1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于包括：
襯底；
積層體，設(shè)置在所述襯底上，具有相互分離地積層的多個(gè)電極層；
多個(gè)柱狀部，設(shè)置在所述積層體內(nèi)，沿著所述積層體的積層方向而延伸；及
配線部，設(shè)置在所述積層體內(nèi)，沿著第1方向而延伸；且
相鄰的所述柱狀部并不沿著所述第1方向而配置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：
進(jìn)而具備第1配線，設(shè)置在所述多個(gè)柱狀部上，沿著相對(duì)于所述第1方向相交的第2方向延伸。
3.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于包括：
襯底；
積層體，設(shè)置在所述襯底上，具有相互分離地積層的多個(gè)電極層；
多個(gè)柱狀部，設(shè)置在所述積層體內(nèi)，沿著所述積層體的積層方向而延伸；及
配線部，設(shè)置在所述積層體內(nèi)，沿著第1方向而延伸；且
所述多個(gè)柱狀部的中心是相對(duì)于多個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)向第2方向或第3方向偏移地設(shè)置，該第2方向相對(duì)于所述第1方向相交，該第3方向相對(duì)于所述第1方向相交且相對(duì)于所述第2方向?yàn)橄喾捶较颍?/p>
所述多個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)具有：多個(gè)第1基準(zhǔn)點(diǎn)；多個(gè)第2基準(zhǔn)點(diǎn)，相對(duì)于所述多個(gè)第1基準(zhǔn)點(diǎn)而位于所述第2方向上；多個(gè)第3基準(zhǔn)點(diǎn)，相對(duì)于所述多個(gè)第1基準(zhǔn)點(diǎn)而位于向所述第2方向以第1角度傾斜的第4方向上；及多個(gè)第4基準(zhǔn)點(diǎn)，相對(duì)于所述多個(gè)第1基準(zhǔn)點(diǎn)而位于向所述第3方向以所述第1角度傾斜的第5方向上；
在設(shè)定了沿著所述第1方向延伸的假想的第1直線、第2直線、第3直線及第4直線時(shí)，所述多個(gè)第1基準(zhǔn)點(diǎn)、所述多個(gè)第2基準(zhǔn)點(diǎn)、所述多個(gè)第3基準(zhǔn)點(diǎn)及所述多個(gè)第4基準(zhǔn)點(diǎn)分別位于所述第1直線、所述第2直線、所述第3直線及所述第4直線上；
所述多個(gè)柱狀部是沿著多個(gè)列而設(shè)置，
所述多個(gè)列具有第1列、在所述第2方向上與所述第1列相鄰的第2列、在所述第2方向上與所述第2列相鄰的第3列、及在所述第2方向上與所述第3列相鄰的第4列，
所述第1列的第1柱狀部的中心是相對(duì)于第4基準(zhǔn)點(diǎn)向所述第2方向偏移地設(shè)置，與所述第1列的所述第1柱狀部相鄰的所述第1列的第2柱狀部的中心是相對(duì)于第4基準(zhǔn)點(diǎn)向所述第3方向偏移地設(shè)置；
所述第2列的第3柱狀部的中心是相對(duì)于第1基準(zhǔn)點(diǎn)向所述第3方向偏移地設(shè)置，與所述第2列的所述第3柱狀部相鄰的所述第2列的第4柱狀部的中心是相對(duì)于第1基準(zhǔn)點(diǎn)向所述第2方向偏移地設(shè)置；
所述第3列的第5柱狀部的中心是相對(duì)于第3基準(zhǔn)點(diǎn)向所述第2方向偏移地設(shè)置，與所述第3列的所述第5柱狀部相鄰的第3列的第6柱狀部的中心是相對(duì)于第3基準(zhǔn)點(diǎn)向所述第3方向偏移地設(shè)置；
所述第4列的第7柱狀部的中心是相對(duì)于第2基準(zhǔn)點(diǎn)向所述第3方向偏移地設(shè)置，與所述第4列的所述第7柱狀部相鄰的所述第4列的第8柱狀部的中心是相對(duì)于第2基準(zhǔn)點(diǎn)向所述第2方向偏移地設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：
所述第1角度為30度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：
所述多個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)為格子體的交點(diǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：
進(jìn)而具備第1配線，設(shè)置在所述多個(gè)柱狀部上，沿著所述第2方向而延伸；且所述多個(gè)列具有在所述第2方向上與所述第4列相鄰的第5列，
