本發(fā)明涉及封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，例如一種具有高可靠性的堆疊的扇出封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

近年來，由于電子產(chǎn)品已變得越來越多功能并且尺寸已按比例縮小，因此希望半導(dǎo)體設(shè)備的制造商將更多的元件形成于單塊半導(dǎo)體晶圓上，從而可以使得含有這些元件的電子產(chǎn)品更加緊湊。作為對此種希望的響應(yīng)，已經(jīng)發(fā)展了PoP(Package-on-Package，封裝上封裝或稱堆疊封裝)技術(shù)和WLP(Wafer Level Package，晶圓級封裝)技術(shù)。PoP技術(shù)使得兩個或者更多的封裝能夠使用標(biāo)準(zhǔn)界面來安裝(即堆疊)在彼此的頂上，從而能夠在他們之間路由信號。此種方式允許電子產(chǎn)品具有更高的元件密度，電子產(chǎn)品諸如為移動電話、個人數(shù)字助理(Personal Digital Assistant，PDA)及數(shù)碼相機。另外，在WLP中，晶?？梢耘c封裝具有相同的尺寸。

但是，在利用PoP及/或WLP技術(shù)來制造半導(dǎo)體封裝時，可能出現(xiàn)一些問題。例如，在此類半導(dǎo)體封裝中，位于相鄰的堆疊的封裝之間的重分布層結(jié)構(gòu)(有時也稱為互連層結(jié)構(gòu))的側(cè)壁/邊緣暴露于外部環(huán)境中。如此，重分布層結(jié)構(gòu)(Redistribution layer，RDL)會因為防潮性差而容易被損傷。另外，在執(zhí)行切割工藝以產(chǎn)生單個的封裝結(jié)構(gòu)之后，在半導(dǎo)體晶粒與RDL之間或者在模塑料與RDL結(jié)構(gòu)之間可能出現(xiàn)脫層，從而降低半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的可靠性、良品率及生產(chǎn)量。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，可以提高可靠性。

本發(fā)明實施例提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括：第一半導(dǎo)體晶粒，具有第一表面及相對于該第一表面的第二表面；第一模塑料，圍繞該第一半導(dǎo)體晶粒；第一重分布層結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第一半導(dǎo)體晶粒的該第二表面上并且在該第一模塑料上橫向延伸；以及第一保護層，覆蓋該第一重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。

其中，該第一保護層為模塑料。

其中，進一步包括：第二半導(dǎo)體晶粒，設(shè)置在該第一重分布層結(jié)構(gòu)上并且具有第三表面與相對于該第三表面的第四表面，其中該第一重分布層結(jié)構(gòu)位于該第一半導(dǎo)體晶粒與該第二半導(dǎo)體晶粒之間；以及第二模塑料，圍繞該第二半導(dǎo)體晶粒。

其中，該第一保護層為該第二模塑料的延伸部，并且該第一保護層還覆蓋該第一模塑料的側(cè)壁。

其中，進一步包括：第二重分布層結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第二半導(dǎo)體晶粒的該第四表面上并且在該第二模塑料上橫向延伸。

其中，該第二重分布層的側(cè)壁與該第一重分布層的側(cè)壁未垂直對齊。

其中，進一步包括：多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第二重分布層結(jié)構(gòu)上并且電性耦接至該第二重分布層結(jié)構(gòu)；以及多個通孔，穿過該第二模塑料并且電性耦接在該第一重分布層結(jié)構(gòu)與該第二重分布層結(jié)構(gòu)之間。

其中，進一步包括：第三半導(dǎo)體晶粒，設(shè)置在該第二重分布層結(jié)構(gòu)上并且具有第五表面與相對于該第五表面的第六表面；以及第三模塑料，圍繞該第三半導(dǎo)體晶粒。

其中，該第一保護層還覆蓋該第二重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。

其中，該第一保護層為該第三模塑料的延伸部，并且該第一保護層還覆蓋該第二模塑料的側(cè)壁。

其中，進一步包括：第二保護層，覆蓋該第二重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁、該第二模塑料的側(cè)壁以及該第一保護層的側(cè)壁。

