本發(fā)明涉及一種液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種陣列基板的結(jié)構(gòu)及其制作方法、液晶顯示面板。

背景技術(shù)：

在TFT-LCD制造領(lǐng)域，通過減少Mask數(shù)目和光刻工藝次數(shù)，以達(dá)到降低制造成本和提高設(shè)備生產(chǎn)力的目的，始終是一種趨勢。TFT-LCD制造工藝從最初的7-Mask制作流程，發(fā)展到現(xiàn)在各LCD制造商量產(chǎn)使用的5-Mask和4-Mask生產(chǎn)技術(shù)，而且目前已經(jīng)開發(fā)出3-Mask工藝技術(shù)。

現(xiàn)有的3-Mask技術(shù)，利用半導(dǎo)體集成電路中的光刻膠剝離(Lift-off)工藝完成透明像素電極圖案的定義。請參閱圖1a，首先通過第一掩膜版(Mask)光刻出柵極線層11(M1)，通過第二掩膜版光刻出絕緣層(圖未編號)和數(shù)據(jù)線層14(M2)；再在數(shù)據(jù)線層14上形成鈍化層15；然后使用第三掩膜版在鈍化層15上蝕刻光刻膠層16；透過光刻膠過孔在鈍化層15上形成過孔17；然后在光刻膠層16及其他區(qū)域上形成一層透明導(dǎo)電層18；請參閱圖1b，最后剝離光刻膠層16及其上沉積的透明導(dǎo)電層18，形成特定的TFT結(jié)構(gòu)。

盡管上述3個掩膜版完成陣列基板的制作相對于4個掩膜版和5個掩膜版完成的陣列基板制作工藝簡單，但其制作工藝和最終的結(jié)構(gòu)仍舊比較復(fù)雜。因此，亟需改進(jìn)陣列基板的結(jié)構(gòu)和制作方法以提高生產(chǎn)效率。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種簡化生產(chǎn)工序、提高生產(chǎn)效率的陣列基板的制作方法，且通過該方法生產(chǎn)出的陣列結(jié)構(gòu)簡單。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種上述生產(chǎn)方法生產(chǎn)出的陣列基板。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種上述陣列基板的液晶顯示面板。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施方式提供如下技術(shù)方案：

本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法，包括如下步驟：

在基板上依次制作第一金屬層、絕緣層、有源層和第二金屬層；

在所述基板上制作透明導(dǎo)電薄膜，所述透明導(dǎo)電薄膜覆蓋所述第二金屬層；

在所述透明導(dǎo)電薄膜上涂覆第三光刻膠，在所述第三光刻膠上遮蓋第三掩膜版，以在所述第三光刻膠上光刻出圖案，其中，所述第二金屬層在所述第三光刻膠上的投影包含于所述圖案；

對所述透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行刻蝕，以形成透明電極層，其中，所述透明電極層覆蓋所述第二金屬層。

其中，所述透明電極層完全覆蓋所述第二金屬層。

其中，所述在基板上依次制作第一金屬層、絕緣層、有源層和第二金屬層步驟中包括：在所述基板上濺射第一金屬薄膜層；在所述第一金屬薄膜層上涂覆第一光刻膠；在所述第一光刻膠上遮蓋第一掩膜版，以在所述第一光刻膠上光刻出圖案；對所述第一金屬薄膜層進(jìn)行刻蝕，以形成所述第一金屬層。

其中，所述在基板上依次制作第一金屬層、絕緣層、有源層和第二金屬層步驟中包括：在所述有源層上濺射第二金屬薄膜層；在所述第二金屬薄膜層上涂覆第二光刻膠；在所述第二光刻膠上遮蓋第二掩膜版，以在所述第二光刻膠上光刻出圖案；對所述第二金屬薄膜層進(jìn)行刻蝕，以形成所述第二金屬層。

其中，所述在所述基板上制作透明電極層，所述透明電極層覆蓋所述第二金屬層步驟中，包括采用物理氣相沉積法在所述基板上形成所述透明導(dǎo)電薄膜。

其中，所述有源層包括依次層疊設(shè)置非晶硅層和摻雜層；所述在基板上依次制作第一金屬層、絕緣層、有源層和第二金屬層步驟中包括：在所述絕緣層上通過化學(xué)氣相沉積法依次形成非晶硅層和摻雜層。

本發(fā)明提供一種陣列基板，包括依次層疊設(shè)置于基板上的第一金屬層、絕緣層、有源層、第二金屬層和透明電極層，所述透明電極層直接覆蓋在所述第二金屬層上。

