技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備襯底、積層體、多個(gè)柱狀部、及配線部。所述積層體設(shè)置在所述襯底上。所述積層體具有相互分離地積層的多個(gè)電極層。所述多個(gè)柱狀部設(shè)置在所述積層體內(nèi)。所述多個(gè)柱狀部沿著所述積層體的積層方向而延伸。所述配線部設(shè)置在所述積層體內(nèi)。所述配線部沿著第1方向而延伸。相鄰的所述柱狀部并不沿著所述第1方向而配置。

技術(shù)研發(fā)人員：南光一
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社東芝
文檔號(hào)碼：201610638131
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.05
技術(shù)公布日：2017.03.22