本申請案享有以日本專利申請案2015-180152號(hào)(申請日：2015年9月11日)為基礎(chǔ)申請案的優(yōu)先權(quán)。本申請案通過參照該基礎(chǔ)申請案而包含基礎(chǔ)申請案的全部內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

以往，有如下方法，即，在晶片的表面?zhèn)刃纬砂雽?dǎo)體元件并將晶片的表面貼合在支撐襯底后，通過對晶片從背面?zhèn)冗M(jìn)行研磨使該晶片薄化而制造薄型的半導(dǎo)體裝置。

在所述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，由于要研磨的晶片的周緣部的表背兩面朝內(nèi)側(cè)傾斜，所以有如下情況，即，如果進(jìn)行研磨，則晶片的端部變尖為刀刃狀，而較尖的端部在研磨時(shí)從晶片斷裂。在該情況下，有時(shí)碎片卷入到晶片的研磨面而導(dǎo)致晶片的平坦性降低，從而半導(dǎo)體裝置的良率降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種能夠提高對貼合在支撐襯底的晶片從背面?zhèn)冗M(jìn)行研磨而制造的半導(dǎo)體裝置的良率的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包含形成步驟、貼合步驟、及薄化步驟這3個(gè)步驟。形成步驟是將表面設(shè)置著半導(dǎo)體元件的晶片的周緣部去除到從晶片的表面?zhèn)绕馂橹辽?00μm以上的深度為止，而在晶片的表面?zhèn)戎芫壭纬汕锌诓?。貼合步驟是將晶片的表面貼合在支撐襯底。薄化步驟是對晶片從背面?zhèn)冗M(jìn)行研磨而使晶片薄化至小于200μm的厚度為止。

附圖說明

圖1是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中使用的晶片的一例的說明圖。

圖2(a)～(d)是第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造步驟的基于剖面觀察的說明圖。

圖3是表示對第1實(shí)施方式的晶片的背面周緣部有無裂紋進(jìn)行評價(jià)所得的試驗(yàn)結(jié)果的說明圖。

圖4是表示對第1實(shí)施方式的晶片的背面周緣部有無裂紋進(jìn)行評價(jià)所得的試驗(yàn)結(jié)果的說明圖。

圖5(a)～(d)是第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造步驟的基于剖面觀察的說明圖。

圖6(a)～(d)是第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的其他制造步驟的基于剖面觀察的說明圖。

圖7(a)～(d)是第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造步驟的基于剖面觀察的說明圖。

圖8(a)～(d)是第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造步驟的基于剖面觀察的說明圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖，對實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法詳細(xì)地進(jìn)行說明。另外，本發(fā)明不受本實(shí)施方式限定。

(第1實(shí)施方式)

圖1是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中使用的晶片的一例的說明圖。在以下的實(shí)施方式中，對如下步驟進(jìn)行說明，即，準(zhǔn)備如圖1所示那樣在表面?zhèn)仍O(shè)置著半導(dǎo)體元件11等的晶片10，將該晶片10與未圖示的支撐襯底貼合，并使被支撐襯底支撐的晶片10從背面?zhèn)缺』?/p>

另外，實(shí)施方式中使用的晶片10為例如具有大致圓盤形狀的硅晶片等，且晶片10的周緣部的表背兩面朝內(nèi)側(cè)傾斜。

此處，薄型的半導(dǎo)體裝置是通過在晶片的表面?zhèn)刃纬砂雽?dǎo)體元件等并將晶片的表面貼合在支撐襯底后，對晶片從背面?zhèn)冗M(jìn)行研磨使該晶片薄化而制造。

在所述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，由于要研磨的晶片的周緣部的表背兩面朝內(nèi)側(cè)傾斜，所以有如下情況，即，如果對晶片從背面?zhèn)冗M(jìn)行研磨，則晶片的端部變尖為刀刃狀，而較尖的端部在研磨時(shí)斷裂。其結(jié)果，碎片卷入至晶片的研磨面而導(dǎo)致研磨后的晶片的研磨面的平坦性降低。因此，通常在研磨前在晶片的表面?zhèn)戎芫壭纬上鄬^淺的切口部而預(yù)先將變尖為刀刃狀的端部去除。

