本申請要求于2015年5月20日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2015-0070648的優(yōu)先權(quán)，該申請的全部內(nèi)容以引用方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

為了增大非易失性半導(dǎo)體存儲器裝置的集成密度，開展了關(guān)于豎直類型NAND(VNAND)溝道結(jié)構(gòu)的研究。例如，在H.Tanaka等人的“用于超高密度閃存的穿孔和插塞工藝的位成本可擴充技術(shù)(Bit Cost Scalable Technology with Punch and Plug Process for Ultra High Density Flash Memory)”(2007年IEEE專題報告的VLSI技術(shù)的第14至15頁)中描述了VNAND串結(jié)構(gòu)。另外，在標題為“豎直類型的非易失性存儲器裝置(Vertical-type non-volatile memory devices)”的美國專利公布No.2009/121271中公開了具有金屬柵極的豎直類型存儲器裝置及其制造方法。這些文獻的全部內(nèi)容以引用方式并入本專利申請中。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例，一種半導(dǎo)體裝置可包括交替的柵極和絕緣層的堆疊件。所述半導(dǎo)體裝置可包括堆疊件中的豎直溝道。所述半導(dǎo)體裝置可包括與豎直溝道間隔開的偽單元區(qū)。所述半導(dǎo)體裝置可包括與堆疊件重疊的第一輔助位線至第四輔助位線。第一輔助位線可電連接至豎直溝道。所述半導(dǎo)體裝置可包括與第一輔助位線和第 二輔助位線重疊并且電連接至第一輔助位線和第二輔助位線的第一位線。第一輔助位線的第一長度可比第二輔助位線的第二長度更長或者更短。此外，所述半導(dǎo)體裝置可包括與第三輔助位線和第四輔助位線重疊并且電連接至第三輔助位線和第四輔助位線的第二位線。第三輔助位線的第三長度可比第四輔助位線的第四長度更長或者更短。第一位線和第二位線以及第一輔助位線至第四輔助位線可位于第一單元區(qū)和第二單元區(qū)中。偽單元區(qū)可位于其中具有第一位線和第二位線以及第一輔助位線至第四輔助位線的第一單元區(qū)與第二單元區(qū)之間。

在各個實施例中，所述半導(dǎo)體裝置可包括與第一輔助位線和第二輔助位線重疊并且電連接至第一輔助位線和第二輔助位線的第三位線。此外，所述半導(dǎo)體裝置可包括與第三輔助位線和第四輔助位線重疊并且電連接至第三輔助位線和第四輔助位線的第四位線。

根據(jù)各個實施例，第一輔助位線的第一長度和第二輔助位線的第二長度的第一總和可等于或?qū)嵸|(zhì)上等于第三輔助位線的第三長度和第四輔助位線的第四長度的第二總和。在一些實施例中，所述半導(dǎo)體裝置可包括堆疊件中的第一字線切割區(qū)至第四字線切割區(qū)。第一單元區(qū)可包括當在平面圖中看時位于第一字線切割區(qū)與第二字線切割區(qū)之間的第一多列單元串。第二單元區(qū)可包括當在平面圖中看時位于第三字線切割區(qū)與第四字線切割區(qū)之間的第二多列單元串。第二字線切割區(qū)和第三字線切割區(qū)可將第一單元區(qū)與第二單元區(qū)分離。此外，偽單元區(qū)可位于將第一單元區(qū)與第二單元區(qū)分離的第二字線切割區(qū)與第三字線切割區(qū)之間。

在各個實施例中，在平面圖中，由與堆疊件的第一單元區(qū)重疊的第一輔助位線至第四輔助位線限定的第一形狀可與由與堆疊件的第二單元區(qū)重疊的第一輔助位線至第四輔助位線限定的第二形狀對稱。在一些實施例中，由與堆疊件的第一單元區(qū)重疊的第一輔助位線至第四輔助位線限定的第一形狀可為由與堆疊件的第二單元區(qū)重疊的第一輔助位線至第四輔助位線限定的第二形狀的鏡像。

根據(jù)各個實施例，在第一單元區(qū)和第二單元區(qū)中的每一個中，可將最上面的一個柵極分為第一串選擇線和第二串選擇線。在一些實 施例中，在第一單元區(qū)和第二單元區(qū)中的每一個中，可將最上面的一個柵極分為三根或更多根串選擇線。此外，在一些實施例中，第二輔助位線的第二長度可比第一輔助位線的第一長度長至少50％。

根據(jù)各個實施例，一種半導(dǎo)體裝置可包括交替的柵極和絕緣層的堆疊件。所述半導(dǎo)體裝置可包括堆疊件中的多個豎直溝道。所述半導(dǎo)體裝置可包括與所述多個豎直溝道間隔開的偽單元區(qū)。所述半導(dǎo)體裝置可包括第一多根非均勻長度的輔助位線和第二多根非均勻長度的輔助位線。所述非均勻長度的輔助位線中的每一根可電連接至所述多個豎直溝道中的對應(yīng)的一個。此外，所述半導(dǎo)體裝置可包括分別電連接至第一多根非均勻長度的輔助位線和第二多根非均勻長度的輔助位線的第一位線和第二位線。第一位線和第二位線以及第一多根非均勻長度的輔助位線和第二多根非均勻長度的輔助位線可位于第一單元區(qū)和第二單元區(qū)中。偽單元區(qū)可位于其中具有第一位線和第二位線以及第一多根非均勻長度的輔助位線和第二多根非均勻長度的輔助位線的第一單元區(qū)與第二單元區(qū)之間。

在各個實施例中，第一多根非均勻長度的輔助位線的第一總長可等于或?qū)嵸|(zhì)上等于第二多根非均勻長度的輔助位線的第二總長。在一些實施例中，第一多根非均勻長度的輔助位線可包括具有第一長度的第一輔助位線和具有第二長度的第二輔助位線，第二輔助位線的第二長度比第一輔助位線的第一長度長至少50％。此外，在一些實施例中，當在平面圖中看時，所述多個豎直溝道可呈z字形圖案。

根據(jù)各個實施例，一種半導(dǎo)體裝置可包括交替的柵極和絕緣層的堆疊件。所述半導(dǎo)體裝置可包括堆疊件中的第一字線切割區(qū)至第四字線切割區(qū)。第一字線切割區(qū)和第二字線切割區(qū)可將第一單元區(qū)限定在它們之間。第三字線切割區(qū)和第四字線切割區(qū)可將第二單元區(qū)限定在它們之間。第二字線切割區(qū)和第三字線切割區(qū)可將第一單元區(qū)與第二單元區(qū)分離。所述半導(dǎo)體裝置可包括位于將第一單元區(qū)與第二單元區(qū)分離的第二字線切割區(qū)與第三字線切割區(qū)之間的偽單元區(qū)。所述半導(dǎo)體裝置可包括從第一單元區(qū)延伸至第二單元區(qū)的多根位線。此外，半導(dǎo)體裝置可包括將所述多根位線電連接至第一單元區(qū)和第二單元 區(qū)的多根輔助位線。所述多根位線中的每一根可電連接至所述多根輔助位線中的具有不同的對應(yīng)長度的不同的一根。

在各個實施例中，第一單元區(qū)可包括堆疊件中的豎直溝道。所述多根輔助位線可包括與堆疊件重疊的第一輔助位線至第四輔助位線。第一輔助位線可電連接至豎直溝道。所述多根位線可包括第一位線和第二位線。第一位線可與第一輔助位線和第二輔助位線重疊并且電連接至第一輔助位線和第二輔助位線。第一輔助位線的第一長度可比第二輔助位線的第二長度更短。第二位線可與第三輔助位線和第四輔助位線重疊并且電連接至第三輔助位線和第四輔助位線。第三輔助位線的第三長度可比第四輔助位線的第四長度更短。

根據(jù)各個實施例，第二輔助位線的第二長度可比第一輔助位線的第一長度長至少50％。在一些實施例中，所述多根位線可包括與第一輔助位線和第二輔助位線重疊并且電連接至第一輔助位線和第二輔助位線的第三位線。在一些實施例中，所述多根位線可包括與第三輔助位線和第四輔助位線重疊并且電連接至第三輔助位線和第四輔助位線的第四位線。

在各個實施例中，第一輔助位線的第一長度和第二輔助位線的第二長度的第一總和可等于或?qū)嵸|(zhì)上等于第三輔助位線的第三長度和第四輔助位線的第四長度的第二總和。在一些實施例中，所述多根位線可包括與第一輔助位線和第二輔助位線重疊并且電連接至第一輔助位線和第二輔助位線的第三位線。在一些實施例中，所述多根位線可包括與第三輔助位線和第四輔助位線重疊并且電連接至第三輔助位線和第四輔助位線的第四位線。

根據(jù)各個實施例，在平面圖中，由與堆疊件的第一單元區(qū)重疊的第一輔助位線至第四輔助位線限定的第一形狀可與由與堆疊件的第二單元區(qū)重疊的第一輔助位線至第四輔助位線限定的第二形狀對稱。在一些實施例中，第一單元區(qū)可包括當在平面圖中看時位于第一字線切割區(qū)與第二字線切割區(qū)之間的第一多列單元串。第二單元區(qū)可包括當在平面圖中看時位于第三字線切割區(qū)與第四字線切割區(qū)之間的第二多列單元串。此外，第一多列單元串可包括當在平面圖中看時 呈z字形圖案的對應(yīng)溝道。

