技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了包括輔助位線的半導體裝置。一種半導體裝置包括交替的柵極和絕緣層的堆疊件。所述半導體裝置包括偽單元區(qū)。所述半導體裝置包括多根位線和多根輔助位線。所述多根輔助位線中的一些具有不同的對應長度。本發(fā)明還提供了形成半導體裝置的相關方法。

技術(shù)研發(fā)人員：李俊熙;金志榮;樸鎮(zhèn)澤;曹盛純
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
文檔號碼：201610341096
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.20
技術(shù)公布日：2016.11.30