然而，如果對晶片從背面?zhèn)冗M(jìn)行研磨而使該晶片薄化，則在晶片達(dá)到所期望的厚度的研磨的末期階段、即在晶片的厚度方向上距離晶片的表面較近的位置，晶片的周緣部成為凸緣形狀。因此，有如下情況，即，在該凸緣部分在達(dá)到目標(biāo)厚度之前斷裂并卷入至晶片的研磨面的情況下，破壞薄化后的晶片的研磨面的平坦性。

因此，第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法是當(dāng)對晶片10從背面?zhèn)冗M(jìn)行研磨時(shí)，將凸緣部分在研磨的初期階段、即在晶片10的厚度方向上距離晶片10的表面較遠(yuǎn)的位置去除，由此，在薄化后的晶片10獲得平坦性高的研磨面。以下，參照圖2對該半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。

圖2是實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造步驟的基于剖面觀察的說明圖。另外，圖2所示的晶片10是圖1所示的晶片10的A-A'線上的剖面部分的一部分。在第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，首先，準(zhǔn)備晶片10與支撐襯底20。

如圖2(a)所示，在本實(shí)施方式中，使用厚度a例如為775μm的晶片10。在該晶片10中的表面12的周緣部與背面13的周緣部，在表面及背面形成有斜面部3。該晶片10中的形成有斜面部3的周緣部的寬度b例如為100μm～600μm，斜面部3的高度c例如為50μm～250μm。

其次，如圖2(b)所示，通過蝕刻，在晶片10的周緣部形成從晶片10的表面12起達(dá)到晶片10的厚度a的四分之一以上的深度e、例如200～500μm的深度且沿著晶片10的周緣連續(xù)的環(huán)狀切口部4。在本實(shí)施方式中，該切口部4的寬度d是與形成有斜面部3的周緣部的寬度b大致相同的寬度，例如為600μm。也就是說，切口部4是通過利用蝕刻對晶片10的周緣部中的斜面部3進(jìn)行去除而形成。

由此，在晶片10的背面13的周緣部形成凸緣部分5。但是，該凸緣部分5形成于在晶片10的厚度方向上距離晶片10的表面12較遠(yuǎn)的位置。因此，通過對晶片10從背面?zhèn)冗M(jìn)行研磨而使該晶片10薄化，可在研磨的初期階段將所述凸緣部分5去除。

因此，在本實(shí)施方式中，形成有從晶片10的表面12起達(dá)到至少200μm以上的深度e的切口部4。由此，可在薄化至所期望的厚度的期間使晶片10的背面13平坦化。

接著，如圖2(c)所示，將表背翻轉(zhuǎn)的晶片10的表面12經(jīng)由粘接劑7貼合在支撐襯底20。作為粘接劑7，例如，使用氨基甲酸酯系樹脂或環(huán)氧樹脂等有機(jī)系粘接劑等。

另外，粘接劑7是通過利用旋轉(zhuǎn)涂布法等將所述粘接劑7涂布在支撐襯底20的表面而形成。另外，作為支撐襯底20，例如，使用玻璃或硅等，為直徑及厚度與晶片10大致相同的圓盤狀的襯底。另外，支撐襯底20的直徑、厚度等形狀并不限定于此。

此處，如圖2(c)所示，切口部4處的貼合后的粘接劑7由于切口部4的深度e較深，所以貼合時(shí)被按壓的粘接劑7未到達(dá)至切口部4的底面而在切口部7的側(cè)壁停住。

因此，當(dāng)對晶片10從背面13進(jìn)行研磨時(shí)，由于凸緣部分5未被粘接劑7粘著，所以可容易地將該凸緣部分5去除。

返回至圖2(c)，然后，利用研磨機(jī)6對晶片10從背面13進(jìn)行研磨而使晶片10薄化至小于200μm的厚度、具體來說、例如33μm的厚度為止。

此處，晶片10的形成在背面13的周緣部的凸緣部分5是在晶片10的厚度方向上距離晶片10的表面12較遠(yuǎn)的位置通過研磨而去除。因此，即使在凸緣部分5斷裂而卷入至晶片10的研磨面的情況下，在使晶片10薄化至所期望的厚度的期間晶片10的研磨面也平坦化。

也就是說，在本實(shí)施方式中，通過將凸緣部分5在距離晶片的表面12較遠(yuǎn)的位置去除，隨著晶片10的背面13的研磨接近最后階段而卷入至研磨面的凸緣部分5的晶片芯片的混入引起的影響被消除，而晶片10的研磨面逐漸平坦化。