其中，進一步包括：第三重分布層結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第三半導(dǎo)體晶粒的該第六表面上并且在該第三模塑料上橫向延伸。

其中，該第三重分布層的側(cè)壁與該第一重分布層的側(cè)壁及該第二重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁未垂直對齊。

其中，進一步包括：多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第三重分布層結(jié)構(gòu)上并且電性耦接至該第三重分布層結(jié)構(gòu)；以及多個通孔，穿過該第三模塑料并且電性耦接在該第二重分布層結(jié)構(gòu)與該第三重分布層結(jié)構(gòu)之間。

其中，進一步包括：第二保護層，覆蓋該第二重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁并且設(shè)置在該第二模塑料上。

其中，該第一保護層為該第二模塑料的延伸部，且該第二保護層為該第三模塑料的延伸部。

其中，進一步包括：背面膜，設(shè)置在該第一半導(dǎo)體晶粒的該第一表面上。

本發(fā)明實施例提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括：第一半導(dǎo)體晶粒，具有第一表面與相對于該第一表面的第二表面；第一重分布層結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第一半導(dǎo)體晶粒的該第二表面上；第二半導(dǎo)體晶粒，設(shè)置在該第一重分布結(jié)構(gòu)上并且具有第三表面與相對于該第三表面的第四表面，其中該第二半導(dǎo)體晶粒的尺寸小于該第一半導(dǎo)體晶粒的尺寸，該第一重分布層結(jié)構(gòu)的部分自該第二半導(dǎo)體晶粒露出；以及模塑料，設(shè)置在該第一重分布層結(jié)構(gòu)的露出的部分上，并且圍繞該第二半導(dǎo)體晶粒，其中該模塑料具有覆蓋第一重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的延伸部。

其中，該模塑料的該延伸部覆蓋該第一半導(dǎo)體晶粒的側(cè)壁的部分或者全部。

其中，進一步包括：第二重分布層結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第二半導(dǎo)體晶粒的該第二表面上并且在該模塑料上橫向延伸。

其中，該第二重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與該第一重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不垂直對齊。

其中，進一步包括：多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第二重分布層結(jié)構(gòu)上并且電性耦接至該第二重分布層結(jié)構(gòu)；以及多個通孔，穿過該第二模塑料并且電性耦接在該第一重分布層結(jié)構(gòu)與該第二重分布層結(jié)構(gòu)之間。

其中，進一步包括：背面膜，設(shè)置在該第一半導(dǎo)體晶粒的該第一表面上。

本發(fā)明實施例的有益效果是：

以上的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，由保護層來保護位于半導(dǎo)體晶粒上的重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，從而提高該重分布層的側(cè)壁的防潮能力，避免外部環(huán)境對該重分布層的損傷，進而提高了該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的可靠性。

附圖說明

通過閱讀接下來的詳細描述以及參考附圖的示例可以更加完整地理解本發(fā)明，其中：

圖1至圖6分別為根據(jù)本發(fā)明不同實施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的橫截面示意圖。

具體實施方式

以下描述為實現(xiàn)本發(fā)明的較佳預(yù)期模式。該描述僅出于說明本發(fā)明一般原理的目的，而不應(yīng)視為限制。本發(fā)明的范圍可參考權(quán)利要求書來確定。

參考特定實施例與參考確定的附圖來描述本發(fā)明，但是本發(fā)明不限制于此，并且本發(fā)明僅由權(quán)利要求來限定。描述的附圖僅是示意圖而非限制。在附圖中，出于說明目的而夸大了某些元件的尺寸，并且某些元件的尺寸并非按比例繪制。圖中的尺寸及相對尺寸不對應(yīng)本發(fā)明實踐中的真實尺寸。