在各個實施例中，第一單元區(qū)可包括當在平面圖中看時位于第一字線切割區(qū)與第二字線切割區(qū)之間的第一多列單元串。第二單元區(qū)可包括當在平面圖中看時位于第三字線切割區(qū)與第四字線切割區(qū)之間的第二多列單元串。此外，第一多列單元串可包括至少四列單元串。

根據(jù)各個實施例，第一單元區(qū)可包括在第一字線切割區(qū)與第二字線切割區(qū)之間的第一選擇線切割區(qū)。在一些實施例中，第二單元區(qū)可包括在第三字線切割區(qū)與第四字線切割區(qū)之間的第二選擇線切割區(qū)。此外，在一些實施例中，偽單元區(qū)可包括位于將第一單元區(qū)與第二單元區(qū)分離的第二字線切割區(qū)和第三字線切割區(qū)之間的多個偽單元區(qū)之一。

根據(jù)各個實施例，一種形成半導(dǎo)體裝置的方法可包括在交替的絕緣層和犧牲層的堆疊件的第一區(qū)中形成溝道孔。偽區(qū)可位于第一區(qū)與第二區(qū)之間。所述方法可包括在溝道孔中形成豎直溝道。所述方法可包括從堆疊件去除犧牲層，以形成鄰近于豎直溝道的凹槽。所述方法可包括在所述凹槽中形成柵極。所述方法可包括形成與堆疊件重疊的第一輔助位線至第四輔助位線。第一輔助位線可電連接至豎直溝道。所述方法可包括形成與第一輔助位線和第二輔助位線重疊并且電連接至第一輔助位線和第二輔助位線的第一位線。第一輔助位線的第一長度可比第二輔助位線的第二長度更長或者更短。此外，所述方法可包括形成與第三輔助位線和第四輔助位線重疊并且電連接至第三輔助位線和第四輔助位線的第二位線。第三輔助位線的第三長度可比第四輔助位線的第四長度更長或者更短。其間具有偽區(qū)的第一區(qū)和第二區(qū)可包括第一位線和第二位線以及第一輔助位線至第四輔助位線。

根據(jù)各個實施例，一種形成半導(dǎo)體裝置的方法可包括在交替的絕緣層和犧牲層的堆疊件中的第一區(qū)和第二區(qū)中形成多個溝道孔。偽區(qū)可位于第一區(qū)與第二區(qū)之間。所述方法可包括在所述多個溝道孔的各個溝道孔中形成多個豎直溝道。所述方法可包括從堆疊件去除犧牲層，以形成鄰近于所述多個豎直溝道的凹槽。所述方法可包括在凹槽中形成柵極。所述方法可包括形成第一多根非均勻長度的輔助位線和 第二多根非均勻長度的輔助位線。所述非均勻長度的輔助位線中的每一根可電連接至所述多個豎直溝道中的對應(yīng)的一個。此外，所述方法可包括形成分別電連接至第一多根非均勻長度的輔助位線和第二多根非均勻長度的輔助位線的第一位線和第二位線。其間具有偽區(qū)的第一區(qū)和第二區(qū)可包括第一位線和第二位線以及第一多根非均勻長度的輔助位線和第二多根非均勻長度的輔助位線。

根據(jù)各個實施例，一種形成半導(dǎo)體裝置的方法可包括在交替的絕緣層和犧牲層的堆疊件中形成多個溝道孔。所述方法可包括在所述多個溝道孔的各個溝道孔中形成多個豎直溝道。所述方法可包括在堆疊件中形成多個字線切割區(qū)，以限定第一單元區(qū)和第二單元區(qū)以及第一單元區(qū)與第二單元區(qū)之間的偽單元區(qū)。第一單元區(qū)可位于所述多個字線切割區(qū)中的第一字線切割區(qū)與第二字線切割區(qū)之間。第二單元區(qū)可位于所述多個字線切割區(qū)中的第三字線切割區(qū)與第四字線切割區(qū)之間。第二字線切割區(qū)和第三字線切割區(qū)可將第一單元區(qū)與第二單元區(qū)分離。偽單元區(qū)可位于將第一單元區(qū)與第二單元區(qū)分離的第二字線切割區(qū)與第三字線切割區(qū)之間。所述方法可包括從堆疊件去除犧牲層以形成鄰近于所述多個豎直溝道的凹槽。所述方法可包括在凹槽中形成柵極。所述方法可包括形成第一多根非均勻長度的輔助位線和第二多根非均勻長度的輔助位線。非均勻長度的輔助位線中的每一根可電連接至所述多個豎直溝道中的對應(yīng)的一個。此外，所述方法可包括形成分別電連接至第一多根非均勻長度的輔助位線和第二多根非均勻長度的輔助位線的第一位線和第二位線。

附圖說明

通過以下結(jié)合附圖的簡單描述將更加清楚地理解示例實施例。如本文所述，附圖表示非限制性示例實施例。

圖1A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置的框圖。

圖1B是示出圖1A的存儲器單元陣列的示例的示意圖。

圖2A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置 的平面圖。

圖2B是沿著圖2A的線IA-IB截取的剖視圖。

圖2C是沿著圖2A的線IIA-IIB截取的剖視圖。

圖3A是示出圖2A的半導(dǎo)體存儲器裝置的偽單元區(qū)的平面圖。

圖3B至圖3F是示出圖3A的修改示例的平面圖。

圖4A至圖9A是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置的方法的平面圖。

圖4B至圖9B分別是沿著圖4A至圖9A的線IA-IB截取的剖視圖。

圖4C至圖9C分別是沿著圖4A至圖9A的線IIA-IIB截取的剖視圖。

圖10A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置的平面圖。

圖10B是沿著圖10A的線IA-IB截取的剖視圖。

圖10C是沿著圖10A的線IIA-IIB截取的剖視圖。

圖11A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置的平面圖。

圖11B是示出圖11A的修改示例的平面圖。

圖12A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置的平面圖。

圖12B是示出圖12A的修改示例的平面圖。

圖13A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置的平面圖。

圖13B是示出圖13A的修改示例的平面圖。

圖14A是示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置的存儲卡的示例的框圖。

圖14B是示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置的信息處理系統(tǒng)的示例的框圖。

應(yīng)該注意，這些附圖旨在示出在特定示例實施例中利用的方法、結(jié)構(gòu)和/或材料的一般特征并且補充下面提供的書面說明。然而，這 些附圖不一定按照比例，并且可不準確反映任何給出的實施例的準確結(jié)構(gòu)或性能特征，并且不應(yīng)被解釋為限定或限制由示例實施例涵蓋的值或特性的范圍。例如，為了清楚，會縮小或夸大分子、層、區(qū)和/或結(jié)構(gòu)性元件的相對厚度和位置。在各個附圖中使用相似或相同的附圖標記旨在指示存在相似或相同的元件或特征。

具體實施方式

下面，參照附圖描述示例實施例。在不脫離本公開的精神和教導(dǎo)的情況下，許多不同的形式和實施例都是可能的，從而不應(yīng)該將本公開理解為限于本文闡述的示例實施例。相反，提供這些示例實施例是為了使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本公開的范圍完全傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見，會夸大層和區(qū)的尺寸和相對尺寸。相同的附圖標記在說明中始終指示相同的元件。

本文所用的術(shù)語僅是為了描述特定實施例，并且不旨在限制實施例。如本文所用，除非上下文清楚地指明不是這樣，否則單數(shù)形式“一”、“一個”和“該”也旨在包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)該理解，當術(shù)語“包括”、“包括……的”、“包含”和/或“包含……的”用于本說明書中時，指明存在所列特征、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或多個其它特征、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。

應(yīng)該理解，當一個元件被稱作“結(jié)合至”、“連接至”或“響應(yīng)于”另一元件，或者“位于”另一元件“上”時，所述一個元件可直接結(jié)合至、連接至或響應(yīng)于所述另一元件，或者直接位于另一元件上，或者也可存在中間元件。相反，當一個元件被稱作“直接結(jié)合至”、“直接連接至”或“直接響應(yīng)于”另一元件，或者“直接位于”另一元件“上”時，則不存在中間元件。如本文所用，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項之一或多個的任何和所有組合。

為了方便描述，本文中可使用諸如“在……下方”、“在……之下”、“下”、“在……之上”、“上”等的空間相對術(shù)語，以描述附圖中所示的一個元件或特征與另一個(一些)元件或特征的關(guān)系。 應(yīng)該理解，空間相對術(shù)語旨在涵蓋使用或操作中的裝置的除圖中所示的取向之外的不同取向。例如，如果圖中的裝置顛倒，則被描述為“在其它元件或特征之下”或“在其它元件或特征下方”的元件將因此被取向為“在其它元件或特征之上”。因此，術(shù)語“在……之下”可涵蓋“在……之上”和“在……之下”這兩個取向。裝置可按照其它方式取向(旋轉(zhuǎn)90度或位于其它取向)，并且可相應(yīng)地解釋本文所用的空間相對描述語。

