1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包含如下步驟：

將表面設(shè)置著半導(dǎo)體元件的晶片的周緣部去除到從所述晶片的表面?zhèn)绕馂橹辽?00μm以上的深度為止，在所述晶片的表面?zhèn)戎芫壭纬汕锌诓浚?/p>

將所述晶片的表面貼合在支撐襯底；及

對(duì)所述晶片從背面?zhèn)冗M(jìn)行研磨而使所述晶片薄化至小于200μm的厚度為止。

2.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包含如下步驟：

在表面設(shè)置著半導(dǎo)體元件的晶片的周緣部，形成從所述晶片的表面?zhèn)绕疬_(dá)到至少200μm以上的深度且沿著所述晶片的外周連續(xù)的槽部；

將所述晶片的表面貼合在支撐襯底；及

對(duì)所述晶片從背面?zhèn)冗M(jìn)行研磨而使所述晶片薄化至小于200μm的厚度為止。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括下述步驟：

所述步驟是在形成所述槽部的步驟之前，

對(duì)所述晶片中的包含形成所述槽部的位置的周緣部進(jìn)行去除而在所述晶片的表面?zhèn)戎芫壭纬汕锌诓俊?/p>

4.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包含如下步驟：

在表面設(shè)置著半導(dǎo)體元件的晶片的周緣部，使用激光形成從所述晶片的表面?zhèn)绕疬_(dá)到至少200μm以上的深度且沿著所述晶片的外周機(jī)械強(qiáng)度比其周圍低的部位；

將所述晶片的表面貼合在支撐襯底；及

對(duì)所述晶片從背面?zhèn)冗M(jìn)行研磨而使所述晶片薄化至小于200μm的厚度為止。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括下述步驟：

所述步驟是在形成所述部位的步驟之前，

對(duì)所述晶片中的包含形成所述部位的位置的周緣部進(jìn)行去除而在所述晶片的表面?zhèn)戎芫壭纬汕锌诓俊?/p>