本發(fā)明實施例提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括：第一半導(dǎo)體晶粒，具有第一表面及相對于該第一表面的第二表面；第一模塑料，圍繞該第一半導(dǎo)體晶粒；第一重分布層結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第一半導(dǎo)體晶粒的該第二表面上并且在該第一模塑料上橫向延伸；第一保護層，覆蓋該第一重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。本發(fā)明實施例利用第一保護層對第一重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進行保護，以防止外部環(huán)境對第一重分布層結(jié)構(gòu)的損傷。其中，該第一保護層可以為模塑料，例如由第一重分布層結(jié)構(gòu)上的第二模塑料向下延伸以覆蓋第一重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，或者可以采用涂覆等工藝單獨在第一重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成保護層。

圖1為根據(jù)本發(fā)明一些實施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10的橫截面示意圖。在一些實施例中，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10為晶圓級半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，例如堆疊的扇出晶圓級半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。在實施例中，該堆疊的扇出晶圓級半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)可以包括：片上系統(tǒng)(System On Chip，SOC)封裝結(jié)構(gòu)以及垂直地堆疊于其上的動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)封裝結(jié)構(gòu)。

參考圖1，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10安裝于基底(未示出)上，諸如印刷電路板(Printed Circuit Board，PCB)，該基底可以由聚丙烯(polypropylene，PP)形成。在一些實施例中，該基底充當(dāng)封裝基底并且可以為單層或者多層結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電墊及電性耦接至導(dǎo)電墊的導(dǎo)電線路(trace)一般設(shè)置在基底的頂面上或者基底中。在此情形中，導(dǎo)電線路可以用于半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10的輸入/輸出(Input/output，I/O)連接。在一個實施例中，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10直接安裝于導(dǎo)電線路上。

在本實施例中，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10包括：第一半導(dǎo)體晶粒100。該第一半導(dǎo)體晶粒100具有第一表面100a與相對于該第一表面100a的第二表面100b。另外，該第一半導(dǎo)體晶粒100可以包括：導(dǎo)電墊111，電性連接至該第一半導(dǎo)體晶粒100的電路(未示出)。在一些實施例中，該第一半導(dǎo)體晶粒100(諸如SOC晶粒)可以包括：邏輯晶粒，該邏輯晶粒包括：中央處理單元(Central Processing Unit，CPU)、圖形處理單元(Graphics Processing Unit，GPU)、DRAM控制器或者他們的任意組合?？蛇x地，該第一半導(dǎo)體晶粒100可以包括：調(diào)制解調(diào)器晶粒。

在本實施例中，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10進一步包括：第一模塑料102，圍繞該第一半導(dǎo)體晶粒100。該第一半導(dǎo)體晶粒100的該第一與第二表面100a、100b可以從該第一模塑料102露出。在一些實施例中，該第一模塑料102可以由環(huán)氧樹脂、樹脂、可塑聚合物或者類似物形成。該第一模塑料102可以在大致為液體時使用，然后通過化學(xué)反應(yīng)固化，諸如在環(huán)氧樹脂或者樹脂中。在一些其他實施例中，第一模塑料102可以為紫外(ultraviolet，UV)或者熱固化的聚合物，作為能夠設(shè)置在第一半導(dǎo)體晶粒100周圍的凝膠或者可塑固體來應(yīng)用該聚合物，接著通過UV或者熱固化工藝固化該聚合物。第一模塑料102可以按照模型(未示出)來固化。

在本實施例中，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10進一步包括：第一RDL結(jié)構(gòu)104，設(shè)置在該第一半導(dǎo)體晶粒100的第二表面100b上，并且在該第一模塑料102上橫向延伸。在一些實施例中，第一RDL結(jié)構(gòu)104，也稱為扇出結(jié)構(gòu)，具有與第一模塑料102的側(cè)壁102a大致垂直對齊的側(cè)壁104a。第一RDL結(jié)構(gòu)104通過導(dǎo)電墊111連接至第一半導(dǎo)體晶粒100。

在本實施例中，第一RDL結(jié)構(gòu)104包括：一條或者多條設(shè)置在金屬間介電(Inter-Metal Dielectric，IMD)層中的導(dǎo)電線路。導(dǎo)電線路電性耦接至該第一半導(dǎo)體晶粒100的導(dǎo)電墊111。在一些實施例中，IMD層由有機材料形成，其中該有機材料包括：聚合物基材料或者類似物，諸如聚苯并惡唑(polybenzoxazole，PBO)或者聚酰亞胺(polyimide)。例如，IMD層可以由光敏材料制成，其中該光敏材料包括：干膜光阻(dry film photoresist)或者貼膜(taping film)。