本文參照作為示例實施例的理想實施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的剖視圖來描述本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例。這樣，作為例如制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果，附圖中的形狀的變化是可預(yù)見的。因此，本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例不應(yīng)理解為限于本文示出的區(qū)的具體形狀，而是包括例如由制造工藝導(dǎo)致的形狀的偏差。因此，圖中示出的區(qū)實際上是示意性的，并且它們的形狀不旨在示出裝置的區(qū)的實際形狀，并且不旨在限制示例實施例的范圍。

應(yīng)該理解，雖然本文中可使用術(shù)語“第一”、“第二”等來描述多個元件，但是這些元件不應(yīng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件與另一元件區(qū)分開。因此，“第一”元件可被稱作“第二”元件，而不脫離本實施例的教導(dǎo)。

除非另外限定，否則本文中使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員之一通常理解的含義相同的含義。還應(yīng)該理解，除非本文中明確這樣定義，否則諸如在通用詞典中定義的那些的術(shù)語應(yīng)該被解釋為具有與它們在相關(guān)技術(shù)和/或本說明書的上下文中的含義一致的含義，而不應(yīng)該按照理想化或過于正式的含義解釋它們。

如通過本發(fā)明的實體應(yīng)該認識到的那樣，根據(jù)本文所述的各個實施例的器件和形成器件的方法可在諸如集成電路的微電子器件中實現(xiàn)，其中根據(jù)本文所述的各個實施例的多個器件集成在相同的微電子器件中。因此，在微電子器件中，本文所示的剖視圖可在不一定正交的兩個不同的方向上復(fù)制。因此，實現(xiàn)根據(jù)本文所述的各個實施例的器件的微電子器件的平面圖可包括按照基于微電子器件的功能性 的陣列和/或二維圖案中的多個器件。

根據(jù)本文所述的各個實施例的器件可根據(jù)微電子器件的功能性散布于其它器件之間。此外，根據(jù)本文所述的各個實施例的微電子器件可在可與所述兩個不同方向正交的第三方向上復(fù)制，以提供三維集成電路。

因此，本文所示的剖視圖可對根據(jù)本文所述的各個實施例的在平面圖中沿著兩個不同方向延伸和/或在立體圖中在三個不同方上向延伸的多個器件提供支持。例如，當在器件/結(jié)構(gòu)的剖視圖中示出了單個有源區(qū)時，該器件/結(jié)構(gòu)可包括其上的多個有源區(qū)和晶體管結(jié)構(gòu)(或存儲器單元結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)等，視情況而定)，如器件/結(jié)構(gòu)的平面圖所示的那樣。

[框圖]

圖1A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置的框圖。圖1B是示出圖1A的存儲器單元陣列的示例的示意圖。

參照圖1A，半導(dǎo)體存儲器裝置1可包括存儲器單元陣列10、地址解碼器20、讀/寫電路30、數(shù)據(jù)輸入/輸出電路40和控制邏輯50。

存儲器單元陣列10可通過字線WL連接至地址解碼器20，并且可通過位線BL連接至讀/寫電路30。存儲器單元陣列10可包括多個存儲器單元。例如，存儲器單元陣列10可構(gòu)造為在每個單元中存儲一個或多個比特。

地址解碼器20可通過字線WL連接至存儲器單元陣列10。地址解碼器20可構(gòu)造為響應(yīng)于控制邏輯50的控制進行操作。地址解碼器20可從外部(例如，從半導(dǎo)體存儲器裝置1外部的裝置/組件)接收地址ADDR。地址解碼器20對包括在接收到的地址ADDR中的行地址進行解碼，以選擇對應(yīng)的一根字線WL。地址解碼器20也可構(gòu)造為對包括在地址ADDR中的列地址進行解碼，并且將解碼的列地址傳遞至讀/寫電路30。例如，地址解碼器20可包括行解碼器、列解碼器和地址緩沖器。

讀/寫電路30可通過位線BL連接至存儲器單元陣列10，并且可通過數(shù)據(jù)線DL連接至數(shù)據(jù)輸入/輸出電路40。讀/寫電路30可響應(yīng) 于控制邏輯50的控制進行操作。讀/寫電路30可構(gòu)造為接收通過地址解碼器20解碼的列地址。讀/寫電路30可基于解碼的列地址選擇一根位線BL。讀/寫電路30可構(gòu)造為從數(shù)據(jù)輸入/輸出電路40接收數(shù)據(jù)，并且將接收到的數(shù)據(jù)寫入存儲器單元陣列10中。讀/寫電路30可構(gòu)造為從存儲器單元陣列10讀數(shù)據(jù)并將讀出的數(shù)據(jù)傳遞至數(shù)據(jù)輸入/輸出電路40。此外，讀/寫電路30可構(gòu)造為從存儲器單元陣列10的第一存儲區(qū)讀數(shù)據(jù)并將讀出的數(shù)據(jù)寫入存儲器單元陣列10的第二存儲區(qū)中。例如，讀/寫電路30可構(gòu)造為執(zhí)行回拷貝操作。

讀/寫電路30可構(gòu)造為包括諸如頁緩沖器(或者頁寄存器)和列選擇電路的元件。作為另一示例，讀/寫電路30可構(gòu)造為包括諸如讀出放大器、寫驅(qū)動器和列選擇電路的元件。

數(shù)據(jù)輸入/輸出電路40可通過數(shù)據(jù)線DL連接至讀/寫電路30。數(shù)據(jù)輸入/輸出電路40可構(gòu)造為響應(yīng)于控制邏輯50的控制進行操作。數(shù)據(jù)輸入/輸出電路40還可構(gòu)造為與外部(例如，與半導(dǎo)體存儲器裝置1外部的裝置/組件)交換數(shù)據(jù)DATA。數(shù)據(jù)輸入/輸出電路40可構(gòu)造為通過數(shù)據(jù)線DL將外部提供的數(shù)據(jù)DATA傳遞至讀/寫電路30。數(shù)據(jù)輸入/輸出電路40可構(gòu)造為通過數(shù)據(jù)線DL將從讀/寫電路30提供的數(shù)據(jù)DATA輸出至外部。例如，數(shù)據(jù)輸入/輸出電路40可包括諸如數(shù)據(jù)緩沖器的元件。

控制邏輯50可連接至地址解碼器20、讀/寫電路30和數(shù)據(jù)輸入/輸出電路40?？刂七壿?0可構(gòu)造為控制半導(dǎo)體存儲器裝置1的操作?？刂七壿?0可響應(yīng)于從外部(例如，從半導(dǎo)體存儲器裝置1外部的裝置/組件)傳遞的控制信號CTRL進行操作。

參照圖1B，存儲器單元陣列10可包括多個存儲器塊BLK1至BLKn。存儲器塊BLK1至BLKn中的每一個可設(shè)為具有三維結(jié)構(gòu)或者豎直結(jié)構(gòu)。例如，存儲器塊BLK1至BLKn中的每一個可包括多個單元串，這些單元串中的每一個沿著交叉的方向之一延伸。將在下面描述半導(dǎo)體存儲器裝置1的一些示例。

[示例實施例]

圖2A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置 的平面圖。圖2B是沿著圖2A的線IA-IB截取的剖視圖。圖2C是沿著圖2A的線IIA-IIB截取的剖視圖。圖3A是示出圖2A的半導(dǎo)體存儲器裝置的偽單元區(qū)的平面圖。圖3B至圖3F是示出圖3A的修改示例的平面圖。

參照圖2A、圖2B和圖2C，半導(dǎo)體存儲器裝置1a可包括半導(dǎo)體襯底110上的柵極堆疊件160、穿過柵極堆疊件160的豎直溝道150和電連接至豎直溝道150的位線BL1至BL4。此外，半導(dǎo)體存儲器裝置1a可構(gòu)造為包括沿著豎直溝道150延伸的存儲器層135。作為一個示例，存儲器層135可包括介于氧化物層之間的氮化物層。作為另一示例，存儲器層135可包括(例如，硫族化合物或者過渡金屬氧化物的)可變電阻層。

位線BL1至BL4可沿著平行于半導(dǎo)體襯底110的第一方向D1延伸，并且可在與第一方向D1交叉并且平行于半導(dǎo)體襯底110的第二方向D2上彼此間隔開。豎直溝道150可沿著垂直于半導(dǎo)體襯底110的第三方向D3延伸。

柵極堆疊件160可包括在第二方向D2上延伸的多個單元串175，并且在這里，單元串175可包括沿著豎直溝道150豎直地堆疊并且通過絕緣層125彼此間隔開的多個柵極161至166。柵極161至166可包括：至少一個第一柵極161，其設(shè)置為鄰近于半導(dǎo)體襯底110以用作地選擇線GSL；至少一個第六柵極166，其設(shè)置為鄰近于位線BL1至BL4以用作串選擇線SSL；以及第二柵極162至第五柵極165，它們設(shè)置在地選擇線GSL與串選擇線SSL之間以用作字線WL。在一些實施例中，將描述柵極161至166設(shè)置在六個不同的水平的示例，以提供對本發(fā)明構(gòu)思的理解，但是本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例可不限于此。例如，柵極的層數(shù)可大于六個。

