1.一種半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片包括：
半導(dǎo)體器件層，包括焊盤區(qū)域和單元區(qū)域，半導(dǎo)體器件層包括位于焊盤區(qū)域中的多個(gè)硅通孔結(jié)構(gòu)；
多條最上布線，位于半導(dǎo)體器件層上，所述多條最上布線在單元區(qū)域中以相等的距離布置，所述多條最上布線具有相同的寬度并且沿一個(gè)方向平行延伸；
鈍化層，位于單元區(qū)域和焊盤區(qū)域中，鈍化層至少覆蓋單元區(qū)域中的所述多條最上布線的頂表面，鈍化層的位于單元區(qū)域中的頂表面具有波浪形狀；以及
多個(gè)熱凸起，位于鈍化層上，所述多個(gè)熱凸起與所述多條最上布線電絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片還包括：
多個(gè)焊盤，位于半導(dǎo)體器件層上，所述多個(gè)焊盤連接到位于焊盤區(qū)域中的所述多個(gè)硅通孔結(jié)構(gòu)；以及
多個(gè)信號(hào)凸起，位于所述多個(gè)焊盤上，所述多個(gè)信號(hào)凸起電連接到所述多個(gè)焊盤。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片，其中，
鈍化層還覆蓋位于焊盤區(qū)域中的所述多條最上布線的頂表面，并且包括暴露所述多個(gè)焊盤中的每個(gè)焊盤的頂表面的一部分的凸起孔，以及
所述多個(gè)信號(hào)凸起中的每個(gè)信號(hào)凸起通過(guò)凸起孔連接到所述多個(gè)焊盤中的相應(yīng)的一個(gè)焊盤。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述多個(gè)信號(hào)凸起中的每個(gè)信號(hào)凸起的上端和所述多個(gè)熱凸起中的每個(gè)熱凸起的上端具有同一水平面。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述多個(gè)信號(hào)凸起和所述多個(gè)熱凸起具有相同的水平寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片，其中，
所述多個(gè)信號(hào)凸起以第一節(jié)距布置，以及
所述多個(gè)熱凸起以比第一節(jié)距大的第二節(jié)距布置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述多條最上布線中的至少兩條鄰近的最上布線彼此電連接以用作一條布線。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述至少兩條鄰近的最上布線中的每條最上布線的至少一部分在所述多個(gè)熱凸起中的至少一個(gè)熱凸起的下面延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中，鈍化層的位于單元區(qū)域中的所述頂表面的臺(tái)階高度為100nm或更小。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體芯片，其中，位于單元區(qū)域中的所述多條最上布線中的每條最上布線的寬度為200nm至500nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述多個(gè)熱凸起中的每個(gè)熱凸起的底表面具有與鈍化層的所述頂表面對(duì)應(yīng)的波浪形狀。
12.一種制造半導(dǎo)體芯片的方法，所述方法包括：
制備包括焊盤區(qū)域和單元區(qū)域的半導(dǎo)體器件層，半導(dǎo)體器件層包括位于焊盤區(qū)域中的多個(gè)硅通孔結(jié)構(gòu)；
在半導(dǎo)體器件層上形成多條最上布線，使得所述多條最上布線在單元區(qū)域中以相等的距離布置，所述多條最上布線沿一個(gè)方向平行延伸并且具有相同的寬度；
在焊盤區(qū)域中形成多個(gè)焊盤，使得所述多個(gè)焊盤連接到位于焊盤區(qū)域中的所述多個(gè)硅通孔結(jié)構(gòu)；
形成鈍化層以覆蓋所述多個(gè)焊盤中的每個(gè)焊盤的頂表面的至少一部分和位于單元區(qū)域中的所述多條最上布線，鈍化層包括具有臺(tái)階高度的頂表面；
在鈍化層上形成掩模圖案，使得掩模圖案暴露所述多個(gè)焊盤中的每個(gè)焊盤的頂表面的所述至少一部分和鈍化層的一部分；以及
在由掩模圖案暴露的所述多個(gè)焊盤中的每個(gè)焊盤的頂表面的所述至少一部分和鈍化層的所述部分上形成柱層和初始焊料層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，所述方法還包括：
去除掩模圖案；以及
使初始焊料層回流以形成焊料層，
其中，焊料層提供位于焊盤區(qū)域中的信號(hào)凸起和位于單元區(qū)域中的熱凸起。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，信號(hào)凸起的上端和熱凸起的上端具有同一水平面。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，熱凸起通過(guò)鈍化層來(lái)與所述多條最上布線電絕緣。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，形成掩模圖案的步驟包括使鈍化層和所述多個(gè)焊盤中的每個(gè)焊盤的頂表面的所述至少一部分曝光，所述光的波長(zhǎng)是鈍化層的所述頂表面的臺(tái)階高度的至少四倍或更多倍。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，鈍化層的位于單元區(qū)域中的所述頂表面的臺(tái)階高度為100nm或更小。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，形成多條最上布線的步驟將所述多條最上布線中的每條最上布線形成為具有比鈍化層的所述頂表面的臺(tái)階高度大的厚度。
19.一種半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片包括焊盤區(qū)域和單元區(qū)域，所述半導(dǎo)體芯片包括：
多個(gè)硅通孔結(jié)構(gòu)，位于焊盤區(qū)域中；
多條最上布線，位于單元區(qū)域中，所述多條最上布線形成半導(dǎo)體芯片的電路構(gòu)造的一部分，所述多條最上布線中的鄰近的最上布線分隔開(kāi)相同的距離，所述多條最上布線中的每條最上布線具有相同的寬度，所述多條最上布線沿一個(gè)方向平行延伸；
鈍化層，位于單元區(qū)域和焊盤區(qū)域中，鈍化層至少覆蓋位于單元區(qū)域中的所述多條最上布線的頂表面，鈍化層的位于單元區(qū)域中的頂表面具有波浪形狀；以及
多個(gè)熱凸起，位于鈍化層上，所述多個(gè)熱凸起與所述多條最上布線電絕緣。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述多條最上布線不包括被設(shè)置為使多個(gè)焊盤中的至少一些焊盤在其他位置可用的重分配布線。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片還包括：
多個(gè)焊盤，位于焊盤區(qū)域中的半導(dǎo)體器件層上，所述多個(gè)焊盤連接到焊盤區(qū)域中的所述多個(gè)硅通孔結(jié)構(gòu)；以及
多個(gè)信號(hào)凸起，位于所述多個(gè)焊盤上，所述多個(gè)信號(hào)凸起電連接到所述多個(gè)焊盤。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述多個(gè)信號(hào)凸起中的每個(gè)信號(hào)凸起的上端和所述多個(gè)熱凸起中的每個(gè)熱凸起的上端具有同一水平面。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體芯片，其中，
鈍化層還覆蓋位于焊盤區(qū)域中的所述多條最上布線的頂表面，并且包括暴露多個(gè)焊盤中的每個(gè)焊盤的頂表面的一部分的凸起孔，以及
所述多個(gè)信號(hào)凸起中的每個(gè)信號(hào)凸起通過(guò)凸起孔連接到所述多個(gè)焊盤中的相應(yīng)的一個(gè)焊盤。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述多條最上布線中的至少兩條鄰近的最上布線彼此電連接以用作一條布線。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述至少兩條鄰近的最上布線中的每條最上布線的至少一部分在所述多個(gè)熱凸起中的至少一個(gè)熱凸起的下面延伸。