技術(shù)特征：

1.生長在鋁酸鎂鈧襯底上的InGaN/GaN量子阱，其特征在于，包括依次生長在鋁酸鎂鈧襯底上的第一GaN緩沖層、非晶態(tài)AlN插入層、第二GaN緩沖層、InGaN/GaN量子阱。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長在鋁酸鎂鈧襯底上的InGaN/GaN量子阱，其特征在于，所述鋁酸鎂鈧襯底以(0001)面偏(11-20)方向0.5～1°為外延面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長在鋁酸鎂鈧襯底上的InGaN/GaN量子阱，其特征在于，所述第一GaN緩沖層的厚度為250～400nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長在鋁酸鎂鈧襯底上的InGaN/GaN量子阱，其特征在于，所述非晶態(tài)AlN插入層的厚度為2～50nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長在鋁酸鎂鈧襯底上的InGaN/GaN量子阱，其特征在于，所述第二GaN緩沖層的厚度為250～400nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長在鋁酸鎂鈧襯底上的InGaN/GaN量子阱，其特征在于，所述InGaN/GaN量子阱為7～10個周期的InGaN阱層/GaN壘層，其中InGaN阱層的厚度為2～3nm；GaN壘層的厚度為10～13nm。

7.生長在鋁酸鎂鈧襯底上的InGaN/GaN量子阱的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)襯底以及其晶向的選?。翰捎娩X酸鎂鈧襯底，以(0001)面偏(11-20)面0.5～1°為外延面，晶體外延取向關(guān)系為：GaN的(0001)面平行于ScMgAlO₄襯底的(0001)面；

(2)襯底退火處理，所述退火的具體過程為：將襯底放入分子束外延真空生長室，在600～700℃下對ScMgAlO₄襯底進行退火處理1～2小時，獲得原子級平整的襯底表面；

(3)第一GaN緩沖層外延生長：襯底溫度調(diào)為450～550℃，采用脈沖激光沉積技術(shù)在反應室的壓力為1.0～4.0×10^-5Pa、激光能量密度為1.5～3.0J/cm²的條件下生長GaN緩沖層；

(4)非晶態(tài)AlN插入層的生長：襯底溫度調(diào)為室溫～200℃，在反應室的壓力為1.0～4.0×10^-5Pa、生長速度為0.4～0.6ML/s的條件下生長AlN插入層；

(5)第二GaN緩沖層外延生長：襯底溫度調(diào)為450～550℃，采用脈沖激光沉積技術(shù)在反應室的壓力為1.0～4.0×10^-5Pa、激光能量密度為1.5～3.0J/cm²的條件下生長GaN緩沖層；

(6)InGaN/GaN多量子阱的外延生長：采用分子束外延生長工藝，生長溫度為650～750℃，在反應室的壓力為1.0～2.0×10^-5Pa、生長速度為0.2～0.4ML/s條件下，在步驟(5)得到的第二GaN緩沖層上生長InGaN/GaN多量子阱。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的生長在鋁酸鎂鈧襯底上的InGaN/GaN量子阱的制備方法，其特征在于，所述第一GaN緩沖層的厚度為250～400nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的生長在鋁酸鎂鈧襯底上的InGaN/GaN量子阱的制備方法，其特征在于，所述第二GaN緩沖層的厚度為250～400nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的生長在鋁酸鎂鈧襯底上的InGaN/GaN量子阱的制備方法，其特征在于，所述InGaN/GaN量子阱為7～10個周期的InGaN阱層/GaN壘層，其中InGaN阱層的厚度為2～3nm；GaN壘層的厚度為10～13nm。