半導(dǎo)體存儲器裝置1a還可包括在第一方向D1上將柵極堆疊件160彼此分離的字線切割區(qū)131。字線切割區(qū)131可為在第二方向D2上延伸的溝槽形狀的結(jié)構(gòu)，并且可填充有絕緣層141。公共源極126可設(shè)置在半導(dǎo)體襯底110位于絕緣層141下方的一部分中以用作公共源極線(CSL)。公共源極126的導(dǎo)電類型(例如，n型)可與半導(dǎo) 體襯底110的導(dǎo)電類型(例如，p型)不同。漏極128可設(shè)置在豎直溝道150的頂部上或頂部中，并且可具有與公共源極126的導(dǎo)電類型相同的導(dǎo)電類型(例如，p型)。

豎直溝道150可具有電連接至半導(dǎo)體襯底110的對應(yīng)的底端和電連接至位線BL1至BL4的對應(yīng)的頂端。在一些實施例中，還可在豎直溝道150與位線BL1至BL4之間設(shè)置輔助線SBL1至SBL4。輔助線SBL1至SBL4可通過下接觸部分152電連接至豎直溝道150并且可通過上接觸部分154電連接至位線BL1至BL4。此外，如本文所用，術(shù)語“輔助線”、“輔助位線”和“SBL”可指子互連部分。例如，輔助位線SBL可為將單元串電耦接至位線BL的互連部分/子互連部分。在一些實施例中，輔助位線SBL和位線BL可包括相同的材料(諸如鎢)。

半導(dǎo)體存儲器裝置1a可包括在第一方向D1上彼此間隔開的第一單元區(qū)LC和第二單元區(qū)RC。還可在第一單元區(qū)LC與第二單元區(qū)RC之間設(shè)置偽單元區(qū)DC。偽單元區(qū)DC可有助于控制根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體裝置中的電容。作為另一示例，可不設(shè)置(例如，可省略)偽單元區(qū)DC，并且第一單元區(qū)LC和第二單元區(qū)RC可通過字線切割區(qū)131彼此分離。下文中，為了便于描述，第一單元區(qū)LC可稱作“左單元區(qū)”，第二單元區(qū)RC可稱作“右單元區(qū)”。

根據(jù)一些實施例，半導(dǎo)體存儲器裝置1a還可包括具有與豎直溝道150的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)的至少一個偽溝道150d。例如，左單元區(qū)LC和右單元區(qū)RC中的每一個可包括至少一個偽溝道150d。半導(dǎo)體存儲器裝置1a可構(gòu)造為包括重復(fù)布置的多個單元陣列190，并且它們中的每一個具有九個溝道(例如，電連接至位線BL1至BL4的八個豎直溝道150和一個偽溝道150d)。

在左單元區(qū)LC和右單元區(qū)RC中的每一個中，第六柵極166可分為至少兩部分。例如，第六柵極166可分為第一串選擇線SSL1和第二串選擇線SSL2，它們通過平行于第二方向D2延伸并且具有溝槽形狀的選擇線切割區(qū)133在第一方向D1上彼此分離。選擇線切割區(qū)133可填充有絕緣層143。多個偽溝道150d可排列在選擇線切割區(qū) 133上，以沿著第二方向D2共同地形成一列。在示例實施例中，選擇線切割區(qū)133可設(shè)置為當在第一方向D1上測量時其寬度或空間比字線切割區(qū)131的寬度或空間更小。

豎直溝道150和偽溝道150d可規(guī)則地排列在左單元區(qū)LC和右單元區(qū)RC中的每一個中。作為一個示例，豎直溝道150和偽溝道150d可布置為沿著第二方向D2形成z字形排列，并且可在第一方向D1上重復(fù)這種z字形排列。與將豎直溝道排列在一條線上的情況相比，豎直溝道150的z字形(例如，非直線)排列可允許半導(dǎo)體存儲器裝置1a具有增大的密度。此外，這樣可導(dǎo)致連接至串選擇線SSL1和SSL2的豎直溝道150的數(shù)量增加，并且最終導(dǎo)致半導(dǎo)體存儲器裝置1a的頁尺寸或深度增大。結(jié)果，可增大可在讀操作或者寫操作中同時處理的數(shù)據(jù)大小，并且最終提高半導(dǎo)體存儲器裝置1a的性能和/或操作速度。

作為一個示例，在第二方向D2上(例如，如圖2A所示)最鄰近(例如，最靠近/直接靠近)的一對豎直溝道150可通過位線BL1至BL4的間距(下文中稱作位線間距)的約兩倍的距離彼此間隔開。相似地，在第二方向D2上最鄰近的一對豎直溝道150和偽溝道150d可通過位線間距的距離的約兩倍的距離彼此間隔開。在第一方向D1上彼此鄰近的豎直溝道150和偽溝道150d可排列在一條線上，并且可彼此等距間隔開(例如，間隔開位線間距的約兩倍或者與該距離不同的距離)。

偽單元區(qū)DC可包括(或者不包括)偽溝道150d。作為一個示例，偽單元區(qū)DC可包括偽溝道150d，所述偽溝道150d按照z字形方式沿著第二方向D2排列，并且沿著第一方向D1彼此等距間隔開，如圖2A所示。偽單元區(qū)DC中的第六柵極166可用作偽串選擇線SSLd。參照圖2B，該布局可重復(fù)地排列。例如，輔助線SBL2可在左單元區(qū)LC中重復(fù)。此外，輔助線SBL1至SBL4中的任一根可重復(fù)地排列，并且可通過相同的對應(yīng)數(shù)字和/或字母標識重復(fù)的互連部分。

在左單元區(qū)LC和右單元區(qū)RC中，豎直溝道150和偽溝道150d可規(guī)則地排列，以形成圖案排列具有規(guī)則性的單元陣列。這里，偽單 元區(qū)DC可設(shè)置在單元陣列的中心以破壞圖案排列的規(guī)則性，但是由于按照z字形方式排列的偽溝道150d設(shè)置在偽單元區(qū)DC中，因此可恢復(fù)圖案排列的規(guī)則性，因此抑制或者防止當圖案排列規(guī)則性遭到破壞時會出現(xiàn)的豎直溝道150的電氣特征(例如，電容)發(fā)生變化。

偽單元區(qū)DC的大小可隨意(例如，可變化)。例如，偽單元區(qū)DC可至少在第一方向D1上/朝著第一方向D1延伸，如圖3A所示。排列在各奇數(shù)行上的偽溝道150d的數(shù)量(例如，四個)與排列在各偶數(shù)行上的偽溝道150d的數(shù)量(例如，四個)可相同?？商鎿Q地，如圖3B所示，排列在各奇數(shù)行上的偽溝道150d的數(shù)量(例如，四個)可與排列在各偶數(shù)行上的偽溝道150d的數(shù)量(例如，三個)不同。

作為另一示例，如圖3C所示，偽單元區(qū)DC可分為在第一方向D1上通過字線切割區(qū)131彼此分離的兩個部分，這里，可選地設(shè)置沿著第二方向D2延伸的字線切割區(qū)131?？商鎿Q地，如圖3D所示，偽單元區(qū)DC可分為在第一方向D1上通過可選地設(shè)置的兩個字線切割區(qū)131彼此分離的三個部分。這樣，偽單元區(qū)DC可通過可選地設(shè)置在偽單元區(qū)DC中的N個字線切割區(qū)131分為N+1個部分。

作為另一示例，如圖3E所示，偽單元區(qū)DC還可包括其中未設(shè)置有偽溝道150d的偽區(qū)111。偽區(qū)111可占據(jù)偽串選擇線SSLd的中心區(qū)。偽溝道150d可布置為在偽區(qū)111與字線切割區(qū)131之間具有z字形排列。可替換地，如圖3F所示，偽單元區(qū)DC還可包括多個偽區(qū)111(例如，兩個偽區(qū)111)，偽串選擇線SSLd可通過這些偽區(qū)分為多個部分(例如，三個部分)。偽溝道150d可布置為在偽區(qū)111與字線切割區(qū)131之間以及在鄰近的偽區(qū)111之間具有z字形排列。

根據(jù)一些實施例，如圖2A所示，設(shè)置在右單元區(qū)RC和左單元區(qū)LC上的豎直溝道150和偽溝道150d可排列為相對于(例如，以/關(guān)于)偽單元區(qū)DC鏡像對稱或者軸向?qū)ΨQ。

下接觸部分152可設(shè)置在豎直溝道150上。下接觸部分152可通過漏極128電連接至豎直溝道150。在偽溝道150d上可不設(shè)置下接觸部分152。當在平面圖中看時，下接觸部分152可與豎直溝道150重疊，從而形成z字形排列，如圖2A所示。設(shè)置在右單元區(qū)RC和左 單元區(qū)LC上的下接觸部分152可排列為相對于偽單元區(qū)DC成鏡像或者對稱。

位線BL1至BL4中的相鄰的一對(例如，第一位線BL1和第二位線BL2)可設(shè)置在在第一方向D1上排列的一行豎直溝道150上。相似地，位線BL1至BL4中的相鄰的另一對(例如，第三位線BL3和第四位線BL4)可設(shè)置在在第一方向D1上排列的另一行豎直溝道150上。

在左單元區(qū)LC和右單元區(qū)RC中的每一個中，上接觸部分154可設(shè)置在字線切割區(qū)131和選擇線切割區(qū)133上，并且可沿著第二方向D2排列。沿著第二方向D2排列的各列上接觸部分154可彼此等距間隔開(例如，位線間距的約兩倍距離)。設(shè)置在字線切割區(qū)131上的上接觸部分154可按照這樣的方式排列，它們從設(shè)置在選擇線切割區(qū)133上的上接觸部分154在第二方向D2上移位位線間距。

