技術(shù)總結(jié)
提供了半導(dǎo)體芯片及其制造方法。可以提供一種半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片包括：半導(dǎo)體器件層，包括焊盤區(qū)域和單元區(qū)域；多條最上布線，形成在半導(dǎo)體器件層上并以相等的距離布置在單元區(qū)域中；鈍化層，形成在單元區(qū)域和焊盤區(qū)域中；多個(gè)熱凸起，設(shè)置在鈍化層上以與所述多條最上布線電絕緣。所述半導(dǎo)體器件層可以包括位于焊盤區(qū)域中的多個(gè)硅通孔(TSV)結(jié)構(gòu)。所述多條最上布線可以沿一個(gè)方向平行延伸并具有相同的寬度。所述鈍化層可以至少覆蓋單元區(qū)域中的所述多條最上布線的頂表面并包括具有波浪形狀的頂表面。

技術(shù)研發(fā)人員：徐善京;柳承官;趙汊濟(jì);趙泰濟(jì)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
文檔號碼：201610900692
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.17
技術(shù)公布日：2017.06.16