1.一種AlGaInP基發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在GaAs襯底上依次形成N型GaAs緩沖層、N型GaInP腐蝕停層、N型GaAs歐姆接觸層、N型AlGaInP電流擴(kuò)展層、N型AlInP限制層、有源層、P型AlInP限制層、P型GaP電流擴(kuò)展層、反射鏡層、粘結(jié)層；
通過所述粘結(jié)層將所述反射鏡層鍵合到基板上；
去除所述GaAs襯底、所述N型GaAs緩沖層、所述N型GaInP腐蝕停層；
在所述N型GaAs歐姆接觸層上形成N型擴(kuò)展電極，并去除所述N型GaAs歐姆接觸層中表面沒有形成所述N型擴(kuò)展電極的部分；
在所述N型AlGaInP電流擴(kuò)展層上依次沉積SiO2層和ITO薄膜；
使用鹽酸溶液對所述ITO薄膜進(jìn)行濕法腐蝕，形成ITO納米柱陣列；
利用所述ITO納米柱陣列作為掩膜刻蝕所述SiO2層，形成SiO2納米柱陣列；
利用所述SiO2納米柱陣列作為掩膜刻蝕所述N型AlGaInP電流擴(kuò)展層，在所述N型AlGaInP電流擴(kuò)展層表面形成納米柱陣列；
在所述N型AlGaInP電流擴(kuò)展層上形成透明導(dǎo)電膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述N型GaAs歐姆接觸層上形成N型擴(kuò)展電極，并去除所述N型GaAs歐姆接觸層中表面沒有形成所述N型擴(kuò)展電極的部分，包括：
在所述N型GaAs歐姆接觸層上旋涂第一層光刻膠；
采用光刻工藝去除所述N型擴(kuò)展電極所在區(qū)域的所述第一層光刻膠；
在所述第一層光刻膠和露出的所述N型GaAs歐姆接觸層上蒸鍍金屬層；
去除所述第一層光刻膠和沉積在所述第一層光刻膠上的所述金屬層，形成所述N型擴(kuò)展電極；
在所述N型擴(kuò)展電極和所述N型GaAs歐姆接觸層上旋涂第二層光刻膠；
采用光刻工藝去除所述N型擴(kuò)展電極以外區(qū)域的所述第二層光刻膠；
對露出的所述N型GaAs歐姆接觸層進(jìn)行刻蝕，去除所述N型GaAs歐姆接觸層中表面沒有形成所述N型擴(kuò)展電極的部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述N型AlGaInP電流擴(kuò)展層上依次沉積SiO2層和ITO薄膜，包括：
在所述第二層光刻膠和所述N型AlGaInP電流擴(kuò)展層上依次沉積SiO2層和ITO薄膜；
去除所述第二層光刻膠和沉積在所述第二層光刻膠上的SiO2層和ITO薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述利用所述ITO納米柱陣列作為掩膜刻蝕所述SiO2層，形成SiO2納米柱陣列，包括：
在所述ITO納米柱陣列的保護(hù)下，使用CHF3氣體、CF4氣體或者CF4和H2的混合氣體對所述SiO2層進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕，形成SiO2納米柱陣列。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述利用所述SiO2納米柱陣列作為掩膜刻蝕所述N型AlGaInP電流擴(kuò)展層，在所述N型AlGaInP電流擴(kuò)展層表面形成納米柱陣列，包括：
在所述SiO2納米柱陣列的保護(hù)下，使用HBr和Ar的混合氣體對所述N型AlGaInP電流擴(kuò)展層進(jìn)行感應(yīng)耦合等離子體刻蝕。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，在所述N型AlGaInP電流擴(kuò)展層上形成透明導(dǎo)電膜之前，所述制作方法還包括：
使用氫氧化鉀溶液或者氫氟酸溶液去除殘留的所述SiO2納米柱陣列。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述在所述N型AlGaInP電流擴(kuò)展層上形成透明導(dǎo)電膜，包括：
使用低速旋涂法在所述N型AlGaInP電流擴(kuò)展層上形成透明導(dǎo)電膜。
8.一種AlGaInP基發(fā)光二極管芯片，所述AlGaInP基發(fā)光二極管芯片包括基板、以及依次層疊在所述基板上的粘結(jié)層、反射鏡層、P型GaP電流擴(kuò)展層、P型AlInP限制層、有源層、N型AlInP限制層、N型AlGaInP電流擴(kuò)展層，N型擴(kuò)展電極通過N型GaAs歐姆接觸層設(shè)置在所述N型AlGaInP電流擴(kuò)展層上，其特征在于，透明導(dǎo)電膜鋪設(shè)在所述N型AlGaInP電流擴(kuò)展層上，所述N型AlGaInP電流擴(kuò)展層與所述透明導(dǎo)電膜接觸的表面為納米柱陣列。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的AlGaInP基發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述納米柱陣列包括若干納米柱，所述納米柱的直徑為100～300nm，所述納米柱的高度為300～500nm，相鄰兩個(gè)所述納米柱的間距為1～2μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的AlGaInP基發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜為Ag納米線。