在本實施例中，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10進一步包括：底部保護層500(有時稱為背面膜(backside film，BSF))，經(jīng)由黏合層(adhesion layer)103而設(shè)置在第一半導(dǎo)體晶粒100的第一表面100a上，該黏合層103有時稱為晶粒粘結(jié)膜(die-attach film,DAF)并且用于在半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10的制造期間將第一半導(dǎo)體晶粒100附著至載體(未示出)上。也就是說，黏合層103設(shè)置在底部保護層500與第一半導(dǎo)體晶粒100之間。在一些實施例中，黏合層103的側(cè)壁與第一半導(dǎo)體晶粒100的側(cè)壁大致對齊，使得黏合層103與第一半導(dǎo)體晶粒100具有大致相同的寬度，如圖1所示。可選地，黏合層103可以具有與底部保護層500的側(cè)壁大致對齊的側(cè)壁，使得黏合層103與底部保護層500具有大致相同的寬度。

另外，底部保護層500也設(shè)置在第一模塑料102上。該底部保護層500保護第一半導(dǎo)體晶粒100與第一模塑料102免受損傷。

在本實施例中，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10進一步包括：設(shè)置在第一RDL結(jié)構(gòu)104上的第二半導(dǎo)體晶粒200。在本實施例中，第二半導(dǎo)體晶粒200具有第一表面200a與相對于該第一表面200a的第二表面200b。另外，該第二半導(dǎo)體晶粒200可以包括：導(dǎo)電墊211，電性連接至該第二半導(dǎo)體晶粒200的電路(未示出)。在一些實施例中，第二半導(dǎo)體晶粒200可以包括：DRAM晶粒?？蛇x地，第二半導(dǎo)體晶粒200可以包括：集成被動元件(Integrated Passive Device，IPD)晶粒。在本實施例中，第二半導(dǎo)體晶粒200的第一表面200a經(jīng)由黏合層203附著至第一RDL結(jié)構(gòu)104上，該黏合層203諸如為DAF。該黏合層203可以包括相同或者類似于黏合層103的材料。類似地，黏合層203的側(cè)壁與第二半導(dǎo)體晶粒200的側(cè)壁大致對齊，使得黏合層203與第二半導(dǎo)體晶粒200大致具有相同的寬度，如圖1所示。

在本實施例中，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10進一步包括：第二模塑料202，圍繞該第二半導(dǎo)體晶粒200。該第二半導(dǎo)體晶粒200的第一與第二表面200a、200b可以從該第二模塑料202中露出。在一些實施例中，第二模塑料202可以由相同或者類似于第一模塑料102的材料形成。在一些實施例中，第二模塑料202包括：一個或多個通孔206(有時稱為“穿過封裝的通孔(through package via，TPV)”或者“穿過插入層的通孔(through interposer via，TIV)”)，穿過第二模塑料202并通過第一RDL結(jié)構(gòu)104中的導(dǎo)電線路電性耦接至第一RDL結(jié)構(gòu)104。在一些實施例中，通孔206可以圍繞第二半導(dǎo)體晶粒200。另外，通孔206可以由銅形成。

在本實施例中，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10進一步包括：第一保護層，充當(dāng)側(cè)壁保護，并且覆蓋第一RDL結(jié)構(gòu)104的側(cè)壁104a及第一模塑料102的側(cè)壁102a。例如，第一保護層為第二模塑料202的延伸部202a，但不限于此。在此情形中，延伸部202a沿側(cè)壁104a和102a共平面地(conformally)延伸至底部保護層500，從而完全地覆蓋側(cè)壁104a及102a。另外，延伸部202a的寬度A大約介于0.1mm(毫米)～10mm之間。

