技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實施方式提供一種能夠提高對貼合在支撐襯底的晶片從背面?zhèn)冗M(jìn)行研磨而制造的半導(dǎo)體裝置的良率的半導(dǎo)體裝置的制造方法。實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包含形成步驟、貼合步驟、及薄化步驟這3個步驟。形成步驟是將表面設(shè)置著半導(dǎo)體元件的晶片的周緣部去除到從晶片的表面?zhèn)绕馂橹辽?00μm以上的深度為止，在晶片的表面?zhèn)戎芫壭纬汕锌诓俊ＹN合步驟是將晶片的表面貼合在支撐襯底。薄化步驟是對晶片從背面?zhèn)冗M(jìn)行研磨而使晶片薄化至小于200μm的厚度為止。

技術(shù)研發(fā)人員：白野貴士;藤井美香;東和幸
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社東芝
文檔號碼：201610239950
技術(shù)研發(fā)日：2016.04.18
技術(shù)公布日：2017.03.22