然后，如圖2(d)所示，通過研磨使晶片10薄化至所期望的厚度f、該例中薄化至33μm的厚度為止時(shí)，以高精度獲得平坦化的晶片10的背面13。

然后，通過CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學(xué)機(jī)械研磨)，將晶片10的背面13精加工得光滑。然后，實(shí)施將晶片10從支撐襯底20剝離并將該晶片10單片化的步驟等后續(xù)步驟的處理。

如所述那樣，第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包含形成步驟、貼合步驟、及研磨步驟這3個(gè)步驟。在形成步驟中，將表面12設(shè)置著半導(dǎo)體元件11的晶片10的周緣部去除到從晶片10的表面12起為至少200μm以上的深度e為止，而在晶片10的表面?zhèn)戎芫壭纬汕锌诓?。

在貼合步驟中，將晶片10的表面12經(jīng)由粘接劑7貼合在支撐襯底20。在薄化步驟中，對晶片10從背面13進(jìn)行研磨而使晶片10薄化至小于200μm的厚度f為止。

由此，在第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，對貼合在支撐襯底20的晶片10從背面13進(jìn)行研磨而使該晶片10薄化的情況下，能夠以高精度獲得平坦化的晶片10的背面13，而能夠使半導(dǎo)體裝置的良率提高。

此處，就對切口部4的深度e實(shí)施各種改變而對研磨后的晶片10的背面周緣部有無裂紋進(jìn)行評價(jià)所得的試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行說明。圖3及圖4是表示對第1實(shí)施方式的晶片10的背面周緣部有無裂紋進(jìn)行評價(jià)所得的試驗(yàn)結(jié)果的說明圖。

具體來說，圖3是通過如下所得的試驗(yàn)結(jié)果，即，對將使寬度d固定為600μm而改變深度e進(jìn)行邊緣修整后的晶片10分別貼合在支撐襯底20并使晶片10從背面13薄化至規(guī)定的厚度f后的晶片10的背面周緣部的裂紋數(shù)量進(jìn)行評價(jià)。在試驗(yàn)中，對長度50μm及長度100μm的裂紋數(shù)進(jìn)行評價(jià)。

圖4是通過如下所得的試驗(yàn)結(jié)果，即，對將使深度e固定為300μm而改變寬度d進(jìn)行邊緣修整后的晶片10分別貼合在支撐襯底20，并使晶片10從背面13薄化至規(guī)定的厚度f后的晶片10的背面周緣部的裂紋數(shù)量進(jìn)行評價(jià)所得。另外，實(shí)驗(yàn)中使用的晶片10的厚度a為775μm，薄化后的晶片10的厚度f為33μm。另外，晶片10中的形成有斜面部3的周緣部的寬度b為350μm，斜面部3的高度c為200μm。

如圖3所示，關(guān)于切口部4的深度e為100μm的樣品1～4，長度為50μm的裂紋數(shù)為1位數(shù)，長度為100μm的裂紋數(shù)大致達(dá)到2位數(shù)，在薄化后的晶片10的背面周緣部存在多個(gè)裂紋。

另一方面，關(guān)于切口部4的深度e為200μm的樣品1～4、及切口部4的深度e為300μm的樣品1～4，在薄化后的晶片10的背面周緣部不存在裂紋。

根據(jù)所述情況可知，只要切口部4的深度e從晶片10的表面12起為至少200μm以上，便可抑制薄化后的晶片10的背面周緣部中的裂紋的產(chǎn)生。

其原因在于，如所述那樣，如果切口部4的深度e較深，則切口部4中的貼合后的粘接劑7不到達(dá)至切口部4的底面而在切口部4的側(cè)壁停住。由此認(rèn)為，當(dāng)對晶片10從背面13進(jìn)行研磨時(shí)，由于凸緣部分5未被粘接劑7粘著，所以可容易地將該凸緣部分5去除，因此，研磨后的晶片10的背面周緣部中的裂紋的產(chǎn)生得到抑制。

另外，如圖4所示，可知隨著將切口部4的寬度d從100μm增大至600μm，而薄化后的晶片10的背面周緣部中的裂紋減少。也就是說，可知通過將切口部4的寬度d設(shè)為與晶片10中的形成有斜面部3的周緣部的寬度b相同的600μm，而能夠抑制薄化后的晶片10的背面周緣部中的裂紋的產(chǎn)生。

