1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
第一半導(dǎo)體晶粒，具有第一表面及相對(duì)于該第一表面的第二表面；
第一模塑料，圍繞該第一半導(dǎo)體晶粒；
第一重分布層結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第一半導(dǎo)體晶粒的該第二表面上并且在該第一模塑料上橫向延伸；以及
第一保護(hù)層，覆蓋該第一重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一保護(hù)層為模塑料。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包括：
第二半導(dǎo)體晶粒，設(shè)置在該第一重分布層結(jié)構(gòu)上并且具有第三表面與相對(duì)于該第三表面的第四表面，其中該第一重分布層結(jié)構(gòu)位于該第一半導(dǎo)體晶粒與該第二半導(dǎo)體晶粒之間；以及
第二模塑料，圍繞該第二半導(dǎo)體晶粒。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一保護(hù)層為該第二模塑料的延伸部，并且該第一保護(hù)層還覆蓋該第一模塑料的側(cè)壁。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包括：第二重分布層結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第二半導(dǎo)體晶粒的該第四表面上并且在該第二模塑料上橫向延伸。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二重分布層的側(cè)壁與該第一重分布層的側(cè)壁未垂直對(duì)齊。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包括：
多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第二重分布層結(jié)構(gòu)上并且電性耦接至該第二重分布層結(jié)構(gòu)；以及
多個(gè)通孔，穿過(guò)該第二模塑料并且電性耦接在該第一重分布層結(jié)構(gòu)與該第二重分布層結(jié)構(gòu)之間。
8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包括：
第三半導(dǎo)體晶粒，設(shè)置在該第二重分布層結(jié)構(gòu)上并且具有第五表面與相對(duì)于該第五表面的第六表面；以及
第三模塑料，圍繞該第三半導(dǎo)體晶粒。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一保護(hù)層還覆蓋該第二重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一保護(hù)層為該第三模塑料的延伸部，并且該第一保護(hù)層還覆蓋該第二模塑料的側(cè)壁。
11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包括：第二保護(hù)層，覆蓋該第二重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁、該第二模塑料的側(cè)壁以及該第一保護(hù)層的側(cè)壁。
12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包括：第三重分布層結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第三半導(dǎo)體晶粒的該第六表面上并且在該第三模塑料上橫向延伸。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三重分布層的側(cè)壁與該第一重分布層的側(cè)壁及該第二重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁未垂直對(duì)齊。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包括：
多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第三重分布層結(jié)構(gòu)上并且電性耦接至該第三重分布層結(jié)構(gòu)；以及
多個(gè)通孔，穿過(guò)該第三模塑料并且電性耦接在該第二重分布層結(jié)構(gòu)與該第三重分布層結(jié)構(gòu)之間。
15.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包括：第二保護(hù)層，覆蓋該第二重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁并且設(shè)置在該第二模塑料上。
16.如權(quán)利要求11或15所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一保護(hù)層為該第二模塑料的延伸部，且該第二保護(hù)層為該第三模塑料的延伸部。
17.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包括：背面膜，設(shè)置在該第一半導(dǎo)體晶粒的該第一表面上。
18.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
第一半導(dǎo)體晶粒，具有第一表面與相對(duì)于該第一表面的第二表面；
第一重分布層結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第一半導(dǎo)體晶粒的該第二表面上；
第二半導(dǎo)體晶粒，設(shè)置在該第一重分布結(jié)構(gòu)上并且具有第三表面與相對(duì)于該第三表面的第四表面，其中該第二半導(dǎo)體晶粒的尺寸小于該第一半導(dǎo)體晶粒的尺寸，該第一重分布層結(jié)構(gòu)的部分自該第二半導(dǎo)體晶粒露出；以及
模塑料，設(shè)置在該第一重分布層結(jié)構(gòu)的露出的部分上，并且圍繞該第二半導(dǎo)體晶粒，其中該模塑料具有覆蓋第一重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的延伸部。
19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該模塑料的該延伸部覆蓋該第一半導(dǎo)體晶粒的側(cè)壁的部分或者全部。
20.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包括：第二重分布層結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第二半導(dǎo)體晶粒的該第二表面上并且在該模塑料上橫向延伸。
21.如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與該第一重分布層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不垂直對(duì)齊。
22.如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包括：
多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第二重分布層結(jié)構(gòu)上并且電性耦接至該第二重分布層結(jié)構(gòu)；以及
多個(gè)通孔，穿過(guò)該第二模塑料并且電性耦接在該第一重分布層結(jié)構(gòu)與該第二重分布層結(jié)構(gòu)之間。
23.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包括：背面膜，設(shè)置在該第一半導(dǎo)體晶粒的該第一表面上。