技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了生長在鋁酸鎂鈧襯底上的InGaN/GaN多量子阱，包括依次生長在鋁酸鎂鈧襯底上的第一GaN緩沖層、非晶態(tài)AlN插入層、第二GaN緩沖層、InGaN/GaN量子阱。本發(fā)明還公開了上述生長在鋁酸鎂鈧襯底上的InGaN/GaN多量子阱的制備方法。本發(fā)明具有生長工藝簡單，制備成本低廉的優(yōu)點，且制備的InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、結(jié)晶質(zhì)量好，發(fā)光性能優(yōu)良。

技術(shù)研發(fā)人員：李國強;王文樑;楊美娟;林云昊
受保護的技術(shù)使用者：華南理工大學(xué)
文檔號碼：201610757252
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.29
技術(shù)公布日：2016.12.07