右單元區(qū)RC上的上接觸部分154可按照這樣的方式排列，它們從左單元區(qū)LC上的上接觸部分154在第二方向D2上移位位線間距。

例如，設(shè)置在位于左單元區(qū)LC的兩側(cè)的字線切割區(qū)131上的上接觸部分154可設(shè)置在第一位線BL1和第三位線BL3下方。左單元區(qū)LC的選擇線切割區(qū)133上的上接觸部分154可設(shè)置在第二位線BL2和第四位線BL4下方。

相比之下，設(shè)置在位于右單元區(qū)RC的兩側(cè)的字線切割區(qū)131上的上接觸部分154可設(shè)置在第二位線BL2和第四位線BL4下方。右單元區(qū)RC的選擇線切割區(qū)133上的上接觸部分154可設(shè)置在第一位線BL1和第三位線BL3下方。

輔助線SBL1至SBL4可沿著第二方向D2彼此等距(例如，以位線間距兩倍的距離)間隔開。輔助線SBL1至SBL4可包括：第一輔助線SBL1和第三輔助線SBL3，它們鄰近于選擇線切割區(qū)133，并且沿著第二方向D2以交替方式排列；以及第二輔助線SBL2和第四輔助線SBL4，它們鄰近于字線切割區(qū)131，并且沿著第二方向D2以交替方式排列。

在左單元區(qū)LC和右單元區(qū)RC中的每一個中，第二輔助線SBL2 和第三輔助線SBL3可在第一位線BL1和第二位線BL2下方沿著第一方向D1排列。第一輔助線SBL1和第四輔助線SBL4可在第三位線BL3和第四位線BL4下方沿著第一方向D1排列。

如圖2A所示，當在平面圖中看時，輔助線SBL1至SBL4可具有彎曲/彎的形狀或者非直線形狀。設(shè)置在右單元區(qū)RC和左單元區(qū)LC上的輔助線SBL1至SBL4的平面形狀可排列為相對于(例如，以/關(guān)于)第二方向D2成鏡像或者對稱。例如，右單元區(qū)RC的輔助線SBL1至SBL4中的每一根可具有左單元區(qū)LC的輔助線SBL1至SBL4中的對應(yīng)一根的相反形狀(即，鏡像形狀)。換句話說，平行于第一方向D1的虛線上的每根輔助線SBL1至SBL4可排列為相對于偽單元區(qū)DC點對稱。點對稱的每根輔助線SBL1至SBL4可具有基本相同的長度。

輔助線SBL1至SBL4與對應(yīng)的上接觸部分154之間的距離可不同，因此輔助線SBL1至SBL4的長度可不同。作為一個示例，第一輔助線SBL1可具有第一長度，即輔助線SBL1至SBL4的最短長度，第四輔助線SBL4可具有第四長度，即輔助線SBL1至SBL4最長長度。第二輔助線SBL2可具有比第一長度更長并且比第四長度更短的第二長度，第三輔助線SBL3可具有比第二長度更長并且比第四長度更短的第三長度。

根據(jù)一些實施例，位線BL1至BL4中的每一根可電連接至長度不同的輔助線SBL1至SBL4。

作為一個示例，如圖2A和圖2B所示，第一位線BL1可電連接至左單元區(qū)LC中的第二輔助線SBL2并且可電連接至右單元區(qū)RC中的第三輔助線SBL3。第二位線BL2可電連接至左單元區(qū)LC中的第三輔助線SBL3并且可電連接至右單元區(qū)RC中的第二輔助線SBL2。設(shè)置在左單元區(qū)LC和右單元區(qū)RC中的每一個中的偽溝道150d上的相對的一對第三輔助線SBL3可連接至以形成共同連接至第二位線BL2(左單元區(qū)LC)和第一位線BL1(右單元區(qū)RC)的單根輔助線。

如圖2A和圖2C所示，第三位線BL3可電連接至左單元區(qū)LC中的第四輔助線SBL4并且可電連接至右單元區(qū)RC中的第一輔助線SBL1。第四位線BL4可電連接至左單元區(qū)LC中的第一輔助線SBL1 并且可電連接至右單元區(qū)RC中的第四輔助線SBL4。設(shè)置在左單元區(qū)LC和右單元區(qū)RC中的每一個中的選擇線切割區(qū)133上的相對的一對第一輔助線SBL1可連接至以形成共同連接至第四位線BL4(左單元區(qū)LC)和第三位線BL3(右單元區(qū)RC)的單根輔助線。

第一位線BL1和第二位線BL2中的每一根可電連接至具有第二長度的第二輔助線SBL2和具有第三長度的第三輔助線SBL3。這樣可以避免第一位線BL1和第二位線BL2與輔助線之間的連接結(jié)構(gòu)不同，因此，第一位線BL1和第二位線BL2可具有基本相同的電氣特征(例如，負載電容和電阻)。第三位線BL3和第四位線BL4可具有基本相同的連接結(jié)構(gòu)；例如，第三位線BL3和第四位線BL4中的每一根可電連接至第一輔助線SBL1和第四輔助線SBL4。因此，第三位線BL3和第四位線BL4可具有基本相同的電氣特征。

連接至第一位線BL1的第二輔助線SBL2和第三輔助線SBL3的總長(例如，2+3＝5)可與連接至第四位線BL4的第一輔助線SBL1和第四輔助線SBL4的總長(例如，1+4＝5)相同或相似。連接至第二位線BL2的第二輔助線SBL2和第三輔助線SBL3的總長(例如，2+3＝5)可與連接至第三位線BL3的第一輔助線SBL1和第四輔助線SBL4的總長(例如，1+4＝5)相同或相似。因此，彼此鄰近地布置的第一位線BL1和第四位線BL4以及彼此鄰近地布置的第二位線BL2和第三位線BL3可具有基本相同的電氣特征。

作為另一示例，第一輔助線SBL1可與第二輔助線SBL2具有基本相同的長度(例如，2)，第三輔助線SBL3可與第四輔助線SBL4具有基本相同的長度(例如，3)。例如，連接至第一位線BL1和第二位線BL2中的每一根的第二輔助線SBL2和第三輔助線SBL3的總長(例如，2+3＝5)可基本等于連接至第三位線BL3和第四位線BL4中的每一根的第一輔助線SBL1和第四輔助線SBL4的總長(例如，3+2＝5)。因此，第一位線BL1至第四位線BL4可具有基本相同的電氣特征。此外，如本文所用，詞語“基本等于”可表示值的變化最多為+/-百分之十(10％)。例如，基本等于第二長度的第一長度可在第二長度加減百分之十以內(nèi)。本發(fā)明的實體還認可本文描述的長度值(例如，1、 2、3、4、5等)可對應(yīng)于幾十納米(nm)的值(例如，10nm、20nm、30nm、40nm、50nm等)。

[制造方法的示例]

圖4A至圖9A是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置的方法的平面圖。圖4B至圖9B分別是沿著圖4A至圖9A的線IA-IB截取的剖視圖。圖4C至圖9C分別是沿著圖4A至圖9A的線IIA-IIB截取的剖視圖。

參照圖4A、圖4B和圖4C，模制堆疊件120可形成在第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底110(例如，p型硅晶圓)上，并且多個豎直孔116可形成為穿過模制堆疊件120。半導(dǎo)體襯底110可包括左單元區(qū)LC、右單元區(qū)RC和左單元區(qū)LC與右單元區(qū)RC之間的偽單元區(qū)DC。模制堆疊件120可通過以交替方式沉積絕緣層125和犧牲層123形成。作為一個示例，絕緣層125可由氧化硅層形成或者包括氧化硅層，犧牲層123可由氮化硅層形成或者包括氮化硅層。

可通過蝕刻模制堆疊件120的對應(yīng)于左單元區(qū)LC和右單元區(qū)RC的部分形成豎直孔116。在一些實施例中，可蝕刻模制堆疊件120的對應(yīng)于偽單元區(qū)DC的部分以形成偽孔116d。豎直孔116可形成為相對于偽單元區(qū)DC鏡像對稱。

參照圖5A、圖5B和圖5C，可在豎直孔116中形成存儲器層135及其包圍的豎直溝道150。例如，豎直溝道150可為第一導(dǎo)電類型(例如，p型)的半導(dǎo)體層。豎直溝道150的頂部可用作漏極128。漏極128可形成為具有第二導(dǎo)電類型(例如，n型)。可執(zhí)行豎直溝道150的形成過程以形成填充偽孔116d的偽溝道150d。偽溝道150d可形成為具有與豎直溝道150的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)。

在形成豎直溝道150之前，可在豎直孔116的內(nèi)側(cè)壁上形成存儲器層135。在示例實施例中，存儲器層135可包括按次序沉積在豎直孔126的內(nèi)側(cè)壁上的氧化物層、氮化物層和氧化物層。作為另一示例，可通過沉積(例如，硫族化合物或者過渡金屬氧化物的)可變電阻層形成存儲器層135。

