1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：
基板；
活性圖案，配置于上述基板上，包括氮化物；
保護(hù)圖案，配置于上述活性圖案上，包括非氮化物；
柵電極，與上述活性圖案重疊；以及
柵極絕緣膜，形成于上述柵電極與上述活性圖案之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，
上述保護(hù)圖案由半導(dǎo)體性非氮化物形成，
上述活性圖案具有大于上述保護(hù)圖案的移動(dòng)度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：
鈍化膜，覆蓋上述保護(hù)圖案；
源電極，貫通上述鈍化膜，與靠近上述柵電極的一側(cè)的上述保護(hù)圖案的一部分相接觸；以及
漏電極，貫通上述鈍化膜，與靠近上述柵電極的另一側(cè)的上述保護(hù)圖案的一部分相接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，
還包括上述柵電極的一側(cè)的源電極及上述柵電極的另一側(cè)的漏電極，
上述源電極及上述漏電極分別與靠近上述柵電極的上述一側(cè)及上述另一側(cè)的上述保護(hù)圖案的一部分相接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，上述保護(hù)圖案配置于上述活性圖案與上述柵電極之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，
上述活性圖案由第一元素、第二元素及氮的化合物形成，
上述保護(hù)圖案由上述第一元素及上述第二元素的化合物形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，上述第一元素包括鋅，上述第二元素包括氧。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，上述保護(hù)圖案的厚度小于上述活性圖案的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，上述保護(hù)圖案與上述活性圖案直接接觸。
10.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，
包括：
在基板上形成包含氮化物的活性膜的步驟；
在上述活性膜上形成包含非氮化物的保護(hù)膜的步驟；以及
按上述保護(hù)膜及上述活性膜的順序依次形成圖案，來形成層疊于上述基板上的活性圖案及保護(hù)圖案的步驟，
上述保護(hù)膜在用于使上述活性膜形成圖案的溶液工序中保護(hù)上述活性膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，
上述活性膜利用包含第一元素的第一源、包含第二元素的第二源及包含氮的第三源而成，
上述保護(hù)膜利用上述第一源及上述第二源并通過與上述活性膜的制作方法相同的制作方法制作而成。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在形成上述活性膜之前，還包括：
在上述基板上形成柵電極的步驟；以及
在上述柵電極上形成柵極絕緣膜的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在形成上述活性膜之后，還包括：
在上述保護(hù)圖案上形成柵極絕緣膜的步驟；以及
在上述柵極絕緣膜上形成柵電極的步驟。
14.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，
包括：
在基板上形成包含金屬氮氧化物的活性膜的步驟；
在上述活性膜上形成保護(hù)膜的步驟，上述保護(hù)膜包含金屬氧化物，厚度小于上述活性膜的厚度，具有小于上述活性膜的移動(dòng)度；以及
利用溶液工序來依次使上述保護(hù)膜及上述活性膜形成圖案的步驟，
上述保護(hù)膜在上述溶液工序中保護(hù)上述活性膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，
上述活性膜及上述保護(hù)膜通過相同的工序制作而成，
上述活性膜所包含的金屬與上述保護(hù)膜所包含的金屬相同。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，
使上述保護(hù)膜及上述活性膜形成圖案的步驟包括：
在上述保護(hù)膜及上述活性膜上形成光阻圖案的步驟，
上述保護(hù)膜在對(duì)上述光阻圖案進(jìn)行沖洗的溶液工序中保護(hù)上述活性膜。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，
使上述保護(hù)膜及上述活性膜形成圖案的步驟包括：
在上述保護(hù)膜及上述活性膜上形成光阻圖案的步驟，
上述保護(hù)膜將上述光阻圖案用作掩膜，以此在對(duì)上述保護(hù)膜及上述活性膜進(jìn)行蝕刻的溶液工序中防止上述活性膜被過蝕刻。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，
上述活性膜包含鋅氧氮化物，
上述保護(hù)膜包含鋅氧化物。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，上述保護(hù)膜由半導(dǎo)體性金屬氧化物形成。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，
還包括形成與上述活性膜隔開的柵電極的步驟，
借助向上述柵電極施加的電壓，在上述活性膜內(nèi)限定性地形成通道，在上述保護(hù)膜內(nèi)不形成通道。