(第2實(shí)施方式)

接下來，對第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。在該實(shí)施方式中，代替對晶片的周緣部進(jìn)行去除而在晶片的表面?zhèn)戎芫壭纬汕锌诓?，而對晶片的周緣部從晶片的表面?zhèn)葘?shí)施達(dá)到所期望的深度且沿著晶片的外周連續(xù)的切割加工。

圖5是第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造步驟的基于剖面觀察的說明圖。另外，關(guān)于圖5所示的構(gòu)成要素中與圖2所示的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，通過標(biāo)注與圖2所示的符號(hào)相同的符號(hào)，而在此處省略其說明。在第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，首先，準(zhǔn)備晶片10(參照圖5(a))與支撐襯底20。

其次，如圖5(b)所示，在晶片10的周緣部，利用切割刀沿著晶片10的外周形成從晶片10的表面12起達(dá)到晶片10的厚度a的四分之一以上的深度e、例如200～500μm的深度的槽部8。

所述槽部8具有從斜面部3中的晶片10的內(nèi)面?zhèn)鹊膬A斜位置向水平方向到達(dá)至例如200～小于600μ的位置的橫寬g。另外，槽部8是在將槽寬g設(shè)為例如1000μm的最大寬度的情況下，遍及斜面部3及半導(dǎo)體元件11側(cè)的晶片10的表面12而形成。在該情況下，在晶片10的表面12確保槽部8與半導(dǎo)體元件11不相互重疊的區(qū)域。

接著，如圖5(c)所示，將表背翻轉(zhuǎn)的晶片10的表面12經(jīng)由粘接劑7貼合在支撐襯底20。粘接劑7通過利用旋轉(zhuǎn)涂布法等將所述粘接劑7涂布在晶片10的表面12而形成。

然后，利用研磨機(jī)6對晶片10從背面13進(jìn)行研磨而使晶片10薄化至小于200μm的厚度、具體來說、例如33μm的厚度為止。

此處，晶片10的背面周緣部中的未被槽部8分離的部分80是在晶片的厚度方向上距離晶片的表面12較遠(yuǎn)的位置通過研磨而去除。因此，即使在所述部分80斷裂而卷入至晶片10的研磨面的情況下，在使晶片10薄化至所期望的厚度的期間晶片10的研磨面也平坦化。

也就是說，在本實(shí)施方式中，通過將所述部分80在距離晶片的表面12較遠(yuǎn)的位置去除，隨著晶片10的背面13的研磨接近最后階段而卷入至研磨面的所述部分80的晶片芯片的混入引起的影響被消除，而晶片10的研磨面逐漸平坦化。

另外，晶片10的周緣部中的被槽部8分離的部分81由于被粘接劑7粘著，所以不用擔(dān)心在研磨時(shí)卷入至晶片10的主面?zhèn)鹊难心ッ妗?/p>

然后，如圖5(d)所示，通過研磨使晶片10薄化至所期望的厚度f、該例中為33μm的厚度時(shí)，以高精度獲得平坦化的晶片10的背面13。

然后，通過CMP，將晶片10的背面13精加工得光滑。然后，實(shí)施將晶片10從支撐襯底20剝離并將該晶片10單片化的步驟等后續(xù)步驟的處理。

如所述那樣，第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包含實(shí)施切割加工的步驟、貼合步驟、及薄化步驟這3個(gè)步驟。在實(shí)施切割加工的步驟中，于在表面12設(shè)置著半導(dǎo)體元件11的晶片10的周緣部，使用切割刀沿著晶片10的外周形成從晶片10的表面12起達(dá)到至少200μm以上的深度e的槽部8。

在貼合步驟中，將晶片10的表面12經(jīng)由粘接劑7貼合在支撐襯底20。在薄化步驟中，對晶片10從背面13進(jìn)行研磨而使晶片10薄化至小于200μm的厚度f為止。

由此，在第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在對貼合在支撐襯底20的晶片10從背面13進(jìn)行研磨而使該晶片10薄化的情況下，能夠以高精度獲得平坦化的晶片10的背面13，而能夠使半導(dǎo)體裝置的良率提高。