在形成豎直溝道150之前或之后，可部分地蝕刻左單元區(qū)LC和 右單元區(qū)RC中的每一個中的模制堆疊件120以形成選擇線切割區(qū)133。選擇線切割區(qū)133的形成過程可包括選擇性地蝕刻最上面的絕緣層125和最上面的犧牲層123，并且選擇線切割區(qū)133可形成為具有溝槽形狀。沿著選擇線切割區(qū)133排列的豎直溝道150可不用于半導(dǎo)體存儲器裝置的電氣操作，從而用作偽溝道150d。

參照圖6A、圖6B和圖6C，可選擇性地蝕刻模制堆疊件120以形成暴露半導(dǎo)體襯底110的字線切割區(qū)131。字線切割區(qū)131可形成為限定左單元區(qū)LC和右單元區(qū)RC中的每一個的相對的邊緣。在形成字線切割區(qū)131之前或之后，選擇線切割區(qū)133可填充有絕緣層143(例如，氧化硅)。

參照圖7A、圖7B和圖7C，可去除通過字線切割區(qū)131暴露的犧牲層123，以形成具有柵極區(qū)132的模制翼部122。例如，在犧牲層123由氮化硅層形成的情況下，可利用含磷酸的蝕刻溶液選擇性地去除犧牲層123來形成柵極區(qū)132。

參照圖8A、圖8B和圖8C，可形成導(dǎo)電層以填充柵極區(qū)132，并且因此形成柵極堆疊件160。柵極堆疊件160可包括沿著豎直溝道150豎直地堆疊并且通過絕緣層125彼此間隔開的所述多個柵極161至166。柵極161至166可包括摻雜硅層、金屬層(例如，鎢)、金屬氮化物層或者金屬硅化物層中的至少一個。可將雜質(zhì)注入至通過字線切割區(qū)131暴露的半導(dǎo)體襯底110的一部分中，以形成具有第二導(dǎo)電類型(例如，n型)的公共源極126。

柵極161至166可包括：至少一個第一柵極161，其設(shè)置為鄰近于半導(dǎo)體襯底110以用作地選擇線GSL；至少一個第六柵極166，其設(shè)置為鄰近于位線BL1至BL4以用作串選擇線SSL；以及第二柵極162至第五柵極165，它們設(shè)置在地選擇線GSL與串選擇線SSL之間以用作字線WL。公共源極126可用作公共源極線(CSL)。

在左單元區(qū)LC和右單元區(qū)RC中的每一個中，第六柵極166可包括通過選擇線切割區(qū)133劃分的第一串選擇線SSL1和第二串選擇線SSL2。偽單元區(qū)DC中的第六柵極166可用作偽串選擇線SSLd。

參照圖9A、圖9B和圖9C，字線切割區(qū)131可填充有絕緣層141。 然后，下接觸部分152可形成為與豎直溝道150對齊，然后輔助線SBL1至SBL4可形成為結(jié)合至下接觸部分152。下接觸部分152和輔助線SBL1至SBL4可形成為具有與參照圖2A至圖2C描述的排列相同的排列。

返回參照圖2A、圖2B和圖2C，上接觸部分154可形成為電連接至輔助線SBL1至SBL4，位線BL1至BL4可形成為電連接至上接觸部分154，從而制造半導(dǎo)體存儲器裝置1a。上接觸部分154和位線BL1至BL4可形成為具有與參照圖2A至圖2C描述的排列相同的排列。

[示例實施例]

圖10A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置的平面圖。圖10B是沿著圖10A的線IA-IB截取的剖視圖。圖10C是沿著圖10A的線IIA-IIB截取的剖視圖。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，可減少/省略/縮減對與圖2A至圖2C的特征相同的特征的論述。

參照圖10A、圖10B和圖10C，與圖2A的半導(dǎo)體存儲器裝置1a相似或相同，半導(dǎo)體存儲器裝置1b可構(gòu)造為包括重復(fù)地設(shè)置的多個單元陣列190，它們中的每一個具有九個溝道。與半導(dǎo)體存儲器裝置1a不同的是，右單元區(qū)RC和左單元區(qū)LC的豎直溝道150和偽溝道150d可不排列為相對于偽單元區(qū)DC成鏡像或?qū)ΨQ。例如，右單元區(qū)RC的豎直溝道150和偽溝道150d可按照這樣的方式排列，它們在第二方向D2上從左單元區(qū)LC的豎直溝道150和偽溝道150d移位位線間距。

右單元區(qū)RC上的輔助線SBL1至SBL4可具有與左單元區(qū)LC上的輔助線SBL1至SBL4基本相同的平面形狀。右單元區(qū)RC上的輔助線SBL1至SBL4可按照這樣的方式排列，它們在第二方向D2上從左單元區(qū)LC上的輔助線SBL1至SBL4移位位線間距。

位線BL1至BL4中的每一根可電連接至具有不同長度的輔助線SBL1至SBL4，并且這樣可以避免位線BL1至BL4與輔助線SBL1至SBL4之間的連接結(jié)構(gòu)不同。

例如，第一位線BL1可連接至左單元區(qū)LC上的第二輔助線SBL2 和右單元區(qū)RC上的第三輔助線SBL3。第二位線BL2可連接至左單元區(qū)LC上的第三輔助線SBL3和右單元區(qū)RC上的第四輔助線SBL4。第三位線BL3可連接至左單元區(qū)LC上的第四輔助線SBL4和右單元區(qū)RC上的第一輔助線SBL1。第四位線BL4可連接至左單元區(qū)LC上的第一輔助線SBL1和右單元區(qū)RC上的第二輔助線SBL2。

與圖10A至圖10C不同，如果位線BL1至BL4中的每一根連接至具有相同長度的輔助線，則位線BL1至BL4的電氣特征會不同。例如，位線BL1至BL4之一可連接至具有較短長度的第一輔助線SBL1，而位線BL1至BL4中的另一根可連接至具有較長長度的第四輔助線SBL4。在這種情況下，分別連接至第一輔助線SBL1和第四輔助線SBL4的位線之間的電氣特征會存在差異。

相比之下，根據(jù)一些實施例，位線BL1至BL4可連接至具有不同長度的輔助線SBL1至SBL4，并且這樣可以避免與輔助線的連接結(jié)構(gòu)的不同。結(jié)果，位線BL1至BL4可具有彼此相似的電氣特征。

[示例實施例]

圖11A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置的平面圖。左單元區(qū)和右單元區(qū)分別示于圖11A的上區(qū)和下區(qū)中。對于將在下面描述的以下附圖都是這樣設(shè)置。

參照圖11A，與圖2A的半導(dǎo)體存儲器裝置1a相比，半導(dǎo)體存儲器裝置2a可具有至少在第一方向D1上/朝著第一方向D1伸展的單元陣列結(jié)構(gòu)。作為一個示例，左單元區(qū)LC和右單元區(qū)RC中的每一個可包括通過一對選擇線切割區(qū)133彼此分離的第一串選擇線SSL1至第三串選擇線SSL3。半導(dǎo)體存儲器裝置2a可構(gòu)造為包括重復(fù)地布置的多個單元陣列190，它們中的每一個具有十四個溝道(例如，電連接至位線BL1至BL4的十二個豎直溝道150和兩個偽溝道150d)。

設(shè)置在右單元區(qū)RC和左單元區(qū)LC上的豎直溝道150和偽溝道150d可排列為相對于偽單元區(qū)DC成鏡像或?qū)ΨQ。相似地，設(shè)置在右單元區(qū)RC和左單元區(qū)LC上的下接觸部分152可排列為相對于偽單元區(qū)DC成鏡像或?qū)ΨQ。

上接觸部分154可在第二方向D2上排列為彼此間隔開位線間距 的約兩倍以形成一列。左單元區(qū)LC上的上接觸部分154可設(shè)置為具有與右單元區(qū)RC上的上接觸部分154的排列相同的排列。在第二方向D2上的位置上，相鄰的一對上接觸部分154可在第二方向D2上彼此移位位線間距。

例如，設(shè)置在位于左單元區(qū)LC的右側(cè)處的字線切割區(qū)131上的上接觸部分154可在第二方向D2上從設(shè)置在位于左單元區(qū)LC的左側(cè)處的字線切割區(qū)131上的上接觸部分154移位位線間距。類似地，設(shè)置在位于左單元區(qū)LC的左側(cè)處的選擇線切割區(qū)133上的上接觸部分154可在第二方向D2上從設(shè)置在位于左單元區(qū)LC的右側(cè)處的選擇線切割區(qū)133上的上接觸部分154移位位線間距。

更詳細地說，位于左單元區(qū)LC的左側(cè)的字線切割區(qū)131和右側(cè)的選擇線切割區(qū)133上的上接觸部分154可設(shè)置在第一位線BL1和第三位線BL3下方。位于右側(cè)的字線切割區(qū)131和左側(cè)的選擇線切割區(qū)133上的上接觸部分154可設(shè)置在第二位線BL2和第四位線BL4下方。右單元區(qū)RC上的上接觸部分154也這樣設(shè)置。

右單元區(qū)RC上的輔助線SBL1至SBL4可與左單元區(qū)LC上的那些具有基本相同的平面形狀。右單元區(qū)RC上的輔助線SBL1至SBL4可按照這樣的方式排列，它們在第二方向D2上從左單元區(qū)LC上的輔助線SBL1至SBL4移位位線間距的約兩倍。

