本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種埋藏型金屬柵格生成方法及圖像傳感器制造方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有圖像傳感器的像素陣列區(qū)的埋藏型金屬柵格的生成方法為：采用光刻完全去除半導(dǎo)體基底的像素陣列區(qū)的待生成金屬柵格區(qū)基底層，然后在半導(dǎo)體基底上沉積金屬層，最后對(duì)金屬層進(jìn)行光刻，以在像素陣列區(qū)形成金屬柵格。

但是，由于光刻完全去除半導(dǎo)體基底的像素陣列區(qū)的待生成金屬柵格區(qū)基底層后，半導(dǎo)體基底的像素陣列區(qū)和非像素陣列區(qū)存在高度差，其易導(dǎo)致對(duì)金屬層進(jìn)行光刻過(guò)程中，抗反射層和光阻層的涂覆不均勻，進(jìn)一步影響光刻效果，降低生成的金屬柵格的精度，導(dǎo)致圖像傳感器色彩失真。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明目的是提供一種埋藏型金屬柵格生成方法及圖像傳感器制造方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題。

本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下：

一種埋藏型金屬柵格生成方法，包括如下步驟：

步驟1，對(duì)半導(dǎo)體基底上部待生成金屬柵格區(qū)進(jìn)行光刻，以在所述待生成金屬柵格區(qū)形成基底層材質(zhì)柵格；

步驟2，在所述基底層材質(zhì)柵格的側(cè)壁生成金屬膜層，以生成金屬柵格。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明金屬膜層的金屬柵格與現(xiàn)有技術(shù)中的實(shí)心金屬柵格在擋光性上具有完全相同的等效性；與現(xiàn)有技術(shù)相比，其只需進(jìn)行一次光刻，且無(wú)需生成金屬層，有效簡(jiǎn)化制程流程，降低制程成本；且對(duì)半導(dǎo)體基底上部待生成金屬柵格區(qū)進(jìn)行光刻時(shí)，可直接在平坦化的半導(dǎo)體基底的上表面進(jìn)行抗反射層和光阻層的涂覆，提高涂覆均勻性，進(jìn)一步提高光刻效果，提高生成的金屬柵格的精度。

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。

進(jìn)一步，所述步驟2包括如下步驟：

步驟21，在光刻后的半導(dǎo)體基底的上表面使用汽相沉積工藝生成金屬膜層；

步驟22，將具有所述金屬膜層的半導(dǎo)體基底的上表面暴露于蝕刻劑下，以去除所述基底層材質(zhì)柵格的側(cè)壁以外的其它部位處的所述金屬膜層，保留所述基底層材質(zhì)柵格的側(cè)壁處的所述金屬膜層，以生成金屬柵格。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是，有效利用汽相沉積工藝中，側(cè)壁處沉積厚度大于水平面處沉積厚度，以及蝕刻工藝中側(cè)壁處和水平面處蝕刻速度一樣的原理，在基底層材質(zhì)柵格的側(cè)壁生成金屬膜層，工藝簡(jiǎn)單，且金屬膜層均勻性好。

進(jìn)一步，所述汽相沉積工藝為化學(xué)汽相沉積或物理汽相沉積。

進(jìn)一步，所述金屬膜層的材質(zhì)為氮化鈦、氮化鉭或鎢。

進(jìn)一步，所述蝕刻劑為干蝕刻劑或濕蝕刻劑。

進(jìn)一步，所述干蝕刻劑為氧、氮、氫、氬和氟類(lèi)中的一種或多種的蝕刻化學(xué)物；所述濕蝕刻劑為氟氫酸。

本發(fā)明的另一技術(shù)方案如下：

一種圖像傳感器制造方法，采用上述一種埋藏型金屬柵格生成方法，在圖像傳感器的像素陣列區(qū)生成埋藏型金屬柵格。

本發(fā)明的有益效果是：有效簡(jiǎn)化制程流程，降低制程成本，提高生成的金屬柵格的精度，進(jìn)一步提高圖像傳感器的色彩還原性。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一種埋藏型金屬柵格生成方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明一種埋藏型金屬柵格生成方法中待生成金屬柵格區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明一種埋藏型金屬柵格生成方法中基底層材質(zhì)柵格結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明一種埋藏型金屬柵格生成方法中金屬柵格結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明一種埋藏型金屬柵格生成方法中汽相沉積工藝生成金屬膜層結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下：

1、半導(dǎo)體基底，11、待生成金屬柵格區(qū)，111、基底層材質(zhì)柵格，112、金屬膜層，2、金屬柵格。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。

如圖1所示，為本發(fā)明實(shí)施例1所述一種埋藏型金屬柵格生成方法，包括如下步驟：

步驟1，對(duì)半導(dǎo)體基底1上部待生成金屬柵格區(qū)11進(jìn)行光刻，以在所述待生成金屬柵格區(qū)11形成基底層材質(zhì)柵格111，如圖2和圖3所示；

步驟2，在所述基底層材質(zhì)柵格111的側(cè)壁生成金屬膜層112，以生成金屬柵格2，如圖4所示。

本發(fā)明實(shí)施例2所述一種埋藏型金屬柵格生成方法，在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，所述步驟2包括如下步驟：

步驟21，在光刻后的半導(dǎo)體基底1的上表面使用汽相沉積工藝生成金屬膜層112，如圖5所示；

步驟22，將具有所述金屬膜層112的半導(dǎo)體基底1的上表面暴露于蝕刻劑下，以去除所述基底層材質(zhì)柵格111的側(cè)壁以外的其它部位處的所述金屬膜層112，保留所述基底層材質(zhì)柵格111的側(cè)壁處的所述金屬膜層112，以生成金屬柵格2。

本發(fā)明實(shí)施例3所述一種埋藏型金屬柵格生成方法，在實(shí)施例2的基礎(chǔ)上，所述汽相沉積工藝為化學(xué)汽相沉積或物理汽相沉積。

本發(fā)明實(shí)施例4所述一種埋藏型金屬柵格生成方法，在實(shí)施例2或3的基礎(chǔ)上，所述金屬膜層112的材質(zhì)為氮化鈦、氮化鉭或鎢。

本發(fā)明實(shí)施例5所述一種埋藏型金屬柵格生成方法，在實(shí)施例2至4任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，所述蝕刻劑為干蝕刻劑或濕蝕刻劑。

本發(fā)明實(shí)施例6所述一種埋藏型金屬柵格生成方法，在實(shí)施例5的基礎(chǔ)上，所述干蝕刻劑為氧、氮、氫、氬和氟類(lèi)中的一種或多種的蝕刻化學(xué)物；所述濕蝕刻劑為氟氫酸。

本發(fā)明實(shí)施例7所述一種圖像傳感器制造方法，采用實(shí)施例1至6任一所述一種埋藏型金屬柵格生成方法，在圖像傳感器的像素陣列區(qū)生成埋藏型金屬柵格。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。