技術總結
本發(fā)明公開了一種AlGaInP基發(fā)光二極管芯片及其制作方法，屬于半導體技術領域。所述制作方法包括：在襯底上依次形成N型緩沖層、N型腐蝕停層、N型歐姆接觸層、N型電流擴展層、N型限制層、有源層、P型限制層、P型電流擴展層、反射鏡層、粘結層；通過粘結層鍵合到基板上；去除襯底、N型緩沖層、N型腐蝕停層；形成N型擴展電極，并去除多余的N型歐姆接觸層；依次沉積SiO2層和ITO薄膜；使用鹽酸溶液對ITO薄膜進行濕法腐蝕，形成ITO納米柱陣列；利用ITO納米柱陣列形成SiO2納米柱陣列；利用SiO2納米柱陣列在N型電流擴展層表面形成納米柱陣列；形成透明導電膜。本發(fā)明提高了光提取效率和均勻性。

技術研發(fā)人員：范文超
受保護的技術使用者：華燦光電（浙江）有限公司
文檔號碼：201610969733
技術研發(fā)日：2016.10.28
技術公布日：2017.02.15