與圖2A的半導(dǎo)體存儲器裝置1a不同，在左單元區(qū)LC和右單元區(qū)RC中的每一個中，第一輔助線SBL1至第四輔助線SBL4可在第一位線BL1和第二位線BL2下方沿著第一方向D1排列。相似地，第一輔助線SBL1至第四輔助線SBL4可在第三位線BL3和第四位線BL4下方沿著第一方向D1排列。

位線BL1至BL4中的每一根可電連接至具有不同長度的輔助線SBL1至SBL4。作為一個示例，第一位線BL1和第四位線BL4中的每一根可連接至左單元區(qū)LC上的第一輔助線SBL1和第二輔助線SBL2以及右單元區(qū)RC上的第三輔助線SBL3和第四輔助線SBL4。第二位線BL2和第三位線BL3中的每一根可連接至左單元區(qū)LC上的第三輔助線SBL3和第四輔助線SBL4以及右單元區(qū)RC上的第一輔助線SBL1 和第二輔助線SBL2。

與此相似，由于位線BL1至BL4與輔助線SBL1至SBL4之間的連接結(jié)構(gòu)沒有不同，因此位線BL1至BL4可具有基本相同的電氣特征(例如，負載電容和電阻)。

[示例實施例]

圖11B是示出圖11A的修改示例的平面圖。

參照圖11B，與圖11A的半導(dǎo)體存儲器裝置2a相似，半導(dǎo)體存儲器裝置2b可構(gòu)造為包括重復(fù)地設(shè)置的多個單元陣列190，它們中的每一個具有14個溝道。

右單元區(qū)RC上的豎直溝道150和偽溝道150d可設(shè)置為具有與左單元區(qū)LC上的豎直溝道150和偽溝道150d的布置方式基本相同的布置方式。相似地，右單元區(qū)RC上的下接觸部分152可設(shè)置為具有與左單元區(qū)LC上的下接觸部分152的布置方式基本相同的布置方式。

左單元區(qū)LC上的上接觸部分154可設(shè)置為具有與設(shè)置在圖11A的左單元區(qū)LC上的上接觸部分154的布置方式基本相同的布置方式。右單元區(qū)RC上的上接觸部分154可按照這樣的方式排列，它們在第二方向D2上從左單元區(qū)LC上的上接觸部分154移位位線間距。

例如，位于左單元區(qū)LC的左側(cè)的字線切割區(qū)131和右側(cè)的選擇線切割區(qū)133上的上接觸部分154可設(shè)置在第一位線BL1和第三位線BL3下方。位于右側(cè)的字線切割區(qū)131和左側(cè)的選擇線切割區(qū)133上的上接觸部分154可設(shè)置在第二位線BL2和第四位線BL4下方。

可替換地，位于右單元區(qū)RC的左側(cè)的字線切割區(qū)131和右側(cè)的選擇線切割區(qū)133上的上接觸部分154可設(shè)置在第二位線BL2和第四位線BL4下方。位于右側(cè)的字線切割區(qū)131和左側(cè)的選擇線切割區(qū)133上的上接觸部分154可設(shè)置在第一位線BL1和第三位線BL3下方。

設(shè)置在右單元區(qū)RC和左單元區(qū)LC上的輔助線SBL1至SBL4的平面形狀可排列為相對于第二方向D2(例如，以/關(guān)于在第二方向D2上的軸線)成鏡像或?qū)ΨQ。

在左單元區(qū)LC和右單元區(qū)RC中的每一個中，第一輔助線SBL1至第四輔助線SBL4可在第一位線BL1和第二位線BL2下方沿著第一 方向D1排列。相似地，第一輔助線SBL1至第四輔助線SBL4可在第三位線BL3和第四位線BL4下方沿著第一方向D1排列。

位線BL1至BL4中的每一根可電連接至具有不同長度的輔助線SBL1至SBL4。作為一個示例，第一位線BL1和第四位線BL4中的每一根可連接至左單元區(qū)LC上的第一輔助線SBL1和第二輔助線SBL2以及右單元區(qū)RC上的第三輔助線SBL3和第四輔助線SBL4。第二位線BL2和第三位線BL3中的每一根可連接至左單元區(qū)LC上的第三輔助線SBL3和第四輔助線SBL4以及右單元區(qū)RC上的第一輔助線SBL1和第二輔助線SBL2。

與此相似，由于位線BL1至BL4與輔助線SBL1至SBL4之間的連接結(jié)構(gòu)沒有不同，因此位線BL1至BL4可具有基本相同的電氣特征(例如，負載電容和電阻)。

[示例實施例]

圖12A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置的平面圖。

參照圖12A，與圖2A的半導(dǎo)體存儲器裝置1a相比，半導(dǎo)體存儲器裝置3a可具有至少在第一方向D1上/朝著第一方向D1伸展的單元陣列結(jié)構(gòu)。作為一個示例，左單元區(qū)LC和右單元區(qū)RC中的每一個可包括通過三個選擇線切割區(qū)133彼此分離的第一串選擇線SSL1至第四串選擇線SSL4。半導(dǎo)體存儲器裝置3a可構(gòu)造為包括重復(fù)地布置的多個單元陣列190，它們中的每一個具有十九個溝道(例如，電連接至位線BL1至BL4的十六個豎直溝道150和三個偽溝道150d)。

設(shè)置在右單元區(qū)RC和左單元區(qū)LC上的豎直溝道150和偽溝道150d可排列為相對于偽單元區(qū)DC成鏡像或?qū)ΨQ。相似地，設(shè)置在右單元區(qū)RC和左單元區(qū)LC上的下接觸部分152可排列為相對于偽單元區(qū)DC成鏡像或?qū)ΨQ。

右單元區(qū)RC上的上接觸部分154可按照這樣的方式排列，它們在第二方向D2上從左單元區(qū)LC上的上接觸部分154移位位線間距。

例如，設(shè)置在左單元區(qū)LC的兩側(cè)的字線切割區(qū)131和左單元區(qū)LC的中心的選擇線切割區(qū)133上的上接觸部分154可設(shè)置在第一位 線BL1和第三位線BL3下方。設(shè)置在鄰近于字線切割區(qū)131的左右選擇線切割區(qū)133上的上接觸部分154可設(shè)置在第二位線BL2和第四位線BL4下方。

可替換地，設(shè)置在位于右單元區(qū)RC的兩側(cè)的字線切割區(qū)131和右單元區(qū)RC的中心的選擇線切割區(qū)133上的上接觸部分154可設(shè)置在第二位線BL2和第四位線BL4下方。設(shè)置在鄰近于字線切割區(qū)131的左右選擇線切割區(qū)133上的上接觸部分154可設(shè)置在第一位線BL1和第三位線BL3下方。

設(shè)置在右單元區(qū)RC和左單元區(qū)LC上的輔助線SBL1至SBL4的平面形狀可排列為相對于第二方向D2成鏡像或?qū)ΨQ。

位線BL1至BL4中的每一根可電連接至具有不同長度的輔助線SBL1至SBL4。作為一個示例，第一位線BL1可連接至左單元區(qū)LC上的第二輔助線SBL2和第一輔助線SBL1以及右單元區(qū)RC上的第三輔助線SBL3。第二位線BL2可連接至左單元區(qū)LC上的第三輔助線SBL3以及右單元區(qū)RC上的第二輔助線SBL2和第一輔助線SBL1。第三位線BL3可連接至左單元區(qū)LC上的第四輔助線SBL4和第三輔助線SBL3以及右單元區(qū)RC上的第一輔助線SBL1。第四位線BL4可連接至左單元區(qū)LC上的第一輔助線SBL1以及右單元區(qū)RC上的第四輔助線SBL4和第三輔助線SBL3。

第一位線BL1和第二位線BL2可具有基本相同的連接結(jié)構(gòu)，第三位線BL3和第四位線BL4可具有基本相同的連接結(jié)構(gòu)。另外，連接至第一位線BL1的第一輔助線SBL1至第三輔助線SBL3的總長(例如，5+6＝11)可與連接至第四位線BL4的第一輔助線SBL1、第三輔助線SBL3和第四輔助線SBL4的總長(例如，2+11＝13)基本相同或相似。連接至第二位線BL2的第一輔助線SBL1至第三輔助線SLB3的總長(例如，5+6＝11)可與連接至與第二位線BL2相鄰的第三位線BL3的第一輔助線SBL1、第三輔助線SBL3和第四輔助線SBL4的總長(例如，2+11＝13)基本相同或相似。在其中的情況下，如上所述，位線BL1至BL4設(shè)置為具有基本相同的連接結(jié)構(gòu)，并且輔助線SBL1至SBL4設(shè)置為具有基本相同的長度，因此位線BL1至BL4可具有基本相同的 電氣特征。

[示例實施例]

圖12B是示出圖12A的修改示例的平面圖。

參照圖12B，半導(dǎo)體存儲器裝置3b可構(gòu)造為包括重復(fù)地布置的多個單元陣列190，它們中的每一個具有19個溝道(例如，十六個豎直溝道150和三個偽溝道150d)，并且在此方面，半導(dǎo)體存儲器裝置3b可與圖12A的半導(dǎo)體存儲器裝置3a相似或相同。