所述第5列的所述多個(gè)柱狀部并不連接于所述第1配線。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：
所述多個(gè)柱狀部具有半導(dǎo)體部、及設(shè)置在所述半導(dǎo)體部與所述積層體之間的存儲(chǔ)膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：
進(jìn)而具備第1配線，設(shè)置在所述多個(gè)柱狀部上，沿著所述第2方向而延伸。
9.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于包括：
襯底；
積層體，設(shè)置在所述襯底上，具有相互分離地積層的多個(gè)電極層；
多個(gè)列，設(shè)置在所述積層體內(nèi)，分別具有沿著所述積層體的積層方向延伸的多個(gè)柱狀部；
配線部，設(shè)置在所述積層體內(nèi)，沿著第1方向而延伸；及
第1配線，設(shè)置在所述多個(gè)柱狀部上，沿著相對(duì)于所述第1方向相交的第2方向延伸；且
所述多個(gè)列具有第1列、在所述第2方向上與所述第1列相鄰的第2列、在所述第2方向上與所述第2列相鄰的第3列、及在所述第2方向上與所述第3列相鄰的第4列，
各列的所述多個(gè)柱狀部是以并不沿著所述第1方向而配置的方式設(shè)置，
在設(shè)定了沿著所述第2方向延伸的假想的第1直線時(shí)，所述第1列的第1柱狀部、及所述第2列的第2柱狀部配置在所述第1直線上，
在設(shè)定了沿著所述第2方向延伸的假想的第2直線時(shí)，與所述第1列的所述第1柱狀部相鄰的所述第1列的第3柱狀部、及與所述第2列的所述第2柱狀部相鄰的所述第2列的第4柱狀部配置在所述第2直線上，
在設(shè)定了沿著所述第2方向延伸的假想的第3直線時(shí)，所述第3列的第5柱狀部、及所述第4列的第6柱狀部配置在所述第3直線上，
在設(shè)定了沿著所述第2方向延伸的假想的第4直線時(shí)，與所述第3列的所述第5柱狀部相鄰的所述第3列的第7柱狀部、及與所述第4列的所述第6柱狀部相鄰的所述第4列的第8柱狀部配置在所述第4直線上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：
所述第2直線位于所述第3直線與所述第4直線之間，且
所述第3直線位于所述第1直線與所述第2直線之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：
所述多個(gè)柱狀部具有半導(dǎo)體部、及設(shè)置在所述半導(dǎo)體部與所述積層體之間的存儲(chǔ)膜。
12.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于包括：
襯底；
積層體，設(shè)置在所述襯底上，具有相互分離地積層的多個(gè)電極層；
多個(gè)柱狀部，設(shè)置在所述積層體內(nèi)，沿著所述積層體的積層方向而延伸；及
配線部，設(shè)置在所述積層體內(nèi)，沿著第1方向而延伸；且
在設(shè)定了沿著所述第1方向延伸的假想的第1直線、第2直線、第3直線及第4直線時(shí)，所述多個(gè)柱狀部具有配置在所述第1直線上的多個(gè)第1柱狀部、配置在所述第2直線上的多個(gè)第2柱狀部、配置在所述第3直線上的多個(gè)第3柱狀部、及配置在所述第4直線上的多個(gè)第4柱狀部；
所述第1直線、所述第2直線、所述第3直線及所述第4直線依次位于相對(duì)于所述第1方向相交的第2方向上，
在相鄰的所述柱狀部，所述第2柱狀部與所述第3柱狀部之間的距離比所述第1柱狀部與所述第2柱狀部之間的距離短。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：
在設(shè)定了沿著所述第1方向延伸的假想的第5直線、第6直線、第7直線及第8直線時(shí)，所述多個(gè)柱狀部具有配置在所述第5直線上的多個(gè)第5柱狀部、配置在所述第6直線上的多個(gè)第6柱狀部、配置在所述第7直線上的多個(gè)第7柱狀部、及配置在所述第8直線上的多個(gè)第8柱狀部；且
所述第1直線、所述第2直線、所述第3直線、所述第4直線、所述第5直線、所述第6直線、所述第7直線及所述第8直線依次位于所述第2方向，
在相鄰的所述柱狀部，所述第6柱狀部與所述第7柱狀部之間的距離比所述第5柱狀部與所述第6柱狀部之間的距離短。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：
在相鄰的所述柱狀部，所述第4柱狀部與所述第5柱狀部之間的距離比所述第3柱狀部與所述第4柱狀部之間的距離短。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：
在相鄰的所述柱狀部，所述第4柱狀部與所述第5柱狀部之間的距離比所述第5柱狀部與所述第6柱狀部之間的距離短。