1.一種同軸金屬柱，其特征是，包括軸心金屬柱、介電層和外層金屬層，軸心金屬柱設(shè)置于封裝基材的上層金屬墊的上表面；介電層包覆于軸心金屬柱的外側(cè)表面；外層金屬層包覆于介電層的外側(cè)表面。
2.如權(quán)利要求1所述的同軸金屬柱，其特征是，軸心金屬柱底部電性耦合于金屬墊的上表面。
3.如權(quán)利要求1所述的同軸金屬柱，其特征是，金屬墊為封裝基材的電路系統(tǒng)的表面鏈接端點。
4.如權(quán)利要求3所述的同軸金屬柱，其特征是，電路系統(tǒng)進一步包括第一底部電路重新分配層、上層金屬墊、第二底部電路重新分配層和下層金屬墊，第一底部電路重新分配層設(shè)置于同軸金屬柱的底部，埋設(shè)于第一介電層中；上層金屬墊設(shè)置于第一底部電路重新分配層的上方，具有第一密度，適合將封裝基材電性耦合至外部的系統(tǒng)電路板；第二底部電路重新分配層設(shè)置于第一底部電路重新分配層的下方，埋入至第二介電層中；下層金屬墊設(shè)置于第二底部電路重新分配層下方，具有第二密度；第二密度高于第一密度，適合于芯片安置用。
5.如權(quán)利要求4所述的同軸金屬柱，其特征是，外部的系統(tǒng)電路板包括軸心金屬墊和環(huán)形金屬墊，軸心金屬墊設(shè)置于外部的系統(tǒng)電路板上；環(huán)形金屬墊環(huán)繞于軸心金屬墊的外圍，電性獨立于軸心金屬墊；當封裝基材與外部的系統(tǒng)電路板連接時，軸心金屬墊對應(yīng)連接同軸金屬柱的軸心金屬柱，環(huán)形金屬墊對應(yīng)連接同軸金屬柱的外層金屬層。
6.一種同軸金屬柱的制作方法，其特征是，包括如下工藝步驟：
準備基材，表面具有上層介電層；多個上層金屬墊裸露于上方，具有一個密度適于將基材電性耦合至外部的系統(tǒng)電路板；具有下層介電層，多個下層金屬墊裸露于下方，適于芯片安置用；
涂布種子層，于上金屬墊的上表面與上層介電層的上表面；
涂布第一光阻層，于種子層的上表面；
圖案化第一光阻層，制作多個第一溝槽；
電鍍金屬于第一溝槽內(nèi)，制作多個金屬柱；
移除第一光阻層；
移除金屬柱與金屬柱之間的種子層；
涂布第二光阻層，于介電層的上表面與金屬柱的上表面；
圖案化第二光阻層，制作多個第二溝槽，第二溝槽環(huán)繞特定的金屬柱；
填充介電材料于第二溝槽內(nèi)，包覆裸露的金屬柱；
移除頂部多余材料，使第二光阻層、介電材料以及金屬柱具有相同的高度；
移除第二光阻層；
涂布第三光阻層；
圖案化第三光阻層，制作多個第三溝槽，第三溝槽環(huán)繞已被介電材料包覆之特定的金屬柱；
無電電鍍金屬材料層，包覆于介電材料的裸露表面與軸心金屬柱的上表面；
移除第三光阻層；
移除覆蓋于介電材料上表面與軸心金屬柱上表面的金屬材料層。
7.如權(quán)利要求6所述的同軸金屬柱的制作方法，其特征是，進一步包括如下工藝步驟：
至少一片芯片，電性耦合至下層金屬墊；
底部填充材料，填充于芯片與基材之間的空間；
切割得到多個芯片封裝單元。