右單元區(qū)RC上的豎直溝道150和偽溝道150d可設(shè)置為具有與左單元區(qū)LC上的豎直溝道150和偽溝道150d的布置方式基本相同的布置方式。相似地，右單元區(qū)RC上的下接觸部分152可設(shè)置為具有與左單元區(qū)LC上的下接觸部分152的布置方式基本相同的布置方式。對于上接觸部分154也可這樣設(shè)置。

位線BL1至BL4中的每一根可電連接至具有不同長度的輔助線SBL1至SBL4。作為一個示例，第一位線BL1可連接至左單元區(qū)LC上的第二輔助線SBL2和第一輔助線SBL1以及右單元區(qū)RC上的第三輔助線SBL3和第四輔助線SBL4。第二位線BL2可連接至左單元區(qū)LC上的第三輔助線SBL3以及右單元區(qū)RC上的第一輔助線SBL1。第三位線BL3可連接至左單元區(qū)LC上的第四輔助線SBL4和第三輔助線SBL3以及右單元區(qū)RC上的第二輔助線SBL2和第一輔助線SBL1。第四位線BL4可連接至左單元區(qū)LC上的第一輔助線SBL1以及右單元區(qū)RC上的第三輔助線SBL3。

第一位線BL1可具有與第三位線BL3的連接結(jié)構(gòu)基本相同的連接結(jié)構(gòu)，第二位線BL2可具有與第四位線BL4的連接結(jié)構(gòu)基本相同的連接結(jié)構(gòu)。另外，連接至第一位線BL1的第一輔助線SBL1至第四輔助線SBL4的總長(例如，5+11＝16)可與連接至與第一位線BL1相鄰的第四位線BL4的第一輔助線SBL1和第三輔助線SLB3的總長(例如，2+6＝8)不同。連接至第二位線BL2的第一輔助線SBL1和第三輔助線SBL3的總長(例如，6+2＝8)可與連接至與第二位線BL2相鄰的第三位線BL3的第一輔助線SBL1至第四輔助線SBL4的總長(例如，11+6＝15)不同。然而，如先前參照圖10A至圖10C的描述，當與位 線連接至長度基本相同的輔助線的情況相比時，根據(jù)一些實施例的位線BL1至BL4可具有相對優(yōu)秀的電氣特征。

[示例實施例]

圖13A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置的平面圖。

參照圖13A，與圖2A的半導(dǎo)體存儲器裝置1a相比，半導(dǎo)體存儲器裝置4a可具有至少在第一方向D1上/朝著第一方向D1伸展的單元陣列結(jié)構(gòu)。作為一個示例，左單元區(qū)LC和右單元區(qū)RC中的每一個可包括通過四個選擇線切割區(qū)133彼此分離的第一串選擇線SSL1至第五串選擇線SSL5。半導(dǎo)體存儲器裝置4a可構(gòu)造為包括重復(fù)地布置的多個單元陣列190，它們中的每一個具有二十四個溝道(例如，電連接至位線BL1至BL4的二十個豎直溝道150和四個偽溝道150d)。

設(shè)置在右單元區(qū)RC和左單元區(qū)LC上的豎直溝道150和偽溝道150d可排列為相對于偽單元區(qū)DC成鏡像或?qū)ΨQ。相似地，設(shè)置在右單元區(qū)RC和左單元區(qū)LC上的下接觸部分152可排列為相對于偽單元區(qū)DC成鏡像或?qū)ΨQ。

右單元區(qū)RC上的上接觸部分154可設(shè)置為具有與左單元區(qū)LC上的上接觸部分154的布置方式基本相同的布置方式。例如，上接觸部分154可具有與圖11A的半導(dǎo)體存儲器裝置2a的上接觸部分154的布置方式基本相同的布置方式。

左單元區(qū)LC上的輔助線SBL1至SBL4可具有與右單元區(qū)RC上的輔助線SBL1至SBL4的平面形狀基本相同的平面形狀。

位線BL1至BL4中的每一根可電連接至具有不同長度的輔助線SBL1至SBL4。作為一個示例，第一位線BL1和第四位線BL4中的每一根可連接至左單元區(qū)LC上的第一輔助線SBL1和第二輔助線SBL2以及右單元區(qū)RC上的第三輔助線SBL3和第四輔助線SBL4。第二位線BL2和第三位線BL3可連接至左單元區(qū)LC上的第三輔助線SBL3和第四輔助線SBL4以及右單元區(qū)RC上的第一輔助線SBL1和第二輔助線SBL2。像這樣，由于位線BL1至BL4與輔助線SBL1至SBL4之間的連接結(jié)構(gòu)沒有不同，因此位線BL1至BL4可具有基本相同的電氣 特征(例如，負載電容電阻)。

[示例實施例]

圖13B是示出圖13A的修改示例的平面圖。

參照圖13B，與圖13A的半導(dǎo)體存儲器裝置4a相似，半導(dǎo)體存儲器裝置4b可構(gòu)造為包括重復(fù)地設(shè)置的多個單元陣列190，它們中的每一個具有24個溝道。

右單元區(qū)RC上的豎直溝道150和偽溝道150d可設(shè)置為具有與左單元區(qū)LC上的豎直溝道150和偽溝道150d的布置方式基本相同的布置方式。相似地，右單元區(qū)RC上的下接觸部分152可設(shè)置為具有與左單元區(qū)LC上的下接觸部分152的布置方式基本相同的布置方式。設(shè)置在右單元區(qū)RC和左單元區(qū)LC上的上接觸部分154可排列為相對于偽單元區(qū)DC成鏡像或?qū)ΨQ。

設(shè)置在右單元區(qū)RC和左單元區(qū)LC上的輔助線SBL1至SBL4的平面形狀可排列為相對于第二方向D2成鏡像或?qū)ΨQ。

位線BL1至BL4中的每一根可電連接至具有不同長度的輔助線SBL1至SBL4。作為一個示例，第一位線BL1和第四位線BL4中的每一根可連接至左單元區(qū)LC上的第一輔助線SBL1和第二輔助線SBL2以及右單元區(qū)RC上的第三輔助線SBL3和第四輔助線SBL4。第二位線BL2和第三位線BL3可連接至左單元區(qū)LC上的第三輔助線SBL3和第四輔助線SBL4以及右單元區(qū)RC上的第一輔助線SBL1和第二輔助線SBL2。由于位線BL1至BL4與輔助線SBL1至SBL4之間的連接結(jié)構(gòu)沒有不同，因此位線BL1至BL4可具有基本相同的電氣特征(例如，負載電容和電阻)。

[應(yīng)用]

圖14A是示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置的存儲卡的示例的框圖。圖14B是示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置的信息處理系統(tǒng)的示例的框圖。

參照圖14A，存儲卡1200可包括存儲器裝置1210，其可為或者包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置中的至少一個。作為一個示例，存儲卡1200可包括控制主機1230與存儲器裝置 1210之間的一般數(shù)據(jù)交換的存儲器控制器1220。靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)1221可用作處理單元(例如，CPU 1222)的操作存儲器。主機接口(I/F)1223可包括連接至存儲卡1200的主機1230的數(shù)據(jù)交換協(xié)議。糾錯碼塊(例如，ECC 1224)可檢測和校正包括在從存儲器裝置1210讀出的數(shù)據(jù)中的錯誤。存儲器接口(I/F)1225可與存儲器裝置1210連接。處理單元1222可針對存儲器控制器1220的數(shù)據(jù)交換執(zhí)行一般控制操作。

參照圖14B，信息處理系統(tǒng)1300可包括存儲器系統(tǒng)1310，其可為或者包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的半導(dǎo)體存儲器裝置中的至少一個。例如，信息處理系統(tǒng)1300可為或者包括移動裝置和/或臺式計算機。信息處理系統(tǒng)1300還可包括可通過系統(tǒng)總線1360電連接至存儲器系統(tǒng)1310的調(diào)制解調(diào)器1320、中央處理單元(CPU)1330、隨機存取存儲器(RAM)1340和用戶接口1350。存儲器系統(tǒng)1310可包括存儲器裝置1311和存儲器控制器1312，在一些實施例中，存儲器系統(tǒng)1310可與參照圖14A描述的存儲卡1200基本相同地構(gòu)造。

可將通過中央處理單元1330處理和/或從外部(例如，系統(tǒng)1300外部的裝置/組件)輸入的數(shù)據(jù)存儲在存儲器系統(tǒng)1310中。信息處理系統(tǒng)1300可構(gòu)造為用作存儲卡、固態(tài)盤(SSD)、相機圖像傳感器、應(yīng)用芯片組等之一。作為一個示例，存儲器系統(tǒng)1310可用作固態(tài)盤(SSD)的一部分，并且在這種情況下，信息處理系統(tǒng)1300可以在存儲器系統(tǒng)1310中穩(wěn)定并可靠地存儲大量數(shù)據(jù)。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例，因為連接至位線中的每一根的不同輔助線具有至少兩個長度，所以可避免或者減小位線的電氣特征(例如，負載電容或電阻)的變化。因此，半導(dǎo)體存儲器裝置可具有改進的電氣特征。

應(yīng)該認為上述主題內(nèi)容是示出性而非限制性的，并且權(quán)利要求旨在覆蓋落入真實的精神和范圍內(nèi)的所有這樣的修改、改進和其它實施例。因此，在法律允許的最大程度上，保護范圍通過對權(quán)利要求及其等同物的最寬允許解釋來確定，而不應(yīng)由以上具體實施方式局限或者限制。