另外，所述第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法是對晶片10的周緣部使用切割刀實(shí)施切割加工，但也可使用激光實(shí)施切割加工。也就是說，也可以是通過照射激光而在晶片10形成機(jī)械強(qiáng)度比未利用激光實(shí)施加工的部位低的部位的隱形切割。

具體來說，在晶片10的周緣部，通過激光沿著晶片10的外周形成從晶片10的表面12起達(dá)到晶片10的厚度a的四分之一以上的深度e、例如200～500μm的深度的機(jī)械強(qiáng)度低的部位。

圖6所示的例子是使用激光沿著晶片10的外周形成從晶片10的表面12起達(dá)到至少200μm以上的深度e的機(jī)械強(qiáng)度低的部位9的例子。圖6是表示第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的其他制造步驟的剖面模式圖。另外，圖6(a)～圖6(d)所示的步驟與圖5(a)～圖5(d)所示的步驟是除在晶片10的表面?zhèn)戎芫壊渴褂眉す庋刂?0的外周形成機(jī)械強(qiáng)度低的部位9以外，表示相同內(nèi)容的步驟。

如圖6(b)所示，激光被照射在晶片10的形成在表面?zhèn)戎芫壊康男泵娌?中的半導(dǎo)體元件11側(cè)的端部。由此，沿著晶片10的外周形成從晶片10的表面12起達(dá)到至少200μm以上的深度e的機(jī)械強(qiáng)度低的部位9。

然后，經(jīng)過圖6(c)及圖6(d)所示的步驟，通過研磨使晶片10薄化至所期望的厚度f為止，由此以高精度獲得平坦化的晶片10的背面13。

即使為這種方式，在對貼合在支撐襯底20的晶片10從背面13進(jìn)行研磨而使該晶片10薄化的情況下，也能夠以高精度獲得平坦化的晶片10的背面13，而能夠使半導(dǎo)體裝置的良率提高。

另外，由于所述方式使用激光對晶片10的周緣部實(shí)施切割加工，所以能夠?qū)⒕?0的切割加工面精加工得美觀。

(第3實(shí)施方式)

接下來，對第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。在該實(shí)施方式中，對晶片的周緣部進(jìn)行去除而在晶片的表面?zhèn)戎芫壭纬汕锌诓恐?，對晶片的周緣部從晶片的表面?zhèn)葘?shí)施達(dá)到所期望的深度且沿著晶片的外周連續(xù)的切割加工。

圖7是第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造步驟的基于剖面觀察的說明圖。另外，關(guān)于圖7所示的構(gòu)成要素中與圖5所示的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，通過標(biāo)注與圖5所示的符號(hào)相同的符號(hào)，而在此處省略其說明。在第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，首先，準(zhǔn)備晶片10(參照圖5(a))與支撐襯底20。

其次，如圖7(a)所示，通過蝕刻在晶片10的周緣部形成從晶片10的表面12起達(dá)到晶片10的厚度a的五分之一以下的深度h、例如50～150μm的深度且沿著晶片10的周緣連續(xù)的環(huán)狀的較淺的切口部4a。在本實(shí)施方式中，該切口部4a的寬度是與形成有斜面部3的周緣部的寬度b大致相同的寬度。也就是說，切口部4a是通過利用蝕刻對晶片10的周緣部中的斜面部3進(jìn)行去除而形成。

接著，如圖7(b)所示，針對晶片10的形成有切口部4a的周緣部，利用切割刀沿著晶片10的外周形成從晶片10的表面12起達(dá)到晶片的厚度a的四分之一以上的深度e、例如200～500μm的深度的槽部8a。該槽部8a是從晶片10的周緣部中的切口部4a的內(nèi)周面?zhèn)瘸蛲鈧?cè)形成。

接著，如圖7(c)所示，將表背翻轉(zhuǎn)的晶片10的表面12經(jīng)由粘接劑7貼合在支撐襯底20。粘接劑7是通過利用旋轉(zhuǎn)涂布法等將所述粘接劑7涂布在晶片10的表面12而形成。然后，利用研磨機(jī)6對晶片10從背面13進(jìn)行研磨而使晶片10薄化至小于200μm的厚度、具體來說例如33μm的厚度為止。