在本實施例中，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10進一步包括：第二RDL結(jié)構(gòu)204，設(shè)置在第二半導(dǎo)體晶粒200的第二表面200b上并且在第二模塑料202上橫向延伸。在一些實施例中，第二RDL結(jié)構(gòu)204，也稱為扇出結(jié)構(gòu)，具有與該第二模塑料202的對應(yīng)的側(cè)壁202b大致垂直對齊的側(cè)壁204a，但是該側(cè)壁204a不垂直對齊第一RDL結(jié)構(gòu)104的側(cè)壁104a。例如，第二RDL結(jié)構(gòu)204橫向延伸至第一RDL結(jié)構(gòu)104之外。在本實施例中，第二RDL結(jié)構(gòu)204通過導(dǎo)電墊211連接至第二半導(dǎo)體晶粒200。在本實施例中，第二RDL結(jié)構(gòu)204類似于第一RDL結(jié)構(gòu)104并且包括：一條或多條設(shè)置在IMD層中的導(dǎo)電線路。導(dǎo)電線路電性耦接至第二半導(dǎo)體晶粒200的導(dǎo)電墊211。另外，導(dǎo)電線路電性耦接至第二模塑料202中的通孔206，使得通孔206電性耦接在第一RDL結(jié)構(gòu)104與第二RDL結(jié)構(gòu)204之間。

在本實施例中，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10進一步包括：導(dǎo)電結(jié)構(gòu)400，設(shè)置在第二RDL結(jié)構(gòu)204上并且電性耦接至第二RDL結(jié)構(gòu)204。在一些實施例中，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)400可以包括：銅或者焊料凸塊。可選地，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)400包括：導(dǎo)電球、導(dǎo)電柱或者導(dǎo)電膏結(jié)構(gòu)。

根據(jù)前述實施例，由于充當(dāng)側(cè)壁保護的保護層覆蓋相鄰的堆疊的半導(dǎo)體晶粒之間的RDL結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，因此可以防止由于防潮性差導(dǎo)致的對該RDL結(jié)構(gòu)的損傷。另外，由于用于側(cè)壁保護的保護層為設(shè)置在被保護的RDL結(jié)構(gòu)上的模塑料的延伸部，因此沒有必要執(zhí)行額外的用于形成保護層的工藝，并且可以防止半導(dǎo)體晶粒與RDL結(jié)構(gòu)之間或者模塑料與RDL結(jié)構(gòu)之間的脫層。如此，可以增加半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的可靠性、良品率及生產(chǎn)量。

圖2為根據(jù)本發(fā)明一些實施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)20的橫截面示意圖。以下描述的該實施例的元件，有相同或者類似于參考圖1已描述了的元件的，出于簡潔而省略。在本實施例中，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)20類似于圖1所示的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10。相比于半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)20進一步包括：設(shè)置在第二RDL結(jié)構(gòu)204上的第三半導(dǎo)體晶粒300。在本實施例中，第三半導(dǎo)體晶粒300具有第一表面300a與相對于該第一表面300a的第二表面300b。另外，第三半導(dǎo)體晶粒300可以包括：導(dǎo)電墊311，電性連接至第三半導(dǎo)體晶粒300的電路(未示出)。在一些實施例中，第三半導(dǎo)體晶粒300可以包括：邏輯晶粒(包括：CPU、GPU、或者存儲控制器)、調(diào)制解調(diào)器芯片、或者被動元件。在本實施例中，第三半導(dǎo)體晶粒300的第一表面300a經(jīng)由黏合層303(諸如DAF)附著至第二RDL結(jié)構(gòu)204上。黏合層303包括相同或者類似黏合層103的材料。類似地，黏合層303具有與第三半導(dǎo)體晶粒300的側(cè)壁大致對齊的側(cè)壁，使得黏合層303與第三半導(dǎo)體晶粒300具有大致相同的寬度，如圖2所示。

