng)D5至圖8說(shuō)明上述情況。

圖5為用于說(shuō)明本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管的圖。

參照?qǐng)D5，本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管可包括基板200上的活性圖案212、保護(hù)圖案222、柵極絕緣膜230、柵電極240、鈍化膜250、源電極260s及漏電極260d。

上述基板200可以為參照?qǐng)D1a說(shuō)明的基板100。

如參照?qǐng)D1a說(shuō)明的活性圖案132，上述活性圖案212可由氮化物形成。例如，上述活性圖案132可包含在ZnON、SnON、InON或TiON的至少一種。

上述保護(hù)圖案222可配置于上述活性圖案212上。如參照?qǐng)D1a說(shuō)明的保護(hù)圖案142，上述保護(hù)圖案222可由半導(dǎo)體性非氮化物形成。例如，在上述活性圖案212包含ZnON的情況下，上述保護(hù)圖案222可包含ZnO。上述保護(hù)圖案222的厚度可以小于上述活性圖案212的厚度。

上述柵極絕緣膜230可覆蓋上述活性圖案212及上述保護(hù)圖案222。上述柵極絕緣膜230可由與參照?qǐng)D1a說(shuō)明的柵極絕緣膜120相同的物質(zhì)形成。

上述柵電極240以與上述活性圖案212重疊的方式配置于上述柵極絕緣膜230上。上述柵電極240可由與參照?qǐng)D1a說(shuō)明的柵電極110相同的物質(zhì)形成。

鈍化膜250可配置于上述柵電極240。上述鈍化膜250可由絕緣性物質(zhì)(例如，硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物)形成。

上述源電極260s可貫通上述鈍化膜250來(lái)與靠近上述柵電極240一側(cè)的上述保護(hù)圖案222的一部分相連接。上述漏電極260d可貫通上述鈍化膜250來(lái)與靠近上述柵電極240的另一側(cè)的上述保護(hù)圖案222的一部分相連接。根據(jù)一實(shí)施例，上述源電極260s及上述漏電極260d可以與上述保護(hù)圖案222的上部面直接接觸，不與上述活性圖案212相接觸。或者，與圖5不同，上述源電極260s及上述漏電極260d可貫通上述保護(hù)圖案222來(lái)與上述柵電極240兩側(cè)的上述活性圖案212的一部分直接接觸。

以下，說(shuō)明上述本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管的制作方法。

圖6為用于說(shuō)明本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管的制作方法的流程圖。圖7及圖8為用于說(shuō)明本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管的制作方法的工序剖視圖。

參照?qǐng)D6及圖7，在基板200上可形成包括氮化物的活性膜210(步驟S210)。上述活性膜210可通過(guò)與參照?qǐng)D2及圖3說(shuō)明的活性膜130相同的方法形成。

在上述活性膜210上可以形成包含非氮化物的保護(hù)膜220(步驟S220)。上述保護(hù)膜220可通過(guò)與參照?qǐng)D2及圖3說(shuō)明的保護(hù)膜140相同的方法形成。

參照?qǐng)D6及圖7，上述保護(hù)膜220及上述活性膜210依次被形成圖案，從而可以形成活性圖案212及上述活性圖案212上的保護(hù)圖案222(步驟S230)。上述保護(hù)膜220及上述活性膜210可通過(guò)參照?qǐng)D2及圖3說(shuō)明的保護(hù)膜140及活性膜130的形成圖案方法相同的方法被形成圖案。如參照?qǐng)D2及圖4進(jìn)行的說(shuō)明，上述保護(hù)膜220可從用于上述活性膜210的形成圖案的溶液工序保護(hù)上述活性膜210。

之后，參照?qǐng)D5及圖6，可形成覆蓋上述保護(hù)圖案222及上述活性圖案212的柵極絕緣膜230(步驟S240)。柵電極240以與上述活性圖案212重疊的方式形成于上述柵極絕緣膜230上(步驟S250)。

在上述柵電極240形成鈍化膜250之后，貫通上述鈍化膜250，來(lái)形成與上述柵電極240兩側(cè)的上述保護(hù)圖案222的一部分相連接的源電極260s及漏電極260d(步驟S260)。

以下，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管的特性評(píng)價(jià)結(jié)果。

圖9為用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管的電流電壓特性的圖表。圖10為用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管的移動(dòng)度的圖表。

參照?qǐng)D9及圖10，利用包含ZnON的活性圖案及包含上述ZnON活性圖案上的ZnO的保護(hù)圖案來(lái)制作本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管。測(cè)定結(jié)果，具有-1.19V的threshold voltage、56.4cm²/Vs的saturation mobility及0.51V/decade的sub-threshold voltage swing。即，利用包含氮化物的活性圖案及包含非氮化物的保護(hù)圖案來(lái)提供高可靠性及高移動(dòng)度的薄膜晶體管。

上述本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管可用于顯示裝置。以下，說(shuō)明包括本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管和/或根據(jù)其制作方法制作的薄膜晶體管。

圖11為用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管的顯示裝置的框圖。

參照?qǐng)D11，包括本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光元件的顯示裝置包括顯示部300、時(shí)序控制器310、柵電極驅(qū)動(dòng)部330、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部340及電源部350。

上述顯示部100可包括：柵電極線；數(shù)據(jù)線，與上述柵電極線交叉而成；以及像素單元，形成于上述柵電極線和上述數(shù)據(jù)線交叉而成的區(qū)域。

上述像素單元可包括至少一個(gè)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管。上述像素單元可包括有機(jī)發(fā)光二極管或液晶層。在上述像素單元中的本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管可體現(xiàn)為PMOS、NMOS。

上述山脊線可向上述刑訴單元供給從上述柵電極驅(qū)動(dòng)部330接收的柵電極信號(hào)(GS)。響應(yīng)上述柵電極信號(hào)，上述像素單元中的本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管會(huì)開(kāi)啟。上述數(shù)據(jù)線可供給從上述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部340供給的顯示數(shù)據(jù)電壓(DDV)。

上述時(shí)序控制器310從外部接收數(shù)據(jù)信號(hào)(I-data)來(lái)向上述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部340供給，基于從外部接收的信號(hào)，可分別向上述柵電極驅(qū)動(dòng)部330和上述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部340供給柵電極控制信號(hào)(GCS)及數(shù)據(jù)控制信號(hào)(DCS)。

上述電源部350向上述柵電極驅(qū)動(dòng)部330供給柵電極導(dǎo)通電壓(VON)/柵電極截止電壓(VOFF)，向上述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部340供給模擬驅(qū)動(dòng)電壓(AVDD)，并可向上述顯示部100供給驅(qū)動(dòng)電壓(VDD)及公共電壓(Vcom)。

圖11中，本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管用于顯示裝置，但是并不局限于此，本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管可用于多種電子元件。

以上，通過(guò)優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明，但是，本發(fā)明的范圍并不局限于上述實(shí)施例，本發(fā)明的范圍需要通過(guò)發(fā)明要求保護(hù)范圍解釋。并且，只要是本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，均可在不超出本發(fā)明的發(fā)明要求保護(hù)范圍的情況下可進(jìn)行多種修改和變形。

工業(yè)實(shí)用性

本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管及根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管的制作方法制作的薄膜晶體管可適用于TV、智能手機(jī)、平板電腦、可佩帶元件等多種電子設(shè)備。