1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
交替的柵極和絕緣層的堆疊件；
堆疊件中的豎直溝道；
與豎直溝道間隔開(kāi)的偽單元區(qū)；
與堆疊件重疊的第一輔助位線至第四輔助位線，其中第一輔助位線電連接至豎直溝道；
第一位線，其與第一輔助位線和第二輔助位線重疊并且電連接至第一輔助位線和第二輔助位線，其中第一輔助位線的第一長(zhǎng)度比第二輔助位線的第二長(zhǎng)度更長(zhǎng)或者更短；以及
第二位線，其與第三輔助位線和第四輔助位線重疊并且電連接至第三輔助位線和第四輔助位線，其中第三輔助位線的第三長(zhǎng)度比第四輔助位線的第四長(zhǎng)度更長(zhǎng)或者更短，
其中，第一位線和第二位線以及第一輔助位線至第四輔助位線位于第一單元區(qū)和第二單元區(qū)中，并且
其中，偽單元區(qū)位于其中具有第一位線和第二位線以及第一輔助位線至第四輔助位線的第一單元區(qū)與第二單元區(qū)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：
第三位線，其與第一輔助位線和第二輔助位線重疊并且電連接至第一輔助位線和第二輔助位線；以及
第四位線，其與第三輔助位線和第四輔助位線重疊并且電連接至第三輔助位線和第四輔助位線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一輔助位線的第一長(zhǎng)度和第二輔助位線的第二長(zhǎng)度的第一總和等于或?qū)嵸|(zhì)上等于第三輔助位線的第三長(zhǎng)度和第四輔助位線的第四長(zhǎng)度的第二總和。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
所述半導(dǎo)體裝置還包括堆疊件中的第一字線切割區(qū)至第四字線切割區(qū)；
第一單元區(qū)包括當(dāng)在平面圖中看時(shí)位于第一字線切割區(qū)與第二字線切割區(qū)之間的第一多列單元串；
第二單元區(qū)包括當(dāng)在平面圖中看時(shí)位于第三字線切割區(qū)與第四字線切割區(qū)之間的第二多列單元串；
第二字線切割區(qū)和第三字線切割區(qū)將第一單元區(qū)與第二單元區(qū)分離；并且
偽單元區(qū)位于將第一單元區(qū)與第二單元區(qū)分離的第二字線切割區(qū)與第三字線切割區(qū)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在平面圖中，由與堆疊件的第一單元區(qū)重疊的第一輔助位線至第四輔助位線限定的第一形狀與由與堆疊件的第二單元區(qū)重疊的第一輔助位線至第四輔助位線限定的第二形狀對(duì)稱。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在平面圖中，由與堆疊件的第一單元區(qū)重疊的第一輔助位線至第四輔助位線限定的第一形狀是由與堆疊件的第二單元區(qū)重疊的第一輔助位線至第四輔助位線限定的第二形狀的鏡像。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在第一單元區(qū)和第二單元區(qū)中的每一個(gè)中，將最上面的一個(gè)柵極分為第一串選擇線和第二串選擇線。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在第一單元區(qū)和第二單元區(qū)中的每一個(gè)中，將最上面的一個(gè)柵極分為三根或更多根串選擇線。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二輔助位線的 第二長(zhǎng)度比第一輔助位線的第一長(zhǎng)度長(zhǎng)至少50％。
10.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
交替的柵極和絕緣層的堆疊件；
堆疊件中的多個(gè)豎直溝道；
與所述多個(gè)豎直溝道間隔開(kāi)的偽單元區(qū)；
第一多根非均勻長(zhǎng)度的輔助位線和第二多根非均勻長(zhǎng)度的輔助位線，其中，所述非均勻長(zhǎng)度的輔助位線中的每一根電連接至所述多個(gè)豎直溝道中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)；以及
第一位線和第二位線，它們分別電連接至第一多根非均勻長(zhǎng)度的輔助位線和第二多根非均勻長(zhǎng)度的輔助位線，
其中，第一位線和第二位線以及第一多根非均勻長(zhǎng)度的輔助位線和第二多根非均勻長(zhǎng)度的輔助位線位于第一單元區(qū)和第二單元區(qū)中，并且
其中，偽單元區(qū)位于其中具有第一位線和第二位線以及第一多根非均勻長(zhǎng)度的輔助位線和第二多根非均勻長(zhǎng)度的輔助位線的第一單元區(qū)與第二單元區(qū)之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一多根非均勻長(zhǎng)度的輔助位線的第一總長(zhǎng)等于或?qū)嵸|(zhì)上等于第二多根非均勻長(zhǎng)度的輔助位線的第二總長(zhǎng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一多根非均勻長(zhǎng)度的輔助位線包括具有第一長(zhǎng)度的第一輔助位線和具有第二長(zhǎng)度的第二輔助位線，第二輔助位線的第二長(zhǎng)度比第一輔助位線的第一長(zhǎng)度長(zhǎng)至少50％。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，當(dāng)在平面圖中看時(shí)，所述多個(gè)豎直溝道呈z字形圖案。
14.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