相比于半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10，在本實施例中，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)20進一步包括：第三模塑料302，圍繞該第三半導(dǎo)體晶粒300。第三半導(dǎo)體晶粒300的第一和第二表面300a、300b自該第三模塑料302露出。在一些實施例中，第三模塑料302由相同或者類似于第一模塑料102或第二模塑料202的材料形成。在一些實施例中，第三模塑料302包括：一個或多個通孔306(有時稱為TPV或TIV)，穿過該第三模塑料302并且通過第二RDL結(jié)構(gòu)204中的導(dǎo)電線路電性耦接至第二RDL結(jié)構(gòu)204。在一些實施例中，通孔306可以圍繞第三半導(dǎo)體晶粒300。另外，通孔306可以由銅形成。

相比于半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10，在本實施例中，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)20進一步包括：第二保護層，覆蓋第二RDL結(jié)構(gòu)204的側(cè)壁204a、第二模塑料202的側(cè)壁202b及充當(dāng)另一側(cè)壁保護的第一保護層(即第二模塑料202的延伸部202a)的側(cè)壁202c。例如，第二保護層可以為第三模塑料302的延伸部302a。在此情形中，延伸部302a沿側(cè)壁204a、202b及202c共平面地延伸至底部保護層500，從而完全地覆蓋側(cè)壁204a、202b及202c。另外，延伸部302a的寬度B大約介于0.1mm～10mm之間。

相比于半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10，在本實施例中，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)20進一步包括：第三RDL結(jié)構(gòu)304，設(shè)置在第三半導(dǎo)體晶粒300的第二表面300b上并且在第三模塑料302上橫向地延伸。在一些實施例中，第三RDL結(jié)構(gòu)304，也稱為扇出結(jié)構(gòu)，具有與第三模塑料302的側(cè)壁302b大致對齊的側(cè)壁304a，但是該側(cè)壁304a不垂直對齊第二RDL結(jié)構(gòu)204的側(cè)壁204a或者第一RDL結(jié)構(gòu)104的側(cè)壁104a。例如，第三RDL結(jié)構(gòu)304橫向延伸至第二RDL結(jié)構(gòu)204之外，并且第二RDL結(jié)構(gòu)204橫向延伸至第一RDL結(jié)構(gòu)104之外。在本實施例中，第三RDL結(jié)構(gòu)304通過導(dǎo)電墊311連接至第三半導(dǎo)體晶粒300。在本實施例中，第三RDL結(jié)構(gòu)304類似于第一RDL結(jié)構(gòu)104或者第二RDL結(jié)構(gòu)204，并且包括：一條或者多條設(shè)置在IMD層中的導(dǎo)電線路。導(dǎo)電線路電性耦接至第三半導(dǎo)體晶粒300的導(dǎo)電墊311。另外，導(dǎo)電線路電性耦接至第三模塑料302中的通孔306，使得通孔306電性耦接在第二RDL結(jié)構(gòu)204與第三RDL結(jié)構(gòu)304之間。

在本實施例中，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)20中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(如凸塊)400設(shè)置在第三RDL結(jié)構(gòu)304上并且電性耦接至第三RDL結(jié)構(gòu)304。

根據(jù)前述實施例，由于充當(dāng)側(cè)壁保護的兩個保護層覆蓋相鄰的堆疊的半導(dǎo)體晶粒之間的RDL結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，因此可以防止由于防潮性差而導(dǎo)致的對RDL結(jié)構(gòu)的損傷。另外，由于用于側(cè)壁保護的保護層為對應(yīng)的模塑料的延伸部，因此沒有必要執(zhí)行額外的用于形成這些保護層的工藝，并且可以防止半導(dǎo)體晶粒與其上覆蓋的RDL結(jié)構(gòu)之間或者模塑料與其上覆蓋的RDL結(jié)構(gòu)之間的脫層。如此，可以增加半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的可靠性、良品率及生產(chǎn)量。