其中，所述透明電極層完全覆蓋所述第二金屬層。

其中，所述有源層包括依次層疊設(shè)置非晶硅層和摻雜層，所述摻雜層介于所述非晶硅層和所述第二金屬層之間。

本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，采用上述任意一項所述的陣列基板。

本發(fā)明實施例具有如下優(yōu)點或有益效果：

本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，在制作透明電極層時，使得透明電極層與所述第二金屬層直接接觸，省略了鈍化層的制作工序。同時透明電極層完全包覆所述第二金屬層能夠防止所述第二金屬層被氧化，起到了鈍化層的保護(hù)作用。本發(fā)明的制作方法降低了陣列基板的制作成本，簡化了陣列基板的制作工序，提升了生產(chǎn)效率。本發(fā)明的陣列基板和液晶顯示面板制造成本較低。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1a-圖1b是現(xiàn)有技術(shù)陣列基板制作方法示意圖。

圖2-圖3是本發(fā)明陣列基板制作方法示意圖。

圖4是圖2-圖3所示的制作方法制成的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

此外，以下各實施例的說明是參考附加的圖示，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明中所提到的方向用語，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“內(nèi)”、“外”、“側(cè)面”等，僅是參考附加圖式的方向，因此，使用的方向用語是為了更好、更清楚地說明及理解本發(fā)明，而不是指示或暗指所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸地連接，或者一體地連接；可以是機(jī)械連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

此外，在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。若本說明書中出現(xiàn)“工序”的用語，其不僅是指獨立的工序，在與其它工序無法明確區(qū)別時，只要能實現(xiàn)該工序所預(yù)期的作用則也包括在本用語中。另外，本說明書中用“～”表示的數(shù)值范圍是指將“～”前后記載的數(shù)值分別作為最小值及最大值包括在內(nèi)的范圍。在附圖中，結(jié)構(gòu)相似或相同的用相同的標(biāo)號表示。

本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法主要包括如下步驟：

S301：在基板上依次制作第一金屬層、絕緣層、有源層和第二金屬層。

請參閱圖2，具體的，所述基板20可以為透明的玻璃基板。先在所述基板20上濺射第一金屬薄膜層；優(yōu)選的，所述第一金屬薄膜層為Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al或Cu的單層膜，或Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al和Cu任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。然后，在所述第一金屬薄膜層上涂覆第一光刻膠并遮蓋第一掩膜版，以在所述第一光刻膠上光刻出圖案，所述第一金屬薄膜層露出于圖案間的間隙，并通過刻蝕液刻蝕第一金屬薄膜層刻蝕出所述第一金屬層21。

可以理解的是，所述第一光刻膠在形成所述第一金屬層21后需要去除。光刻膠的去除方法為現(xiàn)有技術(shù)，此處不再贅述。

可以理解的是，柵極線和柵電極由所述第一金屬層21形成。

接著在所述第一金屬層21上形成絕緣層22。優(yōu)選的，所述絕緣層22可采用通常使用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等材料。在所述絕緣層22上形成有源層23。具體的，形成有源層23的過程具體包括：通過化學(xué)氣相沉積法在所述絕緣層22上依次形成非晶硅層231和摻雜層232。所述摻雜層222可以包括銦鎵鋅氧化物(英文：indiumgalliumzincoxide，簡稱：IGZO)材料。也就是說，所述有源層23包括依次層疊設(shè)置的非晶硅層231和摻雜層232，所述非晶硅層231介于所述絕緣層22和所述摻雜層232之間。

在所述有源層23上濺射第二金屬薄膜層，在所述第二金屬薄膜層上涂覆第二光刻膠，將第二掩膜版遮蓋于所述第二光刻膠上，在所述第二光刻膠上形成圖案，所述第二金屬薄膜層露出與所述圖案的間隙，通過刻蝕液對所述第二金屬薄膜層進(jìn)行刻蝕，刻蝕出所述第二金屬層24(包括源極線(圖未示出)、源電極241和漏電極242)?？梢岳斫獾氖?，所述第二金屬薄膜層是Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al或Cu的單層膜，或Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al和Cu任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。

可以理解的是，所述第二光刻膠在形成所述第二金屬層24后需要去除。光刻膠的去除方法為現(xiàn)有技術(shù)，此處不再贅述。

可以理解的是，源極線、源電極241和漏電極242由所述第二金屬層24形成。

可以理解的是，在刻蝕液對所述第二金屬薄膜層進(jìn)行刻蝕過程中，還會對所述有源層23進(jìn)行刻蝕，使得所述有源層23上形成與所述第二金屬層24相似的圖案。