交替的柵極和絕緣層的堆疊件；
堆疊件中的第一字線切割區(qū)至第四字線切割區(qū)，其中第一字線切割區(qū)和第二字線切割區(qū)將第一單元區(qū)限定在它們之間，其中第三字線切割區(qū)和第四字線切割區(qū)將第二單元區(qū)限定在它們之間，并且其中第二字線切割區(qū)和第三字線切割區(qū)將第一單元區(qū)與第二單元區(qū)分離；
偽單元區(qū)，其位于將第一單元區(qū)與第二單元區(qū)分離的第二字線切割區(qū)與第三字線切割區(qū)之間；
多根位線，其從第一單元區(qū)延伸至第二單元區(qū)；以及
多根輔助位線，其將所述多根位線電連接至第一單元區(qū)和第二單元區(qū)，其中所述多根位線中的每一根電連接至所述多根輔助位線中的具有不同的對(duì)應(yīng)長(zhǎng)度的不同的一根。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
第一單元區(qū)包括堆疊件中的豎直溝道；
所述多根輔助位線包括與堆疊件重疊的第一輔助位線至第四輔助位線，其中第一輔助位線電連接至豎直溝道；
所述多根位線包括第一位線和第二位線；
第一位線與第一輔助位線和第二輔助位線重疊并且電連接至第一輔助位線和第二輔助位線；
第一輔助位線的第一長(zhǎng)度比第二輔助位線的第二長(zhǎng)度更短；
第二位線與第三輔助位線和第四輔助位線重疊并且電連接至第三輔助位線和第四輔助位線；并且
第三輔助位線的第三長(zhǎng)度比第四輔助位線的第四長(zhǎng)度更短。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二輔助位線的第二長(zhǎng)度比第一輔助位線的第一長(zhǎng)度長(zhǎng)至少50％。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多根位線還包括：
第三位線，其與第一輔助位線和第二輔助位線重疊并且電連接至第一輔助位線和第二輔助位線；以及
第四位線，其與第三輔助位線和第四輔助位線重疊并且電連接至第三輔助位線和第四輔助位線。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一輔助位線的第一長(zhǎng)度和第二輔助位線的第二長(zhǎng)度的第一總和等于或?qū)嵸|(zhì)上等于第三輔助位線的第三長(zhǎng)度和第四輔助位線的第四長(zhǎng)度的第二總和。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多根位線還包括：
第三位線，其與第一輔助位線和第二輔助位線重疊并且電連接至第一輔助位線和第二輔助位線；以及
第四位線，其與第三輔助位線和第四輔助位線重疊并且電連接至第三輔助位線和第四輔助位線。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在平面圖中，由與堆疊件的第一單元區(qū)重疊的第一輔助位線至第四輔助位線限定的第一形狀與由與堆疊件的第二單元區(qū)重疊的第一輔助位線至第四輔助位線限定的第二形狀對(duì)稱。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
第一單元區(qū)包括當(dāng)在平面圖中看時(shí)位于第一字線切割區(qū)與第二字線切割區(qū)之間的第一多列單元串；
第二單元區(qū)包括當(dāng)在平面圖中看時(shí)位于第三字線切割區(qū)與第四字線切割區(qū)之間的第二多列單元串；并且
第一多列單元串包括當(dāng)在平面圖中看時(shí)呈z字形圖案的對(duì)應(yīng)溝道。
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
第一單元區(qū)包括當(dāng)在平面圖中看時(shí)位于第一字線切割區(qū)與第二字線切割區(qū)之間的第一多列單元串；
第二單元區(qū)包括當(dāng)在平面圖中看時(shí)位于第三字線切割區(qū)與第四字線切割區(qū)之間的第二多列單元串；并且
第一多列單元串包括至少四列單元串。
23.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
第一單元區(qū)包括在第一字線切割區(qū)與第二字線切割區(qū)之間的第一選擇線切割區(qū)；并且
第二單元區(qū)包括在第三字線切割區(qū)與第四字線切割區(qū)之間的第二選擇線切割區(qū)。
24.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中，偽單元區(qū)包括位于將第一單元區(qū)與第二單元區(qū)分離的第二字線切割區(qū)和第三字線切割區(qū)之間的多個(gè)偽單元區(qū)之一。
25.一種形成半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括步驟：
在交替的絕緣層和犧牲層的堆疊件的第一區(qū)中形成溝道孔，其中偽區(qū)位于第一區(qū)與第二區(qū)之間；
在溝道孔中形成豎直溝道；
從堆疊件去除犧牲層，以形成鄰近于豎直溝道的凹槽；
在所述凹槽中形成柵極；
形成與堆疊件重疊的第一輔助位線至第四輔助位線，其中第一輔助位線電連接至豎直溝道；
形成與第一輔助位線和第二輔助位線重疊并且電連接至第一輔助位線和第二輔助位線的第一位線，其中第一輔助位線的第一長(zhǎng)度比第二輔助位線的第二長(zhǎng)度更長(zhǎng)或者更短；以及
形成與第三輔助位線和第四輔助位線重疊并且電連接至第三輔助位線和第四輔助位線的第二位線，其中第三輔助位線的第三長(zhǎng)度比第四輔助位線的第四長(zhǎng)度更長(zhǎng)或者更短，并且
其中，其間具有偽區(qū)的第一區(qū)和第二區(qū)包括第一位線和第二位線以及第一輔助位線至第四輔助位線。