然后，如圖7(d)所示，通過研磨使晶片10薄化至所期望的厚度f、該例中為33μm的厚度為止，由此，以高精度獲得平坦化的晶片10的背面13。

然后，通過CMP，將晶片10的背面13精加工得光滑。然后，實(shí)施將晶片10從支撐襯底20剝離并將該晶片10單片化的步驟等后續(xù)步驟的處理。

如所述那樣，第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包含形成步驟、實(shí)施切割加工的步驟、貼合步驟、及薄化步驟這4個(gè)步驟。在形成步驟中，將表面12設(shè)置著半導(dǎo)體元件11的晶片10的周緣部去除到從晶片10的表面12起為晶片10的厚度a的五分之一以下的深度h為止，而在晶片10的表面?zhèn)戎芫壭纬奢^淺的切口部4a。

在實(shí)施切割加工的步驟中，在晶片10的周緣部使用切割刀沿著晶片10的外周形成從晶片10的表面12起達(dá)到至少200μm以上的深度e的槽部8a。

在貼合步驟中，將晶片10的表面12經(jīng)由粘接劑7貼合在支撐襯底20。在薄化步驟中，對晶片10從背面13進(jìn)行研磨而使晶片10薄化至小于200μm的厚度f為止。

由此，在第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在對貼合在支撐襯底20的晶片10從背面13進(jìn)行研磨而使該晶片10薄化的情況下，能夠以高精度獲得平坦化的晶片10的背面13，而能夠使半導(dǎo)體裝置的良率提高。

另外，所述方式是對晶片10的周緣部進(jìn)行去除而形成沿著晶片10的周緣連續(xù)的環(huán)狀的較淺的切口部4a之后，使用切割刀沿著晶片10的外周形成從切口部4a的底面起達(dá)到所期望的深度的槽部8a。

因此，如圖7(d)所示，研磨結(jié)束時(shí)，晶片10的周緣部中的形成有切口部4a的部分的晶片芯片已被去除，所以，能夠容易地將背面研磨已完成的晶片10從支撐襯底20剝離。

另外，所述方式是對晶片10的周緣部使用切割刀實(shí)施切割加工，但也可使用激光實(shí)施切割加工。具體來說，在晶片10的形成有切口部4a的周緣部，通過激光沿著晶片10的外周形成從晶片10的表面12起達(dá)到至少200μm以上的深度e的機(jī)械強(qiáng)度低的部位。

即使為這種方式，在對貼合在支撐襯底20的晶片10從背面13進(jìn)行研磨而使該晶片10薄化的情況下，也能夠以高精度獲得平坦化的晶片10的背面13，而能夠使半導(dǎo)體裝置的良率提高。

(第4實(shí)施方式)

接下來，對第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。在該實(shí)施方式中，對晶片從背面進(jìn)行研磨直到所期望的厚度為止后，在晶片的周緣部通過激光沿著晶片的外周形成從晶片的背面起達(dá)到所期望的深度的機(jī)械強(qiáng)度低的部位。

圖8是第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造步驟的基于剖面觀察的說明圖。另外，關(guān)于圖8所示的構(gòu)成要素中與圖5及圖7所示的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，通過標(biāo)注與圖5及圖7所示的符號(hào)相同的符號(hào)，而在此處省略其說明。在第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，首先，準(zhǔn)備晶片10(參照圖5(a))與支撐襯底20。

其次，通過蝕刻在晶片10的周緣部形成從晶片10的表面12起達(dá)到晶片10的厚度a的五分之一以下的深度h、例如50～150μm的深度且沿著晶片10的周緣連續(xù)的環(huán)狀的較淺的切口部4a(參照圖7(a))。

接著，如圖8(a)所示，將表背翻轉(zhuǎn)的晶片10的表面12經(jīng)由粘接劑7貼合在支撐襯底20。粘接劑7是通過利用旋轉(zhuǎn)涂布法等將所述粘接劑7涂布在晶片10的表面而形成。然后，利用研磨機(jī)6對晶片10從背面13進(jìn)行研磨，而薄化至從晶片10的表面12起為晶片10的厚度a的二分之一以上的厚度i、例如400μm的厚度為止。

然后，如圖8(b)所示，在晶片10的周緣部通過激光沿著晶片10的外周形成從晶片10的背面13起直到形成有切口部4a的表面12為止的機(jī)械強(qiáng)度低的部位9a。具體來說，通過對晶片10的周緣部中的切口部4a的內(nèi)周面的正上方照射激光而在晶片10形成機(jī)械強(qiáng)度比未通過激光實(shí)施加工的部位低的部位9a。