S302：在所述基板上制作透明導(dǎo)電薄膜，所述透明導(dǎo)電薄膜覆蓋所述第二金屬層。

請參閱圖3，具體的，所述透明導(dǎo)電薄膜251可以由氧化銦錫(ITO)、氧化錫(TO)、氧化銦錫鋅(ITZO)或者氧化銦鋅(IZO)形成。優(yōu)選的，采用物理氣相沉積法在所述基板上形成所述透明導(dǎo)電薄膜251。所述透明導(dǎo)電薄膜251覆蓋所述第二金屬層24。也就是說，所述透明導(dǎo)電薄膜251與所述第二金屬層24直接接觸。

S303：在所述透明導(dǎo)電薄膜251上涂覆第三光刻膠，在所述第三光刻膠上遮蓋第三掩膜版，以在所述第三光刻膠上光刻出圖案，其中，所述第二金屬層在所述第三光刻膠上的投影包含于所述圖案。

所述第三光刻膠上形成圖案后，所述透明導(dǎo)電薄膜251有部分會露出于所述第三光刻膠圖案上的間隙，以便接下來的步驟中對所述透明導(dǎo)電薄膜251進(jìn)行刻蝕。設(shè)置所述第二金屬層24在所述第三光刻膠上的投影包含于所述圖案，是為了保證第三光刻膠圖案下方的透明導(dǎo)電薄膜251刻蝕后形成的透明電極層25能夠?qū)⒌诙饘賹痈采w。

優(yōu)選的，所述第一掩膜版、所述第二掩膜版和所述第三掩膜版可以為半色調(diào)掩膜版或灰色調(diào)掩膜版。

S304：對所述透明導(dǎo)電薄膜251進(jìn)行刻蝕，以形成透明電極層，其中，所述透明電極層覆蓋所述第二金屬層。

請結(jié)合參閱圖4，具體的，刻蝕液經(jīng)光刻膠上圖案的間隙進(jìn)入透明導(dǎo)電薄膜251，對所述透明導(dǎo)電薄膜251進(jìn)行刻蝕，刻蝕出所述透明電極層25。由于第二金屬層24上方的透明導(dǎo)電薄膜251被第三光刻膠上的圖案所覆蓋，因此經(jīng)刻蝕液刻蝕出的所述透明電極層25能夠覆蓋在所述第二金屬層24上。

可以理解的是，所述第三掩膜板上部分圖案與所述第二掩膜板上的圖案相似。換而言之，所述第三掩膜版上與所述第二金屬層正對區(qū)域不透光。

可以理解的是，在形成所述透明電極層25后，需要去除所述第三光刻膠后，才能進(jìn)行后續(xù)工序，因其與發(fā)明點無關(guān)，此處不再贅述。

本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，在制作透明電極層時，使得透明電極層與所述第二金屬層直接接觸，省略了鈍化層的制作工序，本發(fā)明的制作方法降低了陣列基板的制作成本，簡化了陣列基板的制作工序，提升了生產(chǎn)效率。

優(yōu)選的，所述透明電極層25能夠完全覆蓋所述第二金屬層24。透明電極層25完全包覆所述第二金屬層24能夠防止所述第二金屬層24被氧化，起到了鈍化層的保護(hù)作用。

請繼續(xù)參閱圖4，本發(fā)明還提供一種陣列基板200，主要包括基板20、第一金屬層21、絕緣層22、有源層23、第二金屬層24和透明電極層25。所述第一金屬層21設(shè)置于所述基板20上；所述絕緣層21覆蓋在所述第一金屬層21上。所述有源層23設(shè)于所述絕緣層22之上。所述第二金屬層24形成于所述有源層23上。所述透明電極層25覆蓋所述第二金屬層24。

本發(fā)明的陣列基板中，透明電極層與所述第二金屬層直接接觸，省略了鈍化層的制作工序，節(jié)省了制造成本。

優(yōu)選的，所述透明電極層25完全覆蓋所述第二金屬層24。透明電極層完全包覆所述第二金屬層24能夠防止所述第二金屬層24被氧化，起到了鈍化層的保護(hù)作用，避免所述第二金屬層24被氧化。

優(yōu)選的，所述有源層23包括依次層疊設(shè)置的非晶硅層231和摻雜層232，所述摻雜層232介于所述非晶硅層231和所述第二金屬層24之間。

可以理解的是，源極線、源電極241和漏電極242由所述第二金屬層24形成。柵極線和柵電極由所述第一金屬層21形成。

本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，包括上述的陣列基板200。該液晶顯示面板可以應(yīng)用于包括但不限于為：電子紙、液晶電視、移動電話、數(shù)碼相框、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

以上所述的實施方式，并不構(gòu)成對該技術(shù)方案保護(hù)范圍的限定。任何在上述實施方式的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在該技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。