圖3為根據(jù)本發(fā)明一些實施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)30的橫截面示意圖。以下描述的該實施例的元件，有相同或者類似于參考圖1及圖2已描述了的元件的，出于簡潔而省略。在本實施例中，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)30類似于圖2所示的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)20。不同于半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)20，在本實施例中，充當(dāng)側(cè)壁保護的第一保護層覆蓋第二RDL結(jié)構(gòu)202的側(cè)壁204a，第二模塑料202的側(cè)壁202b，第一RDL結(jié)構(gòu)104的側(cè)壁104a及第一模塑料102的側(cè)壁102a。例如，第一保護層為第三模塑料302的延伸部302a’。在此情形中，延伸部302a’沿側(cè)壁204a、202b、104a及102a延伸至底部保護層500，從而完整地覆蓋側(cè)壁204a，202b，104a及102a。在一些實施例中，第三RDL結(jié)構(gòu)304的側(cè)壁304a不與第二RDL結(jié)構(gòu)204的側(cè)壁204a或者第一RDL結(jié)構(gòu)104的側(cè)壁104a垂直對齊。例如，第三RDL結(jié)構(gòu)304與第一RDL結(jié)構(gòu)104分別橫向延伸至第二RDL結(jié)構(gòu)204之外。另外，第三RDL結(jié)構(gòu)304橫向延伸至第一RDL結(jié)構(gòu)104之外。

根據(jù)前述實施例，由于充當(dāng)側(cè)壁保護的保護層覆蓋相鄰的堆疊的半導(dǎo)體晶粒之間的RDL結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，因此可以防止由于防潮性差而導(dǎo)致的對RDL結(jié)構(gòu)的損傷。另外，由于用于側(cè)壁保護的保護層為最上面的模塑料的延伸部，因此沒有必要執(zhí)行任意額外的用于形成保護層的工藝，并且可以防止半導(dǎo)體晶粒與其上覆蓋的RDL結(jié)構(gòu)之間或者模塑料與其上覆蓋的RDL結(jié)構(gòu)之間的脫層。如此，可以增加半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的可靠性、良品率及生產(chǎn)量。

圖4為根據(jù)本發(fā)明一些實施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)40的橫截面示意圖。以下描述的該實施例的元件，有相同或者類似于參考圖1及圖2已描述了的元件的，出于簡潔而省略。在本實施例中，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)40類似于圖2所示的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)20。不同于半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)20，在本實施例中，第二保護層僅覆蓋第二RDL結(jié)構(gòu)204的側(cè)壁204a并且設(shè)置在第二模塑料202上，使得第二模塑料202的側(cè)壁202b與第二模塑料202的延伸部202a的側(cè)壁202c自第二保護層露出。例如，第二保護層為第三模塑料302的延伸部302a”。在此情形中，延伸部302a”沿側(cè)壁204a延伸至第二模塑料202，從而完整地覆蓋側(cè)壁204a。在一些實施例中，第三模塑料302的側(cè)壁302b與第二模塑料202的側(cè)壁202b不垂直對齊，如圖4所示?？蛇x地，第三模塑料302的側(cè)壁302b與第二模塑料202的側(cè)壁202b可以大致垂直對齊。在一些實施例中，第三RDL結(jié)構(gòu)304的側(cè)壁304a與第二RDL結(jié)構(gòu)204的側(cè)壁204a或者第一RDL結(jié)構(gòu)104的側(cè)壁104a不垂直對齊。例如，第三RDL結(jié)構(gòu)304與第一RDL結(jié)構(gòu)104分別橫向延伸至第二RDL結(jié)構(gòu)204之外。另外，第三RDL結(jié)構(gòu)304可以橫向延伸至第一RDL結(jié)構(gòu)104之外或者不橫向延伸至第一RDL結(jié)構(gòu)104之外。

根據(jù)前述實施例，由于充當(dāng)側(cè)壁保護的不同的保護層覆蓋相鄰的堆疊的半導(dǎo)體晶粒之間的RDL結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，因此可以防止由于防潮性差而導(dǎo)致的對RDL結(jié)構(gòu)的損傷。另外，由于用于側(cè)壁保護的保護層為對應(yīng)的模塑料的延伸部，因此沒有必要執(zhí)行任意額外的用于形成保護層的工藝，并且可以防止半導(dǎo)體晶粒與其上覆蓋的RDL結(jié)構(gòu)之間或者模塑料與其上覆蓋的RDL結(jié)構(gòu)之間的脫層。如此，可以增加半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的可靠性、良品率及生產(chǎn)量。

