1.一種埋藏型金屬柵格生成方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1，對半導(dǎo)體基底上部待生成金屬柵格區(qū)進行光刻，以在所述待生成金屬柵格區(qū)形成基底層材質(zhì)柵格；
步驟2，在所述基底層材質(zhì)柵格的側(cè)壁生成金屬膜層，以生成金屬柵格。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種埋藏型金屬柵格生成方法，其特征在于，所述步驟2包括如下步驟：
步驟21，在光刻后的半導(dǎo)體基底的上表面使用汽相沉積工藝生成金屬膜層；
步驟22，將具有所述金屬膜層的半導(dǎo)體基底的上表面暴露于蝕刻劑下，以去除所述基底層材質(zhì)柵格的側(cè)壁以外的其它部位處的所述金屬膜層，保留所述基底層材質(zhì)柵格的側(cè)壁處的所述金屬膜層，以生成金屬柵格。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種埋藏型金屬柵格生成方法，其特征在于，所述汽相沉積工藝為化學(xué)汽相沉積或物理汽相沉積。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種埋藏型金屬柵格生成方法，其特征在于，所述金屬膜層的材質(zhì)為氮化鈦、氮化鉭或鎢。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種埋藏型金屬柵格生成方法，其特征在于，所述蝕刻劑為干蝕刻劑或濕蝕刻劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述一種埋藏型金屬柵格生成方法，其特征在于，所述干蝕刻劑為氧、氮、氫、氬和氟類中的一種或多種的蝕刻化學(xué)物；所述濕蝕刻劑為氟氫酸。
7.一種圖像傳感器制造方法，其特征在于，采用權(quán)利要求1至6任一所述一種埋藏型金屬柵格生成方法，在圖像傳感器的像素陣列區(qū)生成埋藏型金屬柵格。