接著，如圖8(c)所示，再次利用研磨機(jī)6對晶片10從背面13進(jìn)行研磨而使晶片10薄化至小于200μm的厚度、具體來說例如33μm的厚度為止。

然后，如圖8(d)所示，通過研磨使晶片10薄化至所期望的厚度f、該例中為33μm的厚度為止，由此，以高精度獲得平坦化的晶片10的背面13。

然后，通過CMP，將晶片10的背面13精加工至光滑。然后，實(shí)施將晶片10從支撐襯底20剝離并將該晶片10單片化的步驟等后續(xù)步驟的處理。

如所述那樣，第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置包含形成步驟、貼合步驟、第1薄化步驟、實(shí)施切割加工的步驟、及第2薄化步驟這5個(gè)步驟。在形成步驟中，將表面12設(shè)置著半導(dǎo)體元件11的晶片10的周緣部去除到從晶片10的表面12起為晶片10的厚度a的五分之一以下的深度h為止，而在晶片10的表面?zhèn)戎芫壭纬奢^淺的切口部4a。

在貼合步驟中，將晶片10的表面12經(jīng)由粘接劑7貼合在支撐襯底20。在第1薄化步驟中，對晶片10從背面13進(jìn)行研磨而薄化至從晶片10的表面12起為晶片10的厚度a的二分之一以上的厚度i為止。

在實(shí)施切割加工的步驟中，在晶片10的周緣部通過激光沿著晶片10的外周形成從晶片10的背面13起到達(dá)至形成有切口部4a的表面12為止的機(jī)械強(qiáng)度低的部位9a。在第2薄化步驟中，對晶片10從背面13進(jìn)行研磨而使晶片10薄化至小于200μm的厚度f為止。

由此，在第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在對貼合在支撐襯底20的晶片10從背面13進(jìn)行研磨而使該晶片10薄化的情況下，能夠以高精度獲得平坦化的晶片10的背面13，而能夠使半導(dǎo)體裝置的良率提高。

另外，所述方式是對晶片10的周緣部進(jìn)行去除而形成沿著晶片10的周緣連續(xù)的環(huán)狀的較淺的切口部4a之后，使用激光沿著晶片10的外周形成從晶片10的背面13起到達(dá)至切口部4a的底面為止的機(jī)械強(qiáng)度低的部位9a。

因此，如圖8(d)所示，研磨結(jié)束時(shí)，晶片10的周緣部中的形成有切口部4a的部分的晶片芯片已被去除，所以能夠容易地將背面研磨已完成的晶片10從支撐襯底20剝離。

另外，所述方式是在將晶片10的背面13研磨至所期望的厚度i之后，使用激光對晶片10的周緣部實(shí)施切割加工。因此，能夠?qū)τ诰?0的激光的照射時(shí)間抑制得較短，而能夠抑制晶片10的因激光引起的熱的影響。

另外，所述方式是使用激光對晶片10的周緣部實(shí)施切割加工，因此，能夠?qū)⒕?0的切割加工面精加工得美觀。

另外，在第1至第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，將晶片10的表面12經(jīng)由粘接劑7貼合在支撐襯底20，但并不限定于該方式。作為其他方式，也可不使用粘接劑7而將晶片10的表面12直接接合在支撐襯底20。

即使為所述方式，在對貼合在支撐襯底20的晶片10從背面13進(jìn)行研磨而使該晶片10薄化的情況下，也能夠以高精度獲得平坦化的晶片10的背面13，而能夠使半導(dǎo)體裝置的良率提高。

已對本發(fā)明的若干實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但這些實(shí)施方式是作為例子而提出，并不意圖限定發(fā)明的范圍。這些新穎的實(shí)施方式能以其他多種方式實(shí)施，可以在不脫離發(fā)明主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實(shí)施方式或其變化包含在發(fā)明的范圍或主旨中，并且包含在權(quán)利要求書所記載的發(fā)明及其均等的范圍內(nèi)。

[符號(hào)的說明]

10 晶片

11 半導(dǎo)體元件

12 表面

13 背面

20 支撐襯底

3 斜面部

4、4a 切口部

5 凸緣部分

6 研磨機(jī)

7 粘接劑

8、8a 槽部

9、9a 機(jī)械強(qiáng)度低的部位