圖5為根據(jù)本發(fā)明一些實施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)50的橫截面示意圖。以下描述的該實施例的元件，有相同或者類似于參考圖1已描述了的元件的，出于簡潔而省略。在本實施例中，除了第一半導(dǎo)體晶粒100’與第一保護層之外，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)50類似于圖1所示的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10。在本實施例中，第一半導(dǎo)體晶粒100’具有第一表面100a’與相對于該第一表面100a’的第二表面100b’，并且第一半導(dǎo)體晶粒100’具有不同于第二半導(dǎo)體晶粒200的尺寸。例如，第二半導(dǎo)體晶粒200的尺寸小于第一半導(dǎo)體晶粒100’的尺寸。在此情形中，第一半導(dǎo)體晶粒100’可以充當(dāng)?shù)诙雽?dǎo)體晶粒200的載體基底。相應(yīng)地，設(shè)置在第一半導(dǎo)體晶粒100’上的第一RDL結(jié)構(gòu)104不充當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體晶粒100’的扇出層。

在本實施例中，第一保護層覆蓋第一RDL結(jié)構(gòu)104的側(cè)壁104a并且填充第一半導(dǎo)體晶粒100’的邊緣處形成的開口101’，以便于覆蓋開口101’的側(cè)壁100c’。例如，第一保護層為第二模塑料202的延伸部202a。在此情形中，延伸部202a完全覆蓋第一RDL結(jié)構(gòu)104的側(cè)壁104a并且部分地露出第一半導(dǎo)體晶粒100’的側(cè)壁100d’。在本實施例中，底部保護層500經(jīng)由黏合層103’設(shè)置在第一半導(dǎo)體晶粒100’的第一表面100a’上，該黏合層500有時稱為DAF并且用于在半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)50的制造期間，使第一半導(dǎo)體晶粒100’附著至載體(未示出)上。類似地，黏合層103’具有與第一半導(dǎo)體晶粒100’的底部的側(cè)壁以及底部保護層500的側(cè)壁大致對齊的側(cè)壁，使得黏合層103’和底部保護層500具有大致相同的寬度，如圖5所示。

圖6為根據(jù)本發(fā)明一些實施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)60的橫截面示意圖。以下描述的該實施例的元件，有相同或者類似于參考圖1及圖5已描述了的元件的，出于簡潔而省略。在本實施例中，除了第一保護層之外，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)60類似于圖5所示的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)50。在本實施例中，第一保護層覆蓋第一RDL結(jié)構(gòu)104的側(cè)壁104a及第一半導(dǎo)體晶粒100’的側(cè)壁100d’。第一保護層充當(dāng)側(cè)壁保護。例如，第一保護層為第二模塑料202的延伸部202a。在此情形中，延伸部202a完全地覆蓋側(cè)壁104a與100d’。

根據(jù)前述實施例，由于第一半導(dǎo)體晶?？梢猿洚?dāng)其上覆蓋的第二半導(dǎo)體晶粒的載體基底，因此沒有必要形成圍繞第一半導(dǎo)體晶粒的用于支撐其上覆蓋的第一RDL結(jié)構(gòu)的模塑料。如此，可以降低制造成本以及簡化半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的工藝。

類似地，由于充當(dāng)側(cè)壁保護的保護層覆蓋相鄰的堆疊的半導(dǎo)體晶粒之間的RDL結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，因此可以防止由于防潮性差而導(dǎo)致的對RDL結(jié)構(gòu)的損傷。另外，由于用于側(cè)壁保護的保護層為設(shè)置在被保護的RDL結(jié)構(gòu)上的模塑料的延伸部，因此沒有必要執(zhí)行任何額外的用于形成保護層的工藝，并且可以防止半導(dǎo)體晶粒與RDL結(jié)構(gòu)之間或者模塑料與RDL結(jié)構(gòu)之間的脫層。如此，可以增加半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的可靠性、良品